GaN EiceDRIVER™高速栅极驱动器

体验用于 MOSFET、IGBT、SiC MOSFET 和 GaN HEMT 的 EiceDRIVER™ 栅极驱动器 IC 的与众不同之处

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关于

EiceDRIVER™ 栅极驱动器 IC 产品组合概述

栅极驱动器 IC 可实现 IGBT、Si MOSFET、SiC MOSFET 和 GaN HEMT 的高效开关和保护，应用领域包括工业驱动器、可再生能源系统、电动汽车充电基础设施、汽车电子、人工智能数据中心、电源和家用电器。

为什么选择英飞凌栅极驱动集成电路？

英飞凌的 EiceDRIVER™ 栅极驱动器 IC 产品组合支持 0.1 A 至 18 A 的输出电流和高达 2500 V 的工作电压。这些解决方案专为汽车、工业和消费电子应用而设计，集成了先进的保护功能，可降低设计复杂性、提高可靠性并加快开发速度。

主要优势：

  • 数十年来，我们在无芯变压器 (CT)、绝缘体上硅 (SOI)、结隔离 (JI) 和非隔离 (N-ISO) 技术方面积累了丰富的栅极驱动器专业知识和市场验证的解决方案。
  • 针对 CoolSiC™ MOSFET 和 CoolGaN™ HEMT 进行了优化，以最大限度地提高开关性能、效率和系统可靠性。
  • 提供符合 AEC-Q100 标准的汽车级解决方案，并支持面向 ASIL 的功能安全设计。
  • 完善的设计生态系统——评估板、参考设计、应用笔记、仿真模型和其他设计资源有助于加速开发。

通过以下方式探索 EiceDRIVER™ 产品组合：

  • 拓扑结构：高侧、低侧、半桥、三相及其他驱动解决方案，包括隔离式闸门驱动器、变压器驱动器和电机闸门驱动器。
  • 功率器件： IGBT、Si MOSFET、SiC MOSFET 和 GaN HEMT。
  • 技术：无芯变压器、SOI、JI 和非隔离栅极驱动器技术。
  • 应用领域：汽车、工业和消费系统。

高侧、低侧、半桥、三相及其他栅极驱动器集成电路

  • 高边栅极驱动器 IC ：高侧栅极驱动器通常是单通道解决方案，用于驱动浮动、开关节点参考的功率开关。它们有电平转换和隔离式两种架构，常用于电源、电动汽车充电、可再生能源和工业电源转换系统。
  • 低侧栅极驱动器 IC ：低侧栅极驱动器通常是用于驱动接地参考功率开关的单通道或双通道解决方案。它们为电源、电机控制和工业应用（包括变压器驱动器接口 (TDI) 解决方案）提供强大的高电流栅极驱动能力。
  • 半桥栅极驱动器 IC ：半桥栅极驱动器将高侧驱动器和低侧驱动器集成在一个封装中，具有协调的定时和互锁功能，简化了半桥功率级的控制。这些器件基于英飞凌的SOI和JI技术制造，广泛应用于电机驱动、电动汽车充电、可再生能源和电源应用。
  • 三相栅极驱动器 IC ：三相栅极驱动器集成了多个驱动通道，用于控制完整的三相逆变器级。它们简化了机器人、工业自动化、家用电器、暖通空调系统和电池供电应用中的电机控制设计。
  • 其他栅极驱动器 IC ：专用栅极驱动器解决方案可满足需要电气隔离、隔离偏置电源生成或汽车电机控制功能的应用。
    了解更多： →隔离式栅极驱动器 IC →变压器驱动器 IC → MOTIX™电机栅极驱动器 IC

用于SiC MOSFET和GaN开关的栅极驱动解决方案

  • 用于SiC MOSFET的栅极驱动IC
     CoolSiC™ MOSFET 得益于EiceDRIVER™隔离式栅极驱动器，具有高 CMTI、有源米勒钳位功能、宽输出侧电源范围和电气隔离。 这些特性有助于最大限度地提高效率，同时确保在高压应用中稳定运行。
    了解更多 →用于 SiC MOSFET 的栅极驱动 IC
  • 用于GaN HEMT的栅极驱动器IC
     CoolGaN ™器件和EiceDRIVER™栅极驱动器 IC 旨在协同工作，以实现高效率和高功率密度。 优化的解决方案同时支持 GaN GIT 和肖特基栅 HEMT，同时最大限度地减少设计工作量并加快开发速度。
    了解更多 → GaN HEMT 栅极驱动器 IC

