SRAM（静态RAM）

业界最广泛的低功耗和高速 SRAM 产品组合，密度从 256 Kb 到 144 Mb 不等，具有稳定的供应和长期支持

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关于

关于 静态随机存取存储器 (SRAM)

SRAM 使用基于触发器的锁存电路来存储每个位。几乎所有的SRAM都使用4晶体管或6晶体管的存储单元。如果设备已通电，这些单元结构允许在设备中无限期地存储数据。

英飞凌的独立SRAM是一种随机存取存储器，可为您提供一种向应用程序添加更多RAM的简便方法。英飞凌为网络、汽车、消费电子、工业、医疗、航空航天和国防等各种应用提供各种高速、低功耗和可靠的 SRAM。凭借多元化的异步和同步SRAM产品组合，以及对稳定供应和长期产品支持的承诺，英飞凌是首选的SRAM供应商。这些设备的密度范围从 256 Kb 到 64 Mb 不等，并具有片上ECC。

根据与时钟同步的不同，SRAM 有两种不同的类型： 

在此处阅读有关同步 SRAM 的更多信息
在此处阅读有关异步 SRAM 的更多信息
异步 SRAM

英飞凌的异步SRAM存储器产品的密度从256 Kb到64 Mb不等，并根据其访问时间分为两个系列：

低功耗异步SRAM：这些设备通常在45 ns和较慢的速度范围内运行。这些 SRAM 通常设计为功耗非常低，用于以功率为主要考虑因素的应用。它们通常用于临时数据存储和便笺应用。英飞凌的MOBL™微功耗异步SRAM属于这个系列。

快速异步 SRAM：这些设备通常在低于 25 ns 的区域内运行。它们通常用于缓冲和缓存存储器应用程序。英飞凌提供带有 PowerSnooze 的快速SRAM，以提供将快速异步 SRAM 的访问时间与独特的超低功耗睡眠模式相结合的设备。

在此处阅读有关异步 SRAM 的更多信息
同步 SRAM

同步 SRAM 存储器产品的密度从 9 Mb 到 144 Mb 不等，并根据数据传输速率进行分类：

单数据速率 SRAM： 这些是同步 SRAM，在给定的时钟周期内，在 SRAM 和控制器之间传输一个字的数据。 其中包括英飞凌的流水线式 SRAM、涌流式 SRAM、突发 SRAM 和网络 SRAM — NoBL™ /ZBT™ SRAM。

双倍和四倍数据速率 SRAM：这些 SRAM可以在给定周期内传输多个数据字，旨在成为网络应用和数据存储应用的首选 SRAM，可提供高达 80 Gbps 的数据传输速率。DDR-II 和 DDR-II+ 使用通用数据总线接口在时钟上升和下降沿传输数据。QDR-II 和 QDR-II+ 使用两个独立的专用双数据速率总线接口。

在此处阅读有关同步 SRAM 的更多信息
纠错码-最低软错误率 < 0.1 fit/Mbit

借助片上硬件 ECC（纠错码），英飞凌的 SRAM 无需干预即可内联执行所有与 ECC 相关的功能。高能量的大气外界辐射可以翻转多个相邻位，导致多位错误。ECC 的单比特错误检测和校正功能由比特交错方案补充，以防止多位错误的发生。这些功能共同显著提高了软错误率 (SER) 性能，从而实现了业界领先的低于 0.1 FIT/Mb 的 FIT 率。

SRAM 与竞争对手的存储器设备对比

SRAM 不需要像 DRAM 那样定期刷新，因此性能更好。就DRAM而言，数据作为电荷存储在电容器中，但是这种电荷会随着时间的推移而泄漏并导致数据丢失。因此，必须定期刷新 DRAM 以保留存储的数据。这会对 DRAM 性能和功耗产生负面影响。 

因此，SRAM 通常也比 DRAM 更快，功耗也更低。

关于 静态随机存取存储器 (SRAM)

SRAM 使用基于触发器的锁存电路来存储每个位。几乎所有的SRAM都使用4晶体管或6晶体管的存储单元。如果设备已通电，这些单元结构允许在设备中无限期地存储数据。

英飞凌的独立SRAM是一种随机存取存储器，可为您提供一种向应用程序添加更多RAM的简便方法。英飞凌为网络、汽车、消费电子、工业、医疗、航空航天和国防等各种应用提供各种高速、低功耗和可靠的 SRAM。凭借多元化的异步和同步SRAM产品组合，以及对稳定供应和长期产品支持的承诺，英飞凌是首选的SRAM供应商。这些设备的密度范围从 256 Kb 到 64 Mb 不等，并具有片上ECC。

根据与时钟同步的不同，SRAM 有两种不同的类型： 

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异步 SRAM

英飞凌的异步SRAM存储器产品的密度从256 Kb到64 Mb不等，并根据其访问时间分为两个系列：

低功耗异步SRAM：这些设备通常在45 ns和较慢的速度范围内运行。这些 SRAM 通常设计为功耗非常低，用于以功率为主要考虑因素的应用。它们通常用于临时数据存储和便笺应用。英飞凌的MOBL™微功耗异步SRAM属于这个系列。

快速异步 SRAM：这些设备通常在低于 25 ns 的区域内运行。它们通常用于缓冲和缓存存储器应用程序。英飞凌提供带有 PowerSnooze 的快速SRAM，以提供将快速异步 SRAM 的访问时间与独特的超低功耗睡眠模式相结合的设备。

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同步 SRAM

同步 SRAM 存储器产品的密度从 9 Mb 到 144 Mb 不等，并根据数据传输速率进行分类：

单数据速率 SRAM： 这些是同步 SRAM，在给定的时钟周期内，在 SRAM 和控制器之间传输一个字的数据。 其中包括英飞凌的流水线式 SRAM、涌流式 SRAM、突发 SRAM 和网络 SRAM — NoBL™ /ZBT™ SRAM。

双倍和四倍数据速率 SRAM：这些 SRAM可以在给定周期内传输多个数据字，旨在成为网络应用和数据存储应用的首选 SRAM，可提供高达 80 Gbps 的数据传输速率。DDR-II 和 DDR-II+ 使用通用数据总线接口在时钟上升和下降沿传输数据。QDR-II 和 QDR-II+ 使用两个独立的专用双数据速率总线接口。

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纠错码-最低软错误率 < 0.1 fit/Mbit

借助片上硬件 ECC（纠错码），英飞凌的 SRAM 无需干预即可内联执行所有与 ECC 相关的功能。高能量的大气外界辐射可以翻转多个相邻位，导致多位错误。ECC 的单比特错误检测和校正功能由比特交错方案补充，以防止多位错误的发生。这些功能共同显著提高了软错误率 (SER) 性能，从而实现了业界领先的低于 0.1 FIT/Mb 的 FIT 率。

SRAM 与竞争对手的存储器设备对比

SRAM 不需要像 DRAM 那样定期刷新，因此性能更好。就DRAM而言，数据作为电荷存储在电容器中，但是这种电荷会随着时间的推移而泄漏并导致数据丢失。因此，必须定期刷新 DRAM 以保留存储的数据。这会对 DRAM 性能和功耗产生负面影响。 

因此，SRAM 通常也比 DRAM 更快，功耗也更低。

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