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CoolSiC™ 肖特基二极管 1200 V G5

第 5 代将效率和可靠性提升到了一个新的水平

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概述

目前，高效、紧凑、简单的三相逆变器系统受到硅器件在 1200 V 电压下工作时高动态损耗的限制。使用 600 V/650 V 器件的替代设计可部分提高效率。然而，它们的代价是更复杂的(三电平)拓扑结构、复杂的控制方案和更多的功率元件。

关键特性

  • 业界领先的正向压降
  • 无反向恢复电荷
  • 额定电流高达 40 A 的二极管
  • 出色的散热性能

产品系列对比

产品

关于

CoolSiC™ 肖特基二极管 1200 V 与 Si HighSpeed 3 IGBT 相结合

它将 Si IGBT 的导通损耗降低了 40%，并降低了 EMI。此外，与硅基解决方案相比，经过改进的热性能可将结温降低 15%，从而提高了系统可靠性，并有可能在特定外形尺寸下提高输出功率。

SiC 二极管的静态损耗往往限制了 Si IGBT/SiC 二极管解决方案的优化潜力。为了解决这个问题，第五代二极管降低了正向电压及其温度相关性，从而减少了静态损耗，进而提升了性价比。第五代产品主要用于太阳能逆变器、UPS 系统、电机驱动器和三相 SMPS。

CoolSiC™ 肖特基二极管 1200 V G5 的主要特点和优势

CoolSiC™肖特基二极管 1200 V G5 具有重要的关键特性，例如一流的正向电压、VF 的温和正温度依赖性、一流的浪涌电流能力以及高达 40 A 的出色热性能。

主要优点包括最高的系统效率、在低开关频率下提高的系统效率、在高开关频率下增加的功率密度、更高的系统可靠性以及降低的 EMI。

采用 D2PAK real2pin 的 1200 V SiC 肖特基二极管

紧凑型系统设计的发展趋势要求在使用小型器件封装的同时实现高效率。CoolSiC™肖特基二极管第五代 1200 V 现采用 D2PAK real2pin 封装，额定电流从 2 A 到 20 A。

例如，在三相转换系统中使用的维也纳整流器级或 PFC 升压级中， CoolSiC™二极管与 Si IGBT 或超结 MOSFET 结合使用，与次优 Si 二极管替代品相比，效率可提高 1%。 因此，PFC 和 DC-DC 级的输出功率可大幅提高 40% 或更多。除了可以忽略不计的开关损耗(SiC 肖特基二极管的标志性特征)之外，CoolSiC™ G5 产品还具有同类最佳的正向电压 (VF)、VF 随温度变化最小以及最高的浪涌电流能力。这一系列产品以极具吸引力的价格提供了市场领先的效率和更高的系统可靠性。

CoolSiC™ 肖特基二极管 1200 V 与 Si HighSpeed 3 IGBT 相结合

它将 Si IGBT 的导通损耗降低了 40%，并降低了 EMI。此外，与硅基解决方案相比，经过改进的热性能可将结温降低 15%，从而提高了系统可靠性，并有可能在特定外形尺寸下提高输出功率。

SiC 二极管的静态损耗往往限制了 Si IGBT/SiC 二极管解决方案的优化潜力。为了解决这个问题，第五代二极管降低了正向电压及其温度相关性，从而减少了静态损耗，进而提升了性价比。第五代产品主要用于太阳能逆变器、UPS 系统、电机驱动器和三相 SMPS。

CoolSiC™ 肖特基二极管 1200 V G5 的主要特点和优势

CoolSiC™肖特基二极管 1200 V G5 具有重要的关键特性，例如一流的正向电压、VF 的温和正温度依赖性、一流的浪涌电流能力以及高达 40 A 的出色热性能。

主要优点包括最高的系统效率、在低开关频率下提高的系统效率、在高开关频率下增加的功率密度、更高的系统可靠性以及降低的 EMI。

采用 D2PAK real2pin 的 1200 V SiC 肖特基二极管

紧凑型系统设计的发展趋势要求在使用小型器件封装的同时实现高效率。CoolSiC™肖特基二极管第五代 1200 V 现采用 D2PAK real2pin 封装，额定电流从 2 A 到 20 A。

例如，在三相转换系统中使用的维也纳整流器级或 PFC 升压级中， CoolSiC™二极管与 Si IGBT 或超结 MOSFET 结合使用，与次优 Si 二极管替代品相比，效率可提高 1%。 因此，PFC 和 DC-DC 级的输出功率可大幅提高 40% 或更多。除了可以忽略不计的开关损耗(SiC 肖特基二极管的标志性特征)之外，CoolSiC™ G5 产品还具有同类最佳的正向电压 (VF)、VF 随温度变化最小以及最高的浪涌电流能力。这一系列产品以极具吸引力的价格提供了市场领先的效率和更高的系统可靠性。

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