无芯变压器、SOI、JI 和非隔离技术

  • 无芯变压器技术 -无芯变压器技术可实现电气隔离，具有优异的共模瞬态抗扰度 (CMTI)、快速信号传输以及在高压环境下的稳健运行。该技术特别适用于对抗噪声性和开关性能要求极高的先进 SiC MOSFET 和 GaN HEMT 应用。
    相关产品系列：隔离式栅极驱动器IC 、变压器驱动器IC
  • 绝缘体上硅 (SOI) 技术——英飞凌的 SOI 技术在严苛的工业和汽车应用中提供出色的抗噪声能力、高压鲁棒性和可靠运行。SOI 技术可实现先进的高侧和半桥栅极驱动器架构，并支持集成电平转换功能，从而实现高效的高压开关控制。
  • 结隔离 (JI) 技术-英飞凌成熟的结隔离 (JI) 技术可在广泛的栅极驱动器解决方案组合中提供可靠的高压性能和经济高效的集成。JI 技术支持稳健的电平转换实现，同时为工业和消费应用提供卓越的长期可靠性。
  • 非隔离栅极驱动器技术——非隔离栅极驱动器技术为许多不需要电气隔离的功率转换应用提供了一种紧凑、经济高效的解决方案。这些解决方案提供快速的切换性能、低传播延迟和简化的系统实现，同时支持各种拓扑结构。
    相关产品系列：低侧栅极驱动器集成电路

 

为汽车、工业和消费电子应用找到合适的栅极驱动器 IC

EiceDRIVER™栅极驱动器 IC支持汽车、工业和消费市场的各种电源转换和电机控制应用，为 IGBT、Si MOSFET、 CoolSiC™ MOSFET 和 CoolGaN ™ HEMT 提供针对多种电压等级、隔离级别和栅极驱动架构的优化解决方案。
 

EiceDRIVER™ 闸流驱动器特点：保护、控制和可靠性

英飞凌的 EiceDRIVER™ 栅极驱动器 IC 产品组合集成了先进的保护、控制和监控功能，旨在提高系统可靠性、简化设计并优化开关性能。这些特性适用于隔离式和非隔离式架构，支持从家用电器、电机驱动、工业自动化、电动汽车充电、可再生能源系统、人工智能数据中心、开关电源和固态变压器等各种应用。

关键栅极驱动IC选择参数

选择合适的栅极驱动器 IC 取决于功率器件、电压等级、开关速度和隔离要求。EiceDRIVER™ 产品组合支持 0.1 A 至 18 A 的输出电流，以及适用于 IGBT、Si MOSFET、CoolSiC™ MOSFET 和 CoolGaN™ HEMT 的各种拓扑结构、隔离级别和电压等级。

  • 功率器件：被驱动的功率开关通常是栅极驱动器选择的起点。不同的器件技术需要不同的栅极电压、时序特性和保护功能。典型选项包括 IGBT、Si MOSFET、CoolSiC™ MOSFET、CoolGaN™ HEMT。
  • 输出电流：决定栅极电容充电和放电的速度。更高的驱动电流通常能够实现更快的开关速度和更低的开关损耗。
    EiceDRIVER™产品组合： 0.1 A至18 A。
  • 隔离类型：隔离将低压控制器与高压功率级分开。它会影响安全要求、抗噪性和认证需求。常见的选项有：非隔离式、功能隔离式、基本隔离式和加强隔离式。
  • 栅极驱动器电压等级：电压等级定义了栅极驱动器架构支持的最大工作电压。选择合适的电压等级有助于确保与目标功率级的兼容性，从低压电机驱动器到高压工业、可再生能源和电动汽车系统。
  • 传播延迟：传播延迟是指控制器输入信号与相应的门驱动器输出转换之间的时间。更低且更匹配的延迟有助于提高半桥和三相逆变器系统的开关性能。
  • 需要考虑的其他参数：根据应用的不同，设计人员可能还会评估通道数、栅极电源电压范围、封装类型和爬电距离、汽车认证（AEC-Q100）、功能安全要求、保护功能（如 DESAT、有源米勒钳位、软关断和两级翻转 (2LTO)）。

通过比较功率器件类型、电压等级、隔离类型、输出电流、通道数、栅极电源电压、栅极电阻、开关频率、保护功能、封装类型、汽车认证等，找到合适的EiceDRIVER™解决方案。

使用栅极驱动器查找器比较器件

评估板、参考设计、选型指南和设计工具

英飞凌提供全面的设计资源生态系统，帮助工程师评估、选择、模拟和实施 EiceDRIVER™ 栅极驱动器解决方案。从产品选择工具和评估板到仿真平台和参考设计，这些资源有助于加快开发速度并降低设计风险。

  • 栅极驱动器查找器：按拓扑结构、隔离级别、输出电流、额定电压、封装类型和保护功能筛选和比较EiceDRIVER™栅极驱动器 IC。
  • EiceDRIVER™产品选择指南：比较EiceDRIVER™产品组合在电压等级、通道数、拓扑结构、保护功能和应用重点领域的差异。
  • 交叉参考工具：识别英飞凌现有栅极驱动器设计的替代方案和第二来源选项。
  • IPOSIM ：利用英飞凌功率半导体和栅极驱动器解决方案模拟开关损耗、热行为和系统效率。

