这是机器翻译的内容，点击这里了解更多

OptiMOS™ 和 StrongIRFET™ 最新封装

适用于电源、电池供电应用、逆变器和计算等应用的最新空间节省型高性能封装。

link

关于

Source-Down PQFN 创新封装

英飞凌推出了一款采用 Source-Down 技术的创新、改进型 PQFN 封装。这种新封装翻转了硅片在元件内的上下位置。使源极而非漏极通过导热垫连接到 PCB。

OptiMOS™功率 MOSFET 3.3x3.3 OptiMOS™ 功率 MOSFET 提供了 3.3 x 3.3 mm2 的 Source-Down 封装，在 25 V 至 150 V 范围内支持底部冷却（BSC）和双面冷却（DSC）技术。

Source-down PQFN 封装
TOLx 封装系列：英飞凌的 TOLL、TOLG 和 TOLT 型 MOSFET

英飞凌 TOLx MOSFET 封装系列能够满足三种不同设计需求。TOLL（无引线）封装针对大功率应用进行了优化。TOLG（带鸥翼的 TO 引线）经优化后具备更强的板载热循环 (TCoB) 稳健性。TOLT（顶部引线散热）经优化后具备卓越的散热性能。

OptiMOS™ TOLx 封装系列
DirectFET™ 封装：带来更高的功率，具备更强的散热性能

英飞凌提供 DirectFET™ 封装等创新型封装。DirectFET™ 具备最低的寄生电阻，专为高频应用而设计。DirectFET™ 具有独特的简洁结构，在裸片封装电阻、封装寄生电感和散热能力方面取得了突破。

该封装有三种不同的尺寸：小号、中号和大号。

DirectFET™
20-300 V 的 OptiMOS™ 和 StrongIRFET™ 功率 MOSFET

英飞凌的半导体旨在带来更高的效率、功率密度和成本效益。全系列 OptiMOS™ 和 StrongIRFET™ 功率 MOSFET 为开关模式电源 (SMPS)、电池供电应用、电机控制、驱动器、变频器和计算等应用带来了创新和高性能。

在导通电阻 (RDS(on)) 和优越性能系数 (FOM) 等关键的电源系统设计上，英飞凌推出高度创新的 OptiMOS™ 和 StrongIRFET™ 系列产品，坚持实现最高质量和最优性能。

OptiMOS™ 功率 MOSFET 提供一流的性能，其特性包括具备超低 RDS (on)，以及适用于高开关频率应用的低电荷。StrongIRFET™ 功率 MOSFET 专为驱动应用而设计，非常适合开关频率较低以及需要大电流承载能力的设计。

Source-Down PQFN 创新封装

英飞凌推出了一款采用 Source-Down 技术的创新、改进型 PQFN 封装。这种新封装翻转了硅片在元件内的上下位置。使源极而非漏极通过导热垫连接到 PCB。

OptiMOS™功率 MOSFET 3.3x3.3 OptiMOS™ 功率 MOSFET 提供了 3.3 x 3.3 mm2 的 Source-Down 封装，在 25 V 至 150 V 范围内支持底部冷却（BSC）和双面冷却（DSC）技术。

Source-down PQFN 封装

TOLx 封装系列：英飞凌的 TOLL、TOLG 和 TOLT 型 MOSFET

英飞凌 TOLx MOSFET 封装系列能够满足三种不同设计需求。TOLL（无引线）封装针对大功率应用进行了优化。TOLG（带鸥翼的 TO 引线）经优化后具备更强的板载热循环 (TCoB) 稳健性。TOLT（顶部引线散热）经优化后具备卓越的散热性能。

OptiMOS™ TOLx 封装系列

DirectFET™ 封装：带来更高的功率，具备更强的散热性能

英飞凌提供 DirectFET™ 封装等创新型封装。DirectFET™ 具备最低的寄生电阻，专为高频应用而设计。DirectFET™ 具有独特的简洁结构，在裸片封装电阻、封装寄生电感和散热能力方面取得了突破。

该封装有三种不同的尺寸：小号、中号和大号。

DirectFET™

20-300 V 的 OptiMOS™ 和 StrongIRFET™ 功率 MOSFET

英飞凌的半导体旨在带来更高的效率、功率密度和成本效益。全系列 OptiMOS™ 和 StrongIRFET™ 功率 MOSFET 为开关模式电源 (SMPS)、电池供电应用、电机控制、驱动器、变频器和计算等应用带来了创新和高性能。

在导通电阻 (RDS(on)) 和优越性能系数 (FOM) 等关键的电源系统设计上，英飞凌推出高度创新的 OptiMOS™ 和 StrongIRFET™ 系列产品，坚持实现最高质量和最优性能。

OptiMOS™ 功率 MOSFET 提供一流的性能，其特性包括具备超低 RDS (on)，以及适用于高开关频率应用的低电荷。StrongIRFET™ 功率 MOSFET 专为驱动应用而设计，非常适合开关频率较低以及需要大电流承载能力的设计。

文档

文档