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分立式 D 类音频放大器 IC

带有 MOSFET 或 GaN HEMT 的 MERUS™ 分立式音频放大器驱动芯片

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概述

英飞凌的高性能 MERUS™ 分立式 D 类音频放大器解决方案包括 1、2、4 通道高压放大器控制芯片，以及超低 RDS(on)和高效率的 OptiMOS™ 功率 MOSFET和超高效的 CoolGaN™ GaN HEMT。英飞凌凭借其在D类和功率半导体技术方面的领先地位，为高端D类放大器市场带来高功率，高功率密度、既可靠又灵活的方案。

关键特性

  • 差分或单端输入
  • 高电源抑制比
  • 高抗噪性
  • 可编程 OCP
  • 可编程死区时间
  • 减少点击噪音

产品

关于

用于统一平台设计的可扩展输出功率

英飞凌的 MERUS™ 分立式 D 类音频放大器解决方案可通过替换驱动芯片--开关管组合的外部 MOSFET 或 CoolGaN™ GaN HEMT 来扩展到不同的输出功率水平。使用一系列 D 类音频放大器控制芯片以及英飞凌的 MOSFET 和 GaN HEMT 产品组合，可以实现不同的输出功率范围。

英飞凌功率器件具有卓越的音频性能

英飞凌的 MERUS™ 分立式 D 类音频放大器解决方案可通过高压、低 RDS(on)和低反向恢复电荷的 OptiMOS™ MOSFET 实现高功率、高效的音频信号放大，从而最大限度地降低 D 类转换期间的功耗和音频信号失真。英飞凌的 CoolGaN™ e-mode HEMT 最大限度地提高了 D 类音频放大器的性能，并允许接近理论上理想的 D 类转换效率和 THD 音频性能。

探索我们的 CoolGaN™ 400 V e-mode HEMT
音频应用的集成保护和增强功能

英飞凌 MERUS™ 分立式 D 类音频解决方案集成了专用的音频保护和增强功能，例如具有自复位功能的可编程双向过流保护、用于提高 THD 性能的可编程死区控制、支持锁定、非锁存和主机控制的关机功能、欠压保护等多样化的保护控制以及启动/停止点击噪声降低等。这些功能可以帮助设计出简化的但高性能和高可靠性的音频设备。

用于统一平台设计的可扩展输出功率

英飞凌的 MERUS™ 分立式 D 类音频放大器解决方案可通过替换驱动芯片--开关管组合的外部 MOSFET 或 CoolGaN™ GaN HEMT 来扩展到不同的输出功率水平。使用一系列 D 类音频放大器控制芯片以及英飞凌的 MOSFET 和 GaN HEMT 产品组合，可以实现不同的输出功率范围。

英飞凌功率器件具有卓越的音频性能

英飞凌的 MERUS™ 分立式 D 类音频放大器解决方案可通过高压、低 RDS(on)和低反向恢复电荷的 OptiMOS™ MOSFET 实现高功率、高效的音频信号放大，从而最大限度地降低 D 类转换期间的功耗和音频信号失真。英飞凌的 CoolGaN™ e-mode HEMT 最大限度地提高了 D 类音频放大器的性能，并允许接近理论上理想的 D 类转换效率和 THD 音频性能。

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音频应用的集成保护和增强功能

英飞凌 MERUS™ 分立式 D 类音频解决方案集成了专用的音频保护和增强功能，例如具有自复位功能的可编程双向过流保护、用于提高 THD 性能的可编程死区控制、支持锁定、非锁存和主机控制的关机功能、欠压保护等多样化的保护控制以及启动/停止点击噪声降低等。这些功能可以帮助设计出简化的但高性能和高可靠性的音频设备。

文档

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