200V GaN HEMT 驱动芯片

与 GaN HEMT 完美匹配的200V EiceDRIVER™ 栅极驱动芯片

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概述

宽带隙半导体允许更高的电场强度，因此与硅替代品相比，晶体管明显更小。因此，GaN 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 可以在高开关频率下运行，而不影响效率。许多增强模式 GaN HEMT 使用肖特基型栅极来模拟典型的绝缘 MOSFET 栅极。

关键特性

  • 快速开启和关闭转换速率
  • 低电感封装
  • 在高 dV/dt 下具有强大的 CMR
  • 主动米勒钳位
  • 诱导开启抗扰度
  • 调节自举电压

产品

关于

CoolGaN™ SG HEMT 主要特点

GAN 肖特基栅极（SG） HEMT 可由任何与所需驱动电压（通常为 5 V）兼容的栅极芯片驱动。

不过，有几项关键功能可以使开关器发挥最高水平的性能，其中包括：

  • 源驱动电流和灌驱动电流的快速开启和关闭转换率，以及低上拉和下拉电阻
  • 低电感封装，其尺寸和引脚分布与优化的 GaN PCB 布局兼容
  • 高 dV/dt 下强大的共模电压抑制能力，支持最快的开关速度和最低的开关损耗
  • 减轻高 dV/dt 期间感应导通的特性，如有源米勒钳位和负关断状态驱动电压
  • 严格控制传播延迟，从而缩短死区时间
适用于 GaN SG HEMT 的 EiceDRIVER™ 栅极驱动器产品组合

1EDN71x6Gx 是单通道栅极驱动芯片系列，针对英飞凌 CoolGaN™ SG HEMT 以及其他 GaN SG HEMT 和 Si MOSFET 进行了优化。

该栅极驱动芯片包括几个关键特性，可实现基于快速开关系统的高性能设计，包括真正的差分输入 （TDI）、四种不同驱动电流、有源米勒箝位、自举电压箝位，以及带或不带可调电荷泵可选，分别采用 PG-SON-10 以及 PG-TSNP-7 封装。

进一步了解我们的 EiceDRIVER™ 1EDN71x6x 系列
CoolGaN™ SG HEMT 的目标应用

高效率和高功率密度是现代电力电子系统的关键要求，而最先进的 GaN HEMT 达到了这些要求。合适的栅极驱动芯片可以帮助设计人员在基于氮化镓的系统中实现最佳性能，同时最大限度地减少研发工作和相关成本。

CoolGaN™ SG HEMT 主要特点

GAN 肖特基栅极（SG） HEMT 可由任何与所需驱动电压（通常为 5 V）兼容的栅极芯片驱动。

不过，有几项关键功能可以使开关器发挥最高水平的性能，其中包括：

  • 源驱动电流和灌驱动电流的快速开启和关闭转换率，以及低上拉和下拉电阻
  • 低电感封装，其尺寸和引脚分布与优化的 GaN PCB 布局兼容
  • 高 dV/dt 下强大的共模电压抑制能力，支持最快的开关速度和最低的开关损耗
  • 减轻高 dV/dt 期间感应导通的特性，如有源米勒钳位和负关断状态驱动电压
  • 严格控制传播延迟，从而缩短死区时间

适用于 GaN SG HEMT 的 EiceDRIVER™ 栅极驱动器产品组合

1EDN71x6Gx 是单通道栅极驱动芯片系列，针对英飞凌 CoolGaN™ SG HEMT 以及其他 GaN SG HEMT 和 Si MOSFET 进行了优化。

该栅极驱动芯片包括几个关键特性，可实现基于快速开关系统的高性能设计，包括真正的差分输入 （TDI）、四种不同驱动电流、有源米勒箝位、自举电压箝位，以及带或不带可调电荷泵可选，分别采用 PG-SON-10 以及 PG-TSNP-7 封装。

进一步了解我们的 EiceDRIVER™ 1EDN71x6x 系列

CoolGaN™ SG HEMT 的目标应用

高效率和高功率密度是现代电力电子系统的关键要求，而最先进的 GaN HEMT 达到了这些要求。合适的栅极驱动芯片可以帮助设计人员在基于氮化镓的系统中实现最佳性能，同时最大限度地减少研发工作和相关成本。

设计资源

开发者社区

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