Three-Phase Gate Driver ICs

Gate driver ICs to control power devices like MOSFETs or IGBTs in three-phase topology

概述

We offer three phase gate drivers, six channels in a package with three independent half bridges. We also provide three phase gate driver ICs with advanced Infineon silicon on insulator (SOI) technologies. With excellent ruggedness and noise immunity, these gate drivers are perfect for motor drives, home appliance, and battery powered applications. Automotive qualified three phase gate driver ICs are also available.

关键特性

  • Excellent ruggedness
  • Noise immunity
  • Silicon-on-insulator technology
  • Unparalleled reliability

产品

关于

英飞凌和国际整流器公司凭借数十年的应用专长和技术开发,推出了一系列栅极驱动器集成电路,可用于硅和宽禁带功率器件,如 MOSFET、分立式 IGBT、IGBT 模块、SiC MOSFET 和 GaN HEMT。我们提供卓越的产品系列,包括电隔离栅极驱动器、汽车级栅极驱动器、200 V、500-700 V、1200 V 电平转换栅极驱动器和非隔离低边驱动器。

我们的产品组合涵盖各种配置、电压等级、隔离级别、保护功能和封装选项。最先进的分立开关系列需要调整栅极驱动电路,以充分利用其容量和功能。最佳的栅极驱动配置对于所有电源开关都至关重要,无论它们是分立式开关还是电源模块。

我们尖端的三相栅极驱动器解决方案是驱动 MOSFET 和 IGBT 等功率器件的最佳选择。我们的栅极驱动器的核心是创新的绝缘体上硅 (SOI) 技术,该技术经过精心打造,具有卓越的坚固性和抗噪能力。即使在最具挑战性的环境中,我们的栅极驱动器也能发挥最佳性能,提供无与伦比的可靠性和效率。

我们提供全面的栅极驱动器产品系列。我们的栅极驱动器经过精心设计,可轻松满足您的特定应用要求。我们的栅极驱动器具有多种电压等级,包括 200 V、500-700 V 和 1200 V,使您能够根据自己的电源需求量身定制完美的解决方案。我们的专家团队花费了数十年的时间来完善硅和宽禁带功率器件的栅极驱动电路。因此,我们的栅极驱动器能够充分发挥这些先进开关系列的潜力,使功率电子器件能达到最高的效率和性能。

英飞凌和国际整流器公司凭借数十年的应用专长和技术开发,推出了一系列栅极驱动器集成电路,可用于硅和宽禁带功率器件,如 MOSFET、分立式 IGBT、IGBT 模块、SiC MOSFET 和 GaN HEMT。我们提供卓越的产品系列,包括电隔离栅极驱动器、汽车级栅极驱动器、200 V、500-700 V、1200 V 电平转换栅极驱动器和非隔离低边驱动器。

我们的产品组合涵盖各种配置、电压等级、隔离级别、保护功能和封装选项。最先进的分立开关系列需要调整栅极驱动电路,以充分利用其容量和功能。最佳的栅极驱动配置对于所有电源开关都至关重要,无论它们是分立式开关还是电源模块。

我们尖端的三相栅极驱动器解决方案是驱动 MOSFET 和 IGBT 等功率器件的最佳选择。我们的栅极驱动器的核心是创新的绝缘体上硅 (SOI) 技术,该技术经过精心打造,具有卓越的坚固性和抗噪能力。即使在最具挑战性的环境中,我们的栅极驱动器也能发挥最佳性能,提供无与伦比的可靠性和效率。

我们提供全面的栅极驱动器产品系列。我们的栅极驱动器经过精心设计,可轻松满足您的特定应用要求。我们的栅极驱动器具有多种电压等级,包括 200 V、500-700 V 和 1200 V,使您能够根据自己的电源需求量身定制完美的解决方案。我们的专家团队花费了数十年的时间来完善硅和宽禁带功率器件的栅极驱动电路。因此,我们的栅极驱动器能够充分发挥这些先进开关系列的潜力,使功率电子器件能达到最高的效率和性能。

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