这是机器翻译的内容，点击这里了解更多

RRAM 电阻式存储器

nobutton

关于

效率、性能和可靠性的完美结合

RRAM（电阻式随机存取存储器）具有出色的性能和可靠性以及出色的功率效率，使其成为嵌入式系统中固件管理和数据记录的理想选择。RRAM 凭借其独特的特性和功能组合，优于传统的 NOR Flash、EEPROM 和 MRAM 解决方案，并支持边缘设备中的高级 AI/ML。

嵌入式系统需要长期可靠的内存来存储启动代码。RRAM 可提供 20 年的数据保留时间，并具有抗辐射和抗磁性的功能。连接的设备还使用无线固件 (FOTA) 更新来添加功能和修复错误。

数据记录的特点是重复写入少量数据。RRAM 的高耐久性和字节粒度写入支持绝大多数此类工作负载，展示了内存的多功能性。

因此，RRAM 是一种改变游戏规则的非易失性存储器技术。除了功率效率和可靠性之外，它还支持现代嵌入式设计的代码和数据记录工作负载。

联系我们获取更多信息
工作原理

RRAM 通过改变夹在两个电极之间的开关材料的电阻来运行。在电极上施加偏置电压会形成细丝，使存储单元处于低电阻状态 (LRS)。施加反向偏压会导致灯丝断裂，从而产生高阻状态 (HRS)。LRS和HRS代表1和0，该过程可重复。

英飞凌 RRAM 存储器单元采用金属氧化物开关材料，采用单晶体管单电阻 (1T1R) 配置设计。该存储器采用标准 CMOS 制造工艺制造，并已证实可在 30 纳米以下进行扩展。开关能量低、开关速度快、耐久性高，使得该技术在非易失性外部存储器应用方面本质上优于NOR Flash。

联系我们获取更多信息
推动医疗、消费、工业等领域的创新

RRAM 技术有望彻底改变医疗、消费和工业市场的应用。RRAM 的低功耗和高可靠性使其成为便携式除颤器、胰岛素泵和便携式心电图监测仪等电池供电医疗设备的理想组件。基于 RRAM 的设备可以实现持续的健康监测，让患者追踪他们的生命体征并及时接受干预。

在消费领域，RRAM 可以为下一代可穿戴设备提供更快的性能、更长的电池寿命和更大的存储容量。此外，基于 RRAM 的物联网设备可以实现智能家居自动化、高级游戏和增强现实体验。工业应用将受益于 RRAM 的高可靠性和低功耗，从而实现制造、物流和能源管理等行业的高级自动化、预测性维护和高效数据记录。

RRAM 最终将进入汽车、智能家居和城市领域，推动各行各业的创新和转型。

联系我们获取更多信息
RRAM 与传统非易失性存储器

RRAM 为非易失性存储器技术带来了范式转变，超越了现有 NOR Flash、EEPROM 和 MRAM 替代品的局限性。RRAM 的优势是多方面的：

与 NOR Flash 相比，一个主要优势是驱动程序简单。RRAM 技术在重写内存之前不需要擦除命令。与 NOR 的页面级写入命令相比，它还支持字节粒度写入。这两个区别大大简化了驱动程序设计。更少的命令和内存操作也有助于 RRAM 技术固有的功率、性能和耐久性优势。

与 EEPROM 相比，RRAM 具有更快的写入速度和更高的密度，使其适用于需要频繁更新数据的应用，例如数据记录。与 MRAM 相比，RRAM 的运行功率效率更高，提供了性能、功率和成本的均衡组合。

联系我们获取更多信息
携手英飞凌，充分发挥 RRAM 的潜力

您是否希望利用内存技术的最新进展来彻底改变您的产品组合？您是否想保持领先地位并利用电阻式随机存取存储器 (RRAM) 提供的一系列机会？与英飞凌合作可以帮助您实现这一目标。RRAM 技术已在多款英飞凌产品中得到验证，包括我们最新的汽车微控制器。

无论您是想开发新产品还是升级现有产品，英飞凌都可以帮助您实现目标。加入具有前瞻性思维的公司行列，利用 RRAM 的力量推动创新和增长。保持竞争优势！立即联系我们并加入早期访问计划，开始评估我们的 RRAM 解决方案。