特色评估委员会

特色栅极驱动器评估板和人工智能服务器及数据中心的参考设计。

  • 基于80 V OptiMOS™ MOSFET和120 V栅极驱动器2EDL900G3（内置电流检测放大器）的降压转换器拓扑评估板。
  • EVAL-2ED3146MC12L ：2ED314xMC12L 评估板 - 6.5 A，5.7 kV (rms) 双通道隔离栅极驱动器，带死区时间控制。
  • 2EDF7268G 评估板 —— 紧凑型 1500 Vrms 双通道隔离栅极驱动器，采用带散热焊盘的 4×4 14 引脚 VSON 封装
  • EVAL-1ED3330MC12M-SiC ：1ED3142MC12H 评估板 - 6.5 A，5.7 kV (rms) 单通道隔离栅极驱动器，具有独立输出，12.5 V UVLO。
  • EVAL-2ED130R-PR ：2EP1xxR 评估板 - 5V，20W 全功率 用于隔离式栅极驱动器电源的桥式变压器集成电路 - 具有双输出峰值 纠正。
  • EVAL_2EDB_HB_GAN ：CoolGaN ™晶体管半桥评估 带有EiceDRIVER™ 2EDB8259Y电路板。

EiceDRIVER™ 栅极驱动器 IC 产品组合概述

栅极驱动器 IC 可实现 IGBT、Si MOSFET、SiC MOSFET 和 GaN HEMT 的高效开关和保护，应用领域包括工业驱动器、可再生能源系统、电动汽车充电基础设施、汽车电子、人工智能数据中心、电源和家用电器。

为什么选择英飞凌栅极驱动集成电路？

英飞凌的 EiceDRIVER™ 栅极驱动器 IC 产品组合支持 0.1 A 至 18 A 的输出电流和高达 2500 V 的工作电压。这些解决方案专为汽车、工业和消费电子应用而设计，集成了先进的保护功能，可降低设计复杂性、提高可靠性并加快开发速度。

主要优势：

  • 数十年来，我们在无芯变压器 (CT)、绝缘体上硅 (SOI)、结隔离 (JI) 和非隔离 (N-ISO) 技术方面积累了丰富的栅极驱动器专业知识和市场验证的解决方案。
  • 针对 CoolSiC™ MOSFET 和 CoolGaN™ HEMT 进行了优化，以最大限度地提高开关性能、效率和系统可靠性。
  • 提供符合 AEC-Q100 标准的汽车级解决方案，并支持面向 ASIL 的功能安全设计。
  • 完善的设计生态系统——评估板、参考设计、应用笔记、仿真模型和其他设计资源有助于加速开发。

通过以下方式探索 EiceDRIVER™ 产品组合：

  • 拓扑结构：高侧、低侧、半桥、三相及其他驱动解决方案，包括隔离式闸门驱动器、变压器驱动器和电机闸门驱动器。
  • 功率器件： IGBT、Si MOSFET、SiC MOSFET 和 GaN HEMT。
  • 技术：无芯变压器、SOI、JI 和非隔离栅极驱动器技术。
  • 应用领域：汽车、工业和消费系统。

高侧、低侧、半桥、三相及其他栅极驱动器集成电路

  • 高边栅极驱动器 IC ：高侧栅极驱动器通常是单通道解决方案，用于驱动浮动、开关节点参考的功率开关。它们有电平转换和隔离式两种架构，常用于电源、电动汽车充电、可再生能源和工业电源转换系统。
  • 低侧栅极驱动器 IC ：低侧栅极驱动器通常是用于驱动接地参考功率开关的单通道或双通道解决方案。它们为电源、电机控制和工业应用（包括变压器驱动器接口 (TDI) 解决方案）提供强大的高电流栅极驱动能力。
  • 半桥栅极驱动器 IC ：半桥栅极驱动器将高侧驱动器和低侧驱动器集成在一个封装中，具有协调的定时和互锁功能，简化了半桥功率级的控制。这些器件基于英飞凌的SOI和JI技术制造，广泛应用于电机驱动、电动汽车充电、可再生能源和电源应用。
  • 三相栅极驱动器 IC ：三相栅极驱动器集成了多个驱动通道，用于控制完整的三相逆变器级。它们简化了机器人、工业自动化、家用电器、暖通空调系统和电池供电应用中的电机控制设计。
  • 其他栅极驱动器 IC ：专用栅极驱动器解决方案可满足需要电气隔离、隔离偏置电源生成或汽车电机控制功能的应用。
    了解更多： →隔离式栅极驱动器 IC →变压器驱动器 IC → MOTIX™电机栅极驱动器 IC

用于SiC MOSFET和GaN开关的栅极驱动解决方案

  • 用于SiC MOSFET的栅极驱动IC
     CoolSiC™