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光耦隔离器

PVI-用于太阳能电池板的隔离器

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概述

我们的光耦隔离器 (PVI) 提供单通道和双通道光隔离输出, 可用于直接驱动分立功率 MOSFET 和/或 IGBT 的栅极。这一系列器件使设计人员能够灵活地创建定制固态继电器,从而控制超过 1000 V 和 100 A 的负载。

关键特性

  • 低功耗
  • 不产生电弧
  • 稳定的接触电阻
  • 位置不敏感

产品

关于

PVI 系列光耦隔离器采用快速关断电路。与传统的 MOSFET 或 IGBT 驱动器不同,输出端不需要电源。双通道 PVI 可驱动独立的功率 MOSFET,或为 IGBT 提供更高的电压驱动。

PVI 使用单片集成电路光电发生器作为其输出。输出由 GaAlAs 发光二极管 (LED) 的光辐射控制,该 LED 与光电发生器在光学上是隔离的。PVI 系列非常适合需要在低电平驱动电路和高能量或高电压负载电路之间实现光学隔离的大电流和/或高电压开关应用。它可用于直接驱动功率MOSFET的栅极。双通道 PVI 可驱动独立的功率 MOSFET 或为 IGBT 提供更高的电压驱动。PVI 系列光耦隔离器采用快速关断电路。与传统的 MOSFET 或 IGBT 驱动器不同,输出端不需要电源。

光耦隔离器的重要关键特性,例如单路 A型(单通道,常开)和双路 A型(双通道,常开)、集成的快速关断电路、采用 DIP8 和 SMT8 封装的紧凑型解决方案、高达 4 kV rms 的输入输出隔离、双通道版本的 1200 V (DC) 输出到输出隔离、双通道配置允许其输出驱动独立功率 MOSFET,或者并联或串联为功率 MOSFET 提供更高的驱动电流,或为IGBT提供更高的驱动电压,且输出端无需电源。

PVI 系列光耦隔离器采用快速关断电路。与传统的 MOSFET 或 IGBT 驱动器不同,输出端不需要电源。双通道 PVI 可驱动独立的功率 MOSFET,或为 IGBT 提供更高的电压驱动。

PVI 使用单片集成电路光电发生器作为其输出。输出由 GaAlAs 发光二极管 (LED) 的光辐射控制,该 LED 与光电发生器在光学上是隔离的。PVI 系列非常适合需要在低电平驱动电路和高能量或高电压负载电路之间实现光学隔离的大电流和/或高电压开关应用。它可用于直接驱动功率MOSFET的栅极。双通道 PVI 可驱动独立的功率 MOSFET 或为 IGBT 提供更高的电压驱动。PVI 系列光耦隔离器采用快速关断电路。与传统的 MOSFET 或 IGBT 驱动器不同,输出端不需要电源。

光耦隔离器的重要关键特性,例如单路 A型(单通道,常开)和双路 A型(双通道,常开)、集成的快速关断电路、采用 DIP8 和 SMT8 封装的紧凑型解决方案、高达 4 kV rms 的输入输出隔离、双通道版本的 1200 V (DC) 输出到输出隔离、双通道配置允许其输出驱动独立功率 MOSFET,或者并联或串联为功率 MOSFET 提供更高的驱动电流,或为IGBT提供更高的驱动电压,且输出端无需电源。

文档

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