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汽车级MOSFET

多种汽车 MOSFET（30 V - 300 V、600 V - 800 V）采用各种坚固的封装，适用于汽车应用 - 符合 AEC-Q101 以上标准

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概述

探索广泛的汽车级 OptiMOS ™功率 MOSFET（30 V - 300 V、600 V - 800 V）产品组合，该产品组合以各种坚固的封装提供基准质量。英飞凌最新的 OptiMOS ™ 7 沟槽技术为未来的汽车应用设立了新标准，结合最小尺寸的创新而坚固的封装，可实现最高的功率效率、降低的开关损耗、提高大电流应用的 SOA。

关键特性

  • 高可靠性
  • 低 RDS(on)
  • 稳健的热性能
  • 栅极稳健性
  • 快速开关速度
  • 符合 AEC-Q101 标准

产品

关于

适用于 12 V 电路板网络应用的创新汽车 MOSFET 产品组合

英飞凌适用于 12 V 电路板应用的汽车 MOSFET 产品组合涵盖各种坚固的无铅和有铅封装。了解有关OptiMOS™ 7 40 V 的更多信息

无铅：

  • S3O8（3x3）：最小封装
  • SSO8 Dual (5x6) ：将两个 MOSFET 集成在一个封装中
  • SSO8 Single (5x6)：最先进的封装
  • SSO8 HB (5x6)：将两个 MOSFET 组合成半桥配置
  • sTOLL (7x8) ：超低欧姆封装，实现最高功率密度
  • TOLL (10x12)：最高电流能力

含铅：

  • mTOLG (8x8)：采用鸥翼式封装，功率密度最高
  • TOLG (10x12)：最高电流能力

顶部冷却：

  • SSO10T (5x7) ：顶部冷却封装
  • TOLT (10x15)：最高电流能力
了解有关汽车 MOSFET 30 V - 40 V 的更多信息
长期供货计划
适用于 12 V 和 24 V 板网应用的可靠汽车 MOSFET

体验适用于 12 V 和 24 V 电路板网络应用的汽车 MOSFET 产品组合，它们采用各种坚固的无铅和有铅封装。

  • S3O8（3x3）：最小封装
  • SSO8 Dual (5x6) ：将两个 MOSFET 集成在一个封装中
  • SSO8 Single (5x6)：最先进的封装
  • TOLL (10x12) / TOLG (10x12) / TOLT (10x15)：最高电流能力
了解有关汽车 MOSFET 55 V - 60 V 的更多信息
长期供货计划
适用于 48 V 板网应用的可靠汽车 MOSFET

探索适用于 48 V 电路板网络应用的各种汽车 MOSFET 产品组合，这些产品组合采用各种坚固的无铅和有铅封装。最新的 75 V - 100 V 汽车 MOSFET 是在OptiMOS™ 5 和OptiMOS™ 7 中开发的，两种技术的产品组合相得益彰。

无铅：

  • S3O8（3x3）：最小封装
  • SSO8 Dual (5x6) ：将两个 MOSFET 集成在一个封装中
  • SSO8 Single (5x6)：最先进的封装
  • sTOLL (7x8) ：超低欧姆封装，实现最高功率密度
  • TOLL (10x12)：最高电流能力

含铅：

  • mTOLG (8x8)：采用鸥翼式封装，功率密度最高
  • TOLG (10x12) ：最高电流能力

顶部冷却：

  • SSO10T (5x7) ：顶部冷却封装
  • TOLT(10x15)：最高电流能力
了解有关汽车 MOSFET 75 V - 100 V 的更多信息
长期供货计划
适用于 >48 V 电路板网络应用的汽车 MOSFET

探索英飞凌适用于 > 48 V 电路板网络应用的汽车 MOSFET 产品组合，采用各种坚固的无铅和有铅封装。120 V、150 V 或更高电压的汽车 MOSFET 采用OptiMOS™ 5 和OptiMOS™ 6 技术开发。
最广泛的产品组合，包括各种不同封装的汽车 MOSFET

  • S3O8（3x3）：最小封装
  • SSO8 Dual (5x6)：在一个封装中集成两个 MOSFET
  • SSO8 Single (5x6)：最先进的封装
  • sTOLL (7x8) ：超低欧姆封装，实现最高功率密度
  • TOLL (10x12) / TOLG (10x12) / TOLT (10x15)：最高电流能力
  • mTOLG (8x8)：采用鸥翼式封装，功率密度最高
  • SSO10T (5x7) ：顶部冷却封装
了解有关汽车 MOSFET 120 V – 300 V 的更多信息
长期供货计划
汽车 MOSFET 600 V – 800 V

在尺寸和重量受限的环境中实现最高的系统性能、卓越且经过验证的产品质量和可靠性、以及 100% 可靠的交付，都是汽车市场制造商的关键要求。凭借高压汽车 MOSFET 系列 600 V CoolMOS™ CPA 和 650 V CoolMOS™ CFDA、800 V CoolMOS™ C3A 和 650 V CoolMOS™ CFD7A，英飞凌已做好充分准备应对强劲增长的汽车市场的挑战。

了解有关汽车 MOSFET 600 V – 800 V 的更多信息
长期供货计划
创新且具有成本效益的集成半桥封装解决方案
  • P 沟道 MOSFET： 我们的汽车 P 沟道功率 MOSFET 采用引线式封装，采用 OptiMOS™ P2 Gen5 技术，电压范围为 30 V、40 V、55 V 和 150 V，在 40 V 时具有极低的 RDS(on) 值和极高的电流能力。