加入 RRAM 早期访问计划

效率、性能和可靠性的完美结合

RRAM（电阻式随机存取存储器）具有出色的性能和可靠性以及出色的功率效率，使其成为嵌入式系统中固件管理和数据记录的理想选择。RRAM 凭借其独特的特性和功能组合，优于传统的 NOR Flash、EEPROM 和 MRAM 解决方案，并支持边缘设备中的高级 AI/ML。

嵌入式系统需要长期可靠的内存来存储启动代码。RRAM 可提供 20 年的数据保留时间，并具有抗辐射和抗磁性的功能。连接的设备还使用无线固件 (FOTA) 更新来添加功能和修复错误。

数据记录的特点是重复写入少量数据。RRAM 的高耐久性和字节粒度写入支持绝大多数此类工作负载，展示了内存的多功能性。

因此，RRAM 是一种改变游戏规则的非易失性存储器技术。除了功率效率和可靠性之外，它还支持现代嵌入式设计的代码和数据记录工作负载。

联系我们获取更多信息

工作原理

RRAM 通过改变夹在两个电极之间的开关材料的电阻来运行。在电极上施加偏置电压会形成细丝，使存储单元处于低电阻状态 (LRS)。施加反向偏压会导致灯丝断裂，从而产生高阻状态 (HRS)。LRS和HRS代表1和0，该过程可重复。

英飞凌 RRAM 存储器单元采用金属氧化物开关材料，采用单晶体管单电阻 (1T1R) 配置设计。该存储器采用标准 CMOS 制造工艺制造，并已证实可在 30 纳米以下进行扩展。开关能量低、开关速度快、耐久性高，使得该技术在非易失性外部存储器应用方面本质上优于NOR Flash。

联系我们获取更多信息

推动医疗、消费、工业等领域的创新

RRAM 技术有望彻底改变医疗、消费和工业市场的应用。RRAM 的低功耗和高可靠性使其成为便携式除颤器、胰岛素泵和便携式心电图监测仪等电池供电医疗设备的理想组件。基于 RRAM 的设备可以实现持续的健康监测，让患者追踪他们的生命体征并及时接受干预。

在消费领域，RRAM 可以为下一代可穿戴设备提供更快的性能、更长的电池寿命和更大的存储容量。此外，基于 RRAM 的物联网设备可以实现智能家居自动化、高级游戏和增强现实体验。工业应用将受益于 RRAM 的高可靠性和低功耗，从而实现制造、物流和能源管理等行业的高级自动化、预测性维护和高效数据记录。

RRAM 最终将进入汽车、智能家居和城市领域，推动各行各业的创新和转型。

联系我们获取更多信息

RRAM 与传统非易失性存储器

RRAM 为非易失性存储器技术带来了范式转变，超越了现有 NOR Flash、EEPROM 和 MRAM 替代品的局限性。RRAM 的优势是多方面的：

与 NOR Flash 相比，一个主要优势是驱动程序简单。RRAM 技术在重写内存之前不需要擦除命令。与 NOR 的页面级写入命令相比，它还支持字节粒度写入。这两个区别大大简化了驱动程序设计。更少的命令和内存操作也有助于 RRAM 技术固有的功率、性能和耐久性优势。

与 EEPROM 相比，RRAM 具有更快的写入速度和更高的密度，使其适用于需要频繁更新数据的应用，例如数据记录。与 MRAM 相比，RRAM 的运行功率效率更高，提供了性能、功率和成本的均衡组合。

联系我们获取更多信息

携手英飞凌，充分发挥 RRAM 的潜力

您是否希望利用内存技术的最新进展来彻底改变您的产品组合？您是否想保持领先地位并利用电阻式随机存取存储器 (RRAM) 提供的一系列机会？与英飞凌合作可以帮助您实现这一目标。RRAM 技术已在多款英飞凌产品中得到验证，包括我们最新的汽车微控制器。

无论您是想开发新产品还是升级现有产品，英飞凌都可以帮助您实现目标。加入具有前瞻性思维的公司行列，利用 RRAM 的力量推动创新和增长。保持竞争优势！立即联系我们并加入早期访问计划，开始评估我们的 RRAM 解决方案。

加入 RRAM 早期访问计划

文档

文档