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SuperSO8 DSC – 双面冷却 PQFN 5x6 封装

SuperSO8 DSC 封装的 OptiMOS™ 功率 MOSFET，耐压范围为 40 - 150 V，可以实现双面冷却（DSC），热性能更强

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概述

采用 SuperSO8 DSC（双面冷却）封装的 40 V OptiMOS™ 6 功率 MOSFET 和 40 - 150 V OptiMOS™ 5 功率MOSFET，具有行业标准封装，拥有双面冷却解决方案的所有热管理优势。

关键特性

  • 高性能硅技术
  • Low topside RthJC (0.72 K/W)
  • Package rated to Tjmax=175º C
  • 符合行业标准的封装
  • 与 PQFN 5x6 兼容

产品

关于

使用 SuperSO8 DSC 实现更高的散热性能

使用底部冷却解决方案（例如 superSO8、PQFN 5x6）时，MOSFET 产生的大部分热量都会传递到 PCB，这会因其热阻差而提高 PCB 的温度。双面冷却解决方案增加了另一条散热路径（底部通过PCB + 顶部通过裸露的金属片和散热器），以散发 MOSFET 产生的热量。

MOSFET产生的热量中，约有30％通过顶部传输，从而减少了传递到PCB的热量。这样可以提高PCB的可靠性，因为它在相同的功耗下运行温度更低，或者通过MOSFET处理更多的功率来实现更高的功率密度。

增加功率密度

随着 AC- DC 以及 DC- DC 变换器对功率密度要求的提高，封装的作用正在发生变化，从主要用于保护硅晶元的被动式纯封装，转变为助力新产品进一步优化的更积极的作用。事实上， 有两种方式可以提高功率密度：第一种选择是使用新的硅技术，实现更低的单位面积 RDS(on) 和更好的品质因数（FOM），从而降低功率损耗。另一种选择是提高从器件本身的散热能力。在这种情况下，封装技术起着至关重要的作用。

SuperSO8 DSC 系列的 MOSFET 既有新硅技术，又有改进的散热性能。

40- 150 V OptiMOS™ 功率 MOSFET

SuperSO8 DSC 封装提供更低的传导和开关损耗，从而实现：

  • 更高的系统效率
  • 高功率处理能力
  • 更高的功率密度设计
  • 提高了可靠性
  • 更长的使用寿命

该封装可以直接替代 SuperSO8 和 PQFN 5x6 封装，因无需更改 PCB 布局而使其成为易于设计的解决方案。

使用 SuperSO8 DSC 实现更高的散热性能

使用底部冷却解决方案（例如 superSO8、PQFN 5x6）时，MOSFET 产生的大部分热量都会传递到 PCB，这会因其热阻差而提高 PCB 的温度。双面冷却解决方案增加了另一条散热路径（底部通过PCB + 顶部通过裸露的金属片和散热器），以散发 MOSFET 产生的热量。

MOSFET产生的热量中，约有30％通过顶部传输，从而减少了传递到PCB的热量。这样可以提高PCB的可靠性，因为它在相同的功耗下运行温度更低，或者通过MOSFET处理更多的功率来实现更高的功率密度。

增加功率密度

随着 AC- DC 以及 DC- DC 变换器对功率密度要求的提高，封装的作用正在发生变化，从主要用于保护硅晶元的被动式纯封装，转变为助力新产品进一步优化的更积极的作用。事实上， 有两种方式可以提高功率密度：第一种选择是使用新的硅技术，实现更低的单位面积 RDS(on) 和更好的品质因数（FOM），从而降低功率损耗。另一种选择是提高从器件本身的散热能力。在这种情况下，封装技术起着至关重要的作用。

SuperSO8 DSC 系列的 MOSFET 既有新硅技术，又有改进的散热性能。

40- 150 V OptiMOS™ 功率 MOSFET

SuperSO8 DSC 封装提供更低的传导和开关损耗，从而实现：

  • 更高的系统效率
  • 高功率处理能力
  • 更高的功率密度设计
  • 提高了可靠性
  • 更长的使用寿命

该封装可以直接替代 SuperSO8 和 PQFN 5x6 封装，因无需更改 PCB 布局而使其成为易于设计的解决方案。

文档

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