  • N 沟道 MOSFET：我们的汽车 N 沟道 MOSFET 提供极致的设计灵活性并满足广泛的需求。提供从 3 毫米 x 3 毫米到 10 毫米 x 15 毫米等多种封装尺寸，您可以找到满足应用需求的 MOSFET。

适用于 40 V 电机驱动应用的半桥封装，以及适用于最高功率密度应用的新型顶部冷却 SSO-10T 5 × 7 mm 和 TOLT 10 × 15 mm 封装，完善了满足这些特殊要求的产品组合，分别节省了空间和冷却元件的额外成本。

适用于 12 V 电路板网络应用的创新汽车 MOSFET 产品组合

英飞凌适用于 12 V 电路板应用的汽车 MOSFET 产品组合涵盖各种坚固的无铅和有铅封装。了解有关OptiMOS™ 7 40 V 的更多信息

无铅：

  • S3O8（3x3）：最小封装
  • SSO8 Dual (5x6) ：将两个 MOSFET 集成在一个封装中
  • SSO8 Single (5x6)：最先进的封装
  • SSO8 HB (5x6)：将两个 MOSFET 组合成半桥配置
  • sTOLL (7x8) ：超低欧姆封装，实现最高功率密度
  • TOLL (10x12)：最高电流能力

含铅：

  • mTOLG (8x8)：采用鸥翼式封装，功率密度最高
  • TOLG (10x12)：最高电流能力

顶部冷却：

  • SSO10T (5x7) ：顶部冷却封装
  • TOLT (10x15)：最高电流能力
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长期供货计划

适用于 12 V 和 24 V 板网应用的可靠汽车 MOSFET

体验适用于 12 V 和 24 V 电路板网络应用的汽车 MOSFET 产品组合，它们采用各种坚固的无铅和有铅封装。

  • S3O8（3x3）：最小封装
  • SSO8 Dual (5x6) ：将两个 MOSFET 集成在一个封装中
  • SSO8 Single (5x6)：最先进的封装
  • TOLL (10x12) / TOLG (10x12) / TOLT (10x15)：最高电流能力
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适用于 48 V 板网应用的可靠汽车 MOSFET

探索适用于 48 V 电路板网络应用的各种汽车 MOSFET 产品组合，这些产品组合采用各种坚固的无铅和有铅封装。最新的 75 V - 100 V 汽车 MOSFET 是在OptiMOS™ 5 和OptiMOS™ 7 中开发的，两种技术的产品组合相得益彰。

无铅：

  • S3O8（3x3）：最小封装
  • SSO8 Dual (5x6) ：将两个 MOSFET 集成在一个封装中
  • SSO8 Single (5x6)：最先进的封装
  • sTOLL (7x8) ：超低欧姆封装，实现最高功率密度
  • TOLL (10x12)：最高电流能力

含铅：

  • mTOLG (8x8)：采用鸥翼式封装，功率密度最高
  • TOLG (10x12) ：最高电流能力

顶部冷却：

  • SSO10T (5x7) ：顶部冷却封装
  • TOLT(10x15)：最高电流能力
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适用于 >48 V 电路板网络应用的汽车 MOSFET

探索英飞凌适用于 > 48 V 电路板网络应用的汽车 MOSFET 产品组合，采用各种坚固的无铅和有铅封装。120 V、150 V 或更高电压的汽车 MOSFET 采用OptiMOS™ 5 和OptiMOS™ 6 技术开发。
最广泛的产品组合，包括各种不同封装的汽车 MOSFET

  • S3O8（3x3）：最小封装
  • SSO8 Dual (5x6)：在一个封装中集成两个 MOSFET
  • SSO8 Single (5x6)：最先进的封装
  • sTOLL (7x8) ：超低欧姆封装，实现最高功率密度
  • TOLL (10x12) / TOLG (10x12) / TOLT (10x15)：最高电流能力
  • mTOLG (8x8)：采用鸥翼式封装，功率密度最高
  • SSO10T (5x7) ：顶部冷却封装
了解有关汽车 MOSFET 120 V – 300 V 的更多信息
长期供货计划

汽车 MOSFET 600 V – 800 V

在尺寸和重量受限的环境中实现最高的系统性能、卓越且经过验证的产品质量和可靠性、以及 100% 可靠的交付，都是汽车市场制造商的关键要求。凭借高压汽车 MOSFET 系列 600 V CoolMOS™ CPA 和 650 V CoolMOS™ CFDA、800 V CoolMOS™ C3A 和 650 V CoolMOS™ CFD7A，英飞凌已做好充分准备应对强劲增长的汽车市场的挑战。

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创新且具有成本效益的集成半桥封装解决方案
  • P 沟道 MOSFET： 我们的汽车 P 沟道功率 MOSFET 采用引线式封装，采用 OptiMOS™ P2 Gen5 技术，电压范围为 30 V、40 V、55 V 和 150 V，在 40 V 时具有极低的 RDS(on) 值和极高的电流能力。

  • N 沟道 MOSFET：我们的汽车 N 沟道 MOSFET 提供极致的设计灵活性并满足广泛的需求。提供从 3 毫米 x 3 毫米到 10 毫米 x 15 毫米等多种封装尺寸，您可以找到满足应用需求的 MOSFET。

适用于 40 V 电机驱动应用的半桥封装，以及适用于最高功率密度应用的新型顶部冷却 SSO-10T 5 × 7 mm 和 TOLT 10 × 15 mm 封装，完善了满足这些特殊要求的产品组合，分别节省了空间和冷却元件的额外成本。

文档

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{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问 ", "labelEn" : "Ask the community " }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论 ", "labelEn" : "View all discussions " } ] }