D 类音频放大器 IC

MERUS™ D 类音频放大器 IC、多芯片模块以及分立式 MOSFET 和 HEMT 驱动器 IC

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关于

我们独特的 MERUS™ 多级别 D 类音频放大器具有独特的五级调制,功耗降低 10 倍,声音信号逼近度更高,音频性能毫不逊色,输出滤波可仅使用铁氧体磁珠。集成的 DSP 选项也最大限度地降低了系统总体成本。

我们的 MERUS™ 多芯片模块(MCM)D 类音频放大器将久经考验的 D 类控制器和最先进的低 RDS(on) MOSFET 集成到小型的 QFN 封装中。MCM 器件可在满负荷时提供超高的效率,无需使用笨重的散热器。它们还提供灵活的电源配置(单轨或分轨),并支持多种扬声器负载配置(2 个单端、1 个 BTL 或 1 个并联单端),从而将所需的低通滤波器数量减少了一半。

我们的 MERUS™ 分立式音频解决方案包括高度可扩展的放大器驱动器 IC 和功率 MOSFET 组合,可提供卓越的音频性能和可扩展的输出功率,每个通道功率可高达 3000 W。凭借英飞凌广泛的功率 MOSFET 和GaN HEMT 系列产品,MERUS™ 分立式音频解决方案已成为高功率 D 类放大器市场中高效、稳健和高可靠性工业基准的标准。

MERUS™ D 类音频放大器 IC、多芯片模块和分立式 MOSFET/HEMT 驱动器 IC

传统的 D 类音频放大器 IC 是一种开关放大器,通常由两个带有脉冲宽度调制 (PWM) 信号的功率 MOSFET 组成。输出功率 >20W 时需要使用 LC 滤波器,但这会增加尺寸和成本。

随着每种产品的音频通道数量不断增加,传统的 D 类放大器在紧凑型设计中面临设计挑战:功率效率低、发热过多(即使在中等声级下也是如此),以及需要笨重、昂贵的滤波器。

英飞凌的多级D类音频放大器集成电路技术 – 全球首创 – 使得在降低电磁干扰和带外噪声的同时将降低功耗成为可能。还可以通过取消或最大限度地减少过滤器的使用来降低制造成本,从而节省设计空间。

凭借革命性的多级 D 类音频放大器 IC,英飞凌在电源效率和功率密度方面处于领先地位。温度更低、体积更小、重量更轻的 D 类音频放大器,可打造音质更出色的产品。

我们独特的 MERUS™ 多级别 D 类音频放大器具有独特的五级调制,功耗降低 10 倍,声音信号逼近度更高,音频性能毫不逊色,输出滤波可仅使用铁氧体磁珠。集成的 DSP 选项也最大限度地降低了系统总体成本。

我们的 MERUS™ 多芯片模块(MCM)D 类音频放大器将久经考验的 D 类控制器和最先进的低 RDS(on) MOSFET 集成到小型的 QFN 封装中。MCM 器件可在满负荷时提供超高的效率,无需使用笨重的散热器。它们还提供灵活的电源配置(单轨或分轨),并支持多种扬声器负载配置(2 个单端、1 个 BTL 或 1 个并联单端),从而将所需的低通滤波器数量减少了一半。

我们的 MERUS™ 分立式音频解决方案包括高度可扩展的放大器驱动器 IC 和功率 MOSFET 组合,可提供卓越的音频性能和可扩展的输出功率,每个通道功率可高达 3000 W。凭借英飞凌广泛的功率 MOSFET 和GaN HEMT 系列产品,MERUS™ 分立式音频解决方案已成为高功率 D 类放大器市场中高效、稳健和高可靠性工业基准的标准。

MERUS™ D 类音频放大器 IC、多芯片模块和分立式 MOSFET/HEMT 驱动器 IC

传统的 D 类音频放大器 IC 是一种开关放大器,通常由两个带有脉冲宽度调制 (PWM) 信号的功率 MOSFET 组成。输出功率 >20W 时需要使用 LC 滤波器,但这会增加尺寸和成本。

随着每种产品的音频通道数量不断增加,传统的 D 类放大器在紧凑型设计中面临设计挑战:功率效率低、发热过多(即使在中等声级下也是如此),以及需要笨重、昂贵的滤波器。

英飞凌的多级D类音频放大器集成电路技术 – 全球首创 – 使得在降低电磁干扰和带外噪声的同时将降低功耗成为可能。还可以通过取消或最大限度地减少过滤器的使用来降低制造成本,从而节省设计空间。

凭借革命性的多级 D 类音频放大器 IC,英飞凌在电源效率和功率密度方面处于领先地位。温度更低、体积更小、重量更轻的 D 类音频放大器,可打造音质更出色的产品。

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