英飞凌的新型汽车 SSO8 HB 5x6 提供两个 H 桥配置的 N 沟道 MOSFET,电流能力高达 100 A。

SSO8 HB 5x6 中的OptiMOS™ -7 40 V 以最低的每通道成本提供最高的功率密度和能源效率。

此外, OptiMOS™ -7 40 V 中的 SSO8 HB 5x6 可降低开关损耗、提高 SOA 坚固性并具有高雪崩电流能力,从而促进未来汽车应用的高效系统设计。

IAUCN04S7L025AH 设计为适用于汽车 USB 充电应用的非对称 H 桥。

SSO8 HB 5x6 封装中的OptiMOS™ -7 40 V 产品系列每个 MOSFET 通道的电阻范围从同类最佳的 2.3 mΩ 到 5.4 mΩ。

  • 5x6 mm² H桥占用空间
  • 100 A 高电流能力
  • 双通道H桥配置
  • 领先的OptiMOS™ -7 40 V
  • RDS(on)范围:2.3 mΩ – 5.4 mΩ
  • Cu-clip 实现低RDS(on)和低电感
  • 高雪崩能力
  • SOA 坚固性
  • H 桥的高功率和电流密度
  • 优化布局和外形尺寸
  • 高热容量引线框架
  • 减少传导损耗
  • 优化的切换行为
  • JEDEC行业标准封装
  • 汽车级坚固封装和英飞凌品质
  • 车身控制模块
  • 车窗升降
  • 电动升降门
  • 电动座椅
  • 电动驻车制动器
  • 小型 BLDC 驱动器
  • USB充电/DC-DC
  • 水/油/燃油泵
SSO8 HB 5x6封装
SSO8 HB 5x6封装
SSO8 HB 5x6封装
  • 机身长度:5.48毫米
  • 机身宽度:5.15 毫米
  • 最小端子间距:1.27 毫米

有关 SSO8 HB 5x6 封装尺寸的详细信息,请单击相应的封装( PG-TDSON-8-56PG-TDSON-8-57 )。