AI加速卡

Design efficient AI accelerator cards and high-current AI chips using Infineon’s low-voltage DC-DC processor power solutions for heavy AI workloads

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概述

Infineon's low-voltage DC-DC processor power solutions for AI accelerator cards provide high power conversion efficiency, fast transient response, and precise telemetry. This lets you design AI chips with superior system performance and optimized resource utilization under heavy AI workloads. By utilizing advanced TLVR topologies and integrated modules, Infineon solutions enhance thermal management and reduce board footprint for modern AI accelerator cards.

产品优势

  • Peak power conversion efficiency
  • Fast transient response
  • Accurate telemetry reporting
  • Lower capacitor count with TLVR
  • Long-term system reliability
  • Space-efficient power designs
  • Industry-leading performance
  • Reduced TCO for AI data centers

框图

关于

关于 AI 加速卡低压 DC-DC 处理器电源解决方案

AI 加速器卡是一种硬件组件，旨在加速复杂的 AI 工作负载，并以卓越的速度和效率提供计算性能。

英飞凌为AI加速卡应用提供全功率解决方案。我们将 48 V 配电解决方案与采用跨电感稳压器 （TLVR） 拓扑的同类最佳通用尺寸 XDP™ 数字多相控制器和 OptiMOS™ 功率级相结合，通过降低输出电容、成本和节省 PCB 空间，为大电流 SoC 或 AI 芯片提供行业领先的电源性能。

探索 48 V 配电产品
网络研讨会：48 V 至核心优化

利用 TLVR 解决多相低压直流-直流处理器电源应用中的 PDN 问题

在要求多相降压转换器具有高 di/dt 负载阶跃、同时具有严格的输出电压偏差规范的应用中，供电网络 (PDN) 在满足偏差规范方面起着至关重要的作用。 TLVR 不是将多相 VR 物理移动到靠近负载的地方，而是使用匝数比为 1:1 的变压器来代替传统的功率电感器。 这种架构有多种优点，几乎没有缺点。 下载应用手册或观看我们的摘要视频，了解英飞凌 TLVR 解决方案如何减少 PDN 在多相VR 应用中的缺点，以及它为要求电流为 200 A 至 1000 A 且具有高动态内容的多相 VR 应用带来了哪些优势。

电流密度最高的双相电源模块

英飞凌正在利用其第二代 DC-DC 电源模块 TDM2354xD 和 TDM2354xT OptiMOS 双相电源模块来满足生成式人工智能工厂不断升级的电源要求。这些 160 A 模块专为垂直功率传输 (VPD) 而设计，以其出色的电流密度、电气和热效率为行业树立了新标准。


紧凑高效的设计

TDM2354xD 和 TDM2354xT OptiMOS 双相电源模块采用高度集成的设计，在单个基板上集成了两个 OptiMOS 6 功率级、电感器和电容器。这种创新方案可实现多相降压调节器两相电路的部署，且占用空间大幅缩减——相比同等分立方案面积缩小40%。通过最大限度地减少电力传输所需的面积，这些模块有助于优化人工智能系统的整体设计和效率。


专有设计，提高性能

英飞凌的双相电源模块采用了专有的顶部电感器设计，从而提高了热性能和电气性能。这种设计可在人工智能工厂应用中实现卓越的能效，是数据中心和其他高性能计算环境的理想解决方案。


用于人工智能数据中心的高性能电源模块

英飞凌的OptiMOS™ TDM2454xx 四相电源模块旨在满足 AI 数据中心的高功率需求，提供 280 A 的峰值电流。这些模块拥有业界最佳的 2.0 A/mm2 功率密度，可在紧凑的 10x9x5 毫米封装中实现真正的垂直电力输送 (VPD)。


TDM2454xx系列模块具备行业领先的功率密度，采用专有磁学技术实现薄型VPD设计，且封装尺寸经过优化，适用于模块阵列拼接布局。它们还采用了英飞凌强大的 OptiMOS 6 沟道技术和芯片嵌入式封装，从而提高了电气和热效率。

探索OptiMOS™高密度功率模块
电压调节模块路线图

关于 AI 加速卡低压 DC-DC 处理器电源解决方案

AI 加速器卡是一种硬件组件，旨在加速复杂的 AI 工作负载，并以卓越的速度和效率提供计算性能。

英飞凌为AI加速卡应用提供全功率解决方案。我们将 48 V 配电解决方案与采用跨电感稳压器 （TLVR） 拓扑的同类最佳通用尺寸 XDP™ 数字多相控制器和 OptiMOS™ 功率级相结合，通过降低输出电容、成本和节省 PCB 空间，为大电流 SoC 或 AI 芯片提供行业领先的电源性能。

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网络研讨会：48 V 至核心优化

利用 TLVR 解决多相低压直流-直流处理器电源应用中的 PDN 问题

在要求多相降压转换器具有高 di/dt 负载阶跃、同时具有严格的输出电压偏差规范的应用中，供电网络 (PDN) 在满足偏差规范方面起着至关重要的作用。 TLVR 不是将多相 VR 物理移动到靠近负载的地方，而是使用匝数比为 1:1 的变压器来代替传统的功率电感器。 这种架构有多种优点，几乎没有缺点。 下载应用手册或观看我们的摘要视频，了解英飞凌 TLVR 解决方案如何减少 PDN 在多相VR 应用中的缺点，以及它为要求电流为 200 A 至 1000 A 且具有高动态内容的多相 VR 应用带来了哪些优势。

电流密度最高的双相电源模块

英飞凌正在利用其第二代 DC-DC 电源模块 TDM2354xD 和 TDM2354xT OptiMOS 双相电源模块来满足生成式人工智能工厂不断升级的电源要求。这些 160 A 模块专为垂直功率传输 (VPD) 而设计，以其出色的电流密度、电气和热效率为行业树立了新标准。


紧凑高效的设计

TDM2354xD 和 TDM2354xT OptiMOS 双相电源模块采用高度集成的设计，在单个基板上集成了两个 OptiMOS 6 功率级、电感器和电容器。这种创新方案可实现多相降压调节器两相电路的部署，且占用空间大幅缩减——相比同等分立方案面积缩小40%。通过最大限度地减少电力传输所需的面积，这些模块有助于优化人工智能系统的整体设计和效率。


专有设计，提高性能

英飞凌的双相电源模块采用了专有的顶部电感器设计，从而提高了热性能和电气性能。这种设计可在人工智能工厂应用中实现卓越的能效，是数据中心和其他高性能计算环境的理想解决方案。


用于人工智能数据中心的高性能电源模块

英飞凌的OptiMOS™ TDM2454xx 四相电源模块旨在满足 AI 数据中心的高功率需求，提供 280 A 的峰值电流。这些模块拥有业界最佳的 2.0 A/mm2 功率密度，可在紧凑的 10x9x5 毫米封装中实现真正的垂直电力输送 (VPD)。


TDM2454xx系列模块具备行业领先的功率密度，采用专有磁学技术实现薄型VPD设计，且封装尺寸经过优化，适用于模块阵列拼接布局。它们还采用了英飞凌强大的 OptiMOS 6 沟道技术和芯片嵌入式封装，从而提高了电气和热效率。

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