High-Side Gate Driver ICs

用于控制 MOSFET 和 IGBT 的单通道和双通道高边栅极驱动器 IC

概述

EiceDRIVER™高边栅极驱动器IC包括隔离式栅极驱动器、电平转换栅极驱动器和非隔离式栅极驱动器系列,由于具有真正的差分控制输入, 可用作高边驱动器。我们提供单通道和双通道电气隔离栅极驱动器 IC。有些包括高级保护功能,例如DESAT和有源米勒钳位,有些则具有UL和VDE认证。

关键特性

  • DESAT
  • 有源米勒夹钳
  • 过流保护
  • UVLO 阈值选项

产品

关于

我们提供多种 UVLO 阈值选项,以适合 OptiMOS™ 功率 MOSFET、CoolMOS™ 超结 MOSFET、CoolSiC™ MOSFET 和 CoolGaN™ HEMT。我们还提供具有过流保护功能的单通道电平转换高边栅极驱动器 IC,非常适合降压拓扑。还包括符合汽车标准的高边栅极驱动器 IC。在高压侧电压不超过 100 V 的情况下,非隔离 TDI 栅极驱动器系列不失为一种有吸引力的选择,例如在某些buck-boost电路、电池供电的电机驱动应用以及半桥或全桥同步整流电路中。

英飞凌和国际整流器公司凭借数十年的应用专长和技术开发,推出了一系列栅极驱动器集成电路,可用于硅和宽禁带功率器件,如 MOSFET、分立式 IGBT、IGBT 模块、SiC MOSFET 和 GaN HEMT。我们提供优秀的产品系列,包括电隔离栅极驱动器、汽车级栅极驱动器、200 V、500-700 V、1200 V 电平转换栅极驱动器以及非隔离低端驱动器。

我们的产品组合涵盖各种配置、电压等级、隔离级别、保护功能和封装选项。最先进的分立开关系列需要调整栅极驱动电路,以充分利用其容量和功能。无论是分立式还是功率模块,最佳的栅极驱动配置对于所有电源开关都至关重要。

我们提供多种 UVLO 阈值选项,以适合 OptiMOS™ 功率 MOSFET、CoolMOS™ 超结 MOSFET、CoolSiC™ MOSFET 和 CoolGaN™ HEMT。我们还提供具有过流保护功能的单通道电平转换高边栅极驱动器 IC,非常适合降压拓扑。还包括符合汽车标准的高边栅极驱动器 IC。在高压侧电压不超过 100 V 的情况下,非隔离 TDI 栅极驱动器系列不失为一种有吸引力的选择,例如在某些buck-boost电路、电池供电的电机驱动应用以及半桥或全桥同步整流电路中。

英飞凌和国际整流器公司凭借数十年的应用专长和技术开发,推出了一系列栅极驱动器集成电路,可用于硅和宽禁带功率器件,如 MOSFET、分立式 IGBT、IGBT 模块、SiC MOSFET 和 GaN HEMT。我们提供优秀的产品系列,包括电隔离栅极驱动器、汽车级栅极驱动器、200 V、500-700 V、1200 V 电平转换栅极驱动器以及非隔离低端驱动器。

我们的产品组合涵盖各种配置、电压等级、隔离级别、保护功能和封装选项。最先进的分立开关系列需要调整栅极驱动电路,以充分利用其容量和功能。无论是分立式还是功率模块,最佳的栅极驱动配置对于所有电源开关都至关重要。

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