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功率产品

关于

英飞凌适用于低地球轨道应用和星座的抗辐射电源

英飞凌的 NewSpace 耐辐射电源解决方案专为低地球轨道 (LEO) 应用和星座而设计，非常适合五年以下的任务寿命。

英飞凌的 NewSpace 电源解决方案包括采用塑料封装的耐辐射 MOSFET，用于支持 LEO 卫星平台和有效载荷操作的重要功能。

英飞凌的耐辐射功率 FET 符合 AEC-Q101 标准的空间应用要求，基于我们增强的CoolMOS™技术和成熟的大批量产品工艺。

主要特性包括：

  • 塑料封装
  • 通过 AEC-Q101 认证
  • 总剂量30kRads(Si)
  • SEE 硬化至 46 MeV∙cm2/mg

目标应用

  • 电力调节装置
  • 配电装置
  • DC-DC变换器

联系英飞凌 HiRel 销售人员，了解有关我们的 NewSpace 抗辐射电源解决方案的更多信息。

耐辐射 60 V 和 150 V N 沟道 MOSFET

英飞凌增强型商用功率 MOSFET 专为 2 至 5 年的 LEO 任务和星座而设计。这些产品具有 46 MeV∙cm²/mg 的 LET 抗单粒子效应 (SEE) 能力，可承受 30 krad (Si) 的总电离剂量。

该产品系列基于独特的英飞凌CoolMOS™超结技术提供四种不同的 N 沟道 MOSFET。 这使得它们成为快速切换应用的理想选择。有两种电压选项：60 V 和 150 V，支持 LEO 卫星中使用的最常见的 28 V 和 54 V 总线电压。R DS(on)值范围从 15 mΩ 到 60 mΩ。

有两种塑料封装选项可供选择：表面贴装 TO-263 和通孔 TO-247。TO-263 支持简易组装和回流焊接，而 TO-247 可用于优化更高电流的冷却概念。

两种封装类型的引线均镀有雾锡，以减少晶须的形成。耐辐射 N 沟道 MOSFET 符合汽车标准 AEC-Q101，工作温度为 -40°C 至 +125°C。

耐辐射 -60 V P 沟道 MOSFET

英飞凌增强型商用功率 MOSFET 专为 2 至 5 年的 LEO 任务和星座而设计。这些产品具有 46 MeV∙cm²/mg 的 LET 抗单粒子效应 (SEE) 能力，可承受 30 krad (Si) 的总电离剂量。

P 沟道产品系列目前提供基于英飞凌大容量功率技术的耐辐射 MOSFET BUP06CP038F-01。这使其成为快速切换应用的理想选择。其电压等级为-60V，RDS (on)值为38mΩ。

该设备采用表面贴装 TO-252-3 塑料封装，支持轻松组装和回流焊接。此外，其引线镀有雾锡，以减少晶须的形成。

该耐辐射P沟道MOSFET根据AEC-Q101的相关测试符合空间应用的要求。其额定结温范围为 -55°C 至 +175°C。

英飞凌适用于低地球轨道应用和星座的抗辐射电源

英飞凌的 NewSpace 耐辐射电源解决方案专为低地球轨道 (LEO) 应用和星座而设计，非常适合五年以下的任务寿命。

英飞凌的 NewSpace 电源解决方案包括采用塑料封装的耐辐射 MOSFET，用于支持 LEO 卫星平台和有效载荷操作的重要功能。

英飞凌的耐辐射功率 FET 符合 AEC-Q101 标准的空间应用要求，基于我们增强的CoolMOS™技术和成熟的大批量产品工艺。

主要特性包括：

  • 塑料封装
  • 通过 AEC-Q101 认证
  • 总剂量30kRads(Si)
  • SEE 硬化至 46 MeV∙cm2/mg

目标应用

  • 电力调节装置
  • 配电装置
  • DC-DC变换器

联系英飞凌 HiRel 销售人员，了解有关我们的 NewSpace 抗辐射电源解决方案的更多信息。

耐辐射 60 V 和 150 V N 沟道 MOSFET

英飞凌增强型商用功率 MOSFET 专为 2 至 5 年的 LEO 任务和星座而设计。这些产品具有 46 MeV∙cm²/mg 的 LET 抗单粒子效应 (SEE) 能力，可承受 30 krad (Si) 的总电离剂量。

该产品系列基于独特的英飞凌CoolMOS™超结技术提供四种不同的 N 沟道 MOSFET。 这使得它们成为快速切换应用的理想选择。有两种电压选项：60 V 和 150 V，支持 LEO 卫星中使用的最常见的 28 V 和 54 V 总线电压。R DS(on)值范围从 15 mΩ 到 60 mΩ。

有两种塑料封装选项可供选择：表面贴装 TO-263 和通孔 TO-247。TO-263 支持简易组装和回流焊接，而 TO-247 可用于优化更高电流的冷却概念。

两种封装类型的引线均镀有雾锡，以减少晶须的形成。耐辐射 N 沟道 MOSFET 符合汽车标准 AEC-Q101，工作温度为 -40°C 至 +125°C。

耐辐射 -60 V P 沟道 MOSFET

英飞凌增强型商用功率 MOSFET 专为 2 至 5 年的 LEO 任务和星座而设计。这些产品具有 46 MeV∙cm²/mg 的 LET 抗单粒子效应 (SEE) 能力，可承受 30 krad (Si) 的总电离剂量。

P 沟道产品系列目前提供基于英飞凌大容量功率技术的耐辐射 MOSFET BUP06CP038F-01。这使其成为快速切换应用的理想选择。其电压等级为-60V，RDS (on)值为38mΩ。

该设备采用表面贴装 TO-252-3 塑料封装，支持轻松组装和回流焊接。此外，其引线镀有雾锡，以减少晶须的形成。

该耐辐射P沟道MOSFET根据AEC-Q101的相关测试符合空间应用的要求。其额定结温范围为 -55°C 至 +175°C。