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结隔离 (JI) 栅极驱动芯片

适用于 IGBT 和 MOSFET 的 JI 电平转换高压栅极驱动芯片

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概述

p-n 结隔离 (JI) 技术是一种成熟的、久经考验的行业标准 MOS/CMOS 制造工艺。我们专有的高压集成电路 (HVIC) 和防锁存型 CMOS 技术可实现坚固耐用的单片结构。这种先进的工艺可实现单片式高压和低压电路结构，为特定的电机控制和开关电源应用提供最佳性价比。

关键特性

  • 过流保护
  • 关机
  • 故障报告
  • DESAT
  • 死区时间可调
  • 直通保护
  • 独立的灌/拉电流输出

产品

关于

我们的结隔离 (JI) 技术

高压集成电路 (HVIC) 技术由国际整流器公司 (IR) 自 1989 年率先推出第一款单片产品以来，采用专利和专有的单片结构，集成了双极、CMOS 和横向 DMOS 器件，击穿电压超过 700 V 和 1400 V，工作偏移电压为 600 V 和 1200 V。

利用这种混合信号HVIC技术，可以实现高压电平转换电路以及低压模拟和数字电路。高压电路（位于多晶硅环形成的 "井 "中）可 "浮动 "在同一硅片上，远离其他低压电路，因此高压侧功率 MOSFET 或 IGBT 可用于许多流行的离线电路拓扑中，例如降压、同步升压、半桥、全桥和三相。

这些带有浮动开关的 HVIC 栅极驱动器非常适合需要高边、半桥和三相配置的拓扑。

英飞凌JI的主要优势：最全面的产品组合

我们的结隔离 (JI) 栅极驱动器 IC 产品组合包括三相、半桥和高侧栅极驱动器 IC，每个电压等级的电流和耐受电压高达 4 A：<200 V、600 V、650 V 和 1200 V。我们的结隔离 (JI) 电平转换高压栅极驱动器 IC 系列提供先进的功能，例如过流保护、关断、故障报告、使能、独立运算放大器、去饱和保护、可编程死区时间、直通保护、低 UVLO (5 V)、自振荡能力等。我们拥有符合工业和汽车标准的结隔离 (JI) 栅极驱动芯片。

我们的结隔离 (JI) 技术

高压集成电路 (HVIC) 技术由国际整流器公司 (IR) 自 1989 年率先推出第一款单片产品以来，采用专利和专有的单片结构，集成了双极、CMOS 和横向 DMOS 器件，击穿电压超过 700 V 和 1400 V，工作偏移电压为 600 V 和 1200 V。

利用这种混合信号HVIC技术，可以实现高压电平转换电路以及低压模拟和数字电路。高压电路（位于多晶硅环形成的 "井 "中）可 "浮动 "在同一硅片上，远离其他低压电路，因此高压侧功率 MOSFET 或 IGBT 可用于许多流行的离线电路拓扑中，例如降压、同步升压、半桥、全桥和三相。

这些带有浮动开关的 HVIC 栅极驱动器非常适合需要高边、半桥和三相配置的拓扑。

英飞凌JI的主要优势：最全面的产品组合

我们的结隔离 (JI) 栅极驱动器 IC 产品组合包括三相、半桥和高侧栅极驱动器 IC，每个电压等级的电流和耐受电压高达 4 A：<200 V、600 V、650 V 和 1200 V。我们的结隔离 (JI) 电平转换高压栅极驱动器 IC 系列提供先进的功能，例如过流保护、关断、故障报告、使能、独立运算放大器、去饱和保护、可编程死区时间、直通保护、低 UVLO (5 V)、自振荡能力等。我们拥有符合工业和汽车标准的结隔离 (JI) 栅极驱动芯片。

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