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中压GaN双向开关

CoolGaN ™ BDS 40 V G3 - 基于 GaN 技术的单片双向开关

概述

CoolGaN ™ BDS 40 V G3 产品系列包括基于英飞凌氮化镓技术的单片双向开关 (BDS)。该器件为常闭型，具有单个肖特基栅极 (SG)，能够阻断两个方向的电压和电流。该产品采用极小的封装，非常适合在各种应用中用作电池断路开关。

关键特性

  • CoolGaN ™ BDS 40 V G3 系列
  • 常闭双向开关
  • 漏极到漏极配置
  • 双向电压阻断
  • 低栅极电荷，低输出电荷

产品

关于

CoolGaN ™ BDS 40 V G3 产品的主要优势之一在于其设计，它在单个设备中集成了两个开关。与背靠背开关（通常由两个串联的独立开关组成）相比，这种集成可以实现更紧凑、更高效的设计。CoolGaN ™ BDS MV 可以减少整体元件数量，从而提高可靠性并减少电路板空间要求。

在智能手机中，CoolGaN ™ BDS 40 V G3 设备用作过压保护 (OVP) 开关，具有更小的尺寸、更低的功率损耗和更低的成本。这些部件在开启状态下允许双向电流流动，在关闭状态下提供双向电流和电压阻断。这些器件采用更小的封装，并且由于无需串联 MOSFET 器件，因此显著降低了功率损耗。

CoolGaN ™ BDS 40 V G3 器件用作高端负载开关，具有更小的尺寸、更低的功率损耗和更低的成本。这些部件在开启状态下允许双向电流流动，在关闭状态下提供双向电流和电压阻断。此外，它们可以由英飞凌的 EZ-PD ™ CCGx 和 EZ-PD ™ PMGx 控制器驱动。这些器件采用更小的封装，并且由于无需串联 MOSFET 器件，因此显著降低了功率损耗。

CoolGaN™ ——为消费、工业和汽车应用提供高效率以及高功率密度的分立和集成解决方案如果您对我们的 CoolGaN ™产品和解决方案感兴趣，请随时联系我们的 GaN 专家。

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CoolGaN ™ BDS 40 V G3 产品的主要优势之一在于其设计，它在单个设备中集成了两个开关。与背靠背开关（通常由两个串联的独立开关组成）相比，这种集成可以实现更紧凑、更高效的设计。CoolGaN ™ BDS MV 可以减少整体元件数量，从而提高可靠性并减少电路板空间要求。

在智能手机中，CoolGaN ™ BDS 40 V G3 设备用作过压保护 (OVP) 开关，具有更小的尺寸、更低的功率损耗和更低的成本。这些部件在开启状态下允许双向电流流动，在关闭状态下提供双向电流和电压阻断。这些器件采用更小的封装，并且由于无需串联 MOSFET 器件，因此显著降低了功率损耗。

CoolGaN ™ BDS 40 V G3 器件用作高端负载开关，具有更小的尺寸、更低的功率损耗和更低的成本。这些部件在开启状态下允许双向电流流动，在关闭状态下提供双向电流和电压阻断。此外，它们可以由英飞凌的 EZ-PD ™ CCGx 和 EZ-PD ™ PMGx 控制器驱动。这些器件采用更小的封装，并且由于无需串联 MOSFET 器件，因此显著降低了功率损耗。

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