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RAID 存储

英飞凌的高可靠性和高性能数据存储解决方案

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概述

在英飞凌,我们深知 RAID 需要高可靠性、高可用性和高性能。RAID 是一种将多个物理磁盘组合成一个或多个逻辑单元的技术,使其成为具有数据冗余、数据完整性、性能改进或所有这些功能的高密度数据存储。RAID 控制器卡是用于管理硬盘驱动器或固态驱动器的数据存储设备。

产品优势

  • 总线速度下的无限写入周期
  • 断电时立即捕获数据
  • 不再需要备用电池
  • 不再需要超级电容器

框图

关于

在这些 RAID 卡应用中,我们的非易失性 SRAM (nvSRAM) 和铁电 RAM (F-RAM) 通常用于跟踪在主机和存储系统之间传输的数据包(也称为写日志)。如果系统在写入时断电,则会在下次通电时读回日志信息,以识别任何尚未写入的数据。与其他非易失性存储器相比,并行 nvSRAM 和串行 Quad SPI F-RAM 更受青睐,因为它们写入速度快、耐久性高,并且能够在断电时立即捕获数据,而无需使用任何备用电源。

Raid 存储应用由英飞凌先进的半导体解决方案提供支持,为数据保存和性能提供全面可靠的解决方案。英飞凌的技术注重高可靠性和运行效率,无需备用电池或超级电容器,确保无缝可靠的存储环境。此外,英飞凌的半导体解决方案使RAID存储技术能够以总线速度支持无限的非易失性写入周期,从而实现一致、高效的数据处理。此外,它们还能够在断电时立即捕获数据,从而保障 RAID 存储系统内关键信息的不间断流动。

NOR Flash 是存储引导代码的理想存储器 在数据中心应用中。英飞凌 NOR 闪存产品的设计旨在提供最高水平的安全性、可靠性和安保性。我们的长期供货计划通过提供长期的供应连续性让您高枕无忧,并且我们按照零缺陷政策运营,以提供卓越的质量。丰富的设计工具和支持资源套件可简化您的设计流程,并使您更快地进入市场。

  • 高可靠性和性能
  • 代码存储保留时间长
  • 直接和随机访问就地执行(XiP)
  • 灵活配置分区,耐久性可达 25 年或 P/E 循环次数可达 100 万次

非易失性 RAM 产品,例如 F-RAM 和 nvSRAM,将非易失性数据存储与 RAM 的高性能相结合。这些符合 RoHS 标准的存储器具有很高的耐久性,在 85°C 下可保存超过十年的数据,并且无需外部备用电池即可即时保持非易失性,从而实现系统可靠性并降低成本。

在这些 RAID 卡应用中,我们的非易失性 SRAM (nvSRAM) 和铁电 RAM (F-RAM) 通常用于跟踪在主机和存储系统之间传输的数据包(也称为写日志)。如果系统在写入时断电,则会在下次通电时读回日志信息,以识别任何尚未写入的数据。与其他非易失性存储器相比,并行 nvSRAM 和串行 Quad SPI F-RAM 更受青睐,因为它们写入速度快、耐久性高,并且能够在断电时立即捕获数据,而无需使用任何备用电源。

Raid 存储应用由英飞凌先进的半导体解决方案提供支持,为数据保存和性能提供全面可靠的解决方案。英飞凌的技术注重高可靠性和运行效率,无需备用电池或超级电容器,确保无缝可靠的存储环境。此外,英飞凌的半导体解决方案使RAID存储技术能够以总线速度支持无限的非易失性写入周期,从而实现一致、高效的数据处理。此外,它们还能够在断电时立即捕获数据,从而保障 RAID 存储系统内关键信息的不间断流动。

NOR Flash 是存储引导代码的理想存储器 在数据中心应用中。英飞凌 NOR 闪存产品的设计旨在提供最高水平的安全性、可靠性和安保性。我们的长期供货计划通过提供长期的供应连续性让您高枕无忧,并且我们按照零缺陷政策运营,以提供卓越的质量。丰富的设计工具和支持资源套件可简化您的设计流程,并使您更快地进入市场。

  • 高可靠性和性能
  • 代码存储保留时间长
  • 直接和随机访问就地执行(XiP)
  • 灵活配置分区,耐久性可达 25 年或 P/E 循环次数可达 100 万次

非易失性 RAM 产品,例如 F-RAM 和 nvSRAM,将非易失性数据存储与 RAM 的高性能相结合。这些符合 RoHS 标准的存储器具有很高的耐久性,在 85°C 下可保存超过十年的数据,并且无需外部备用电池即可即时保持非易失性,从而实现系统可靠性并降低成本。

文档

设计资源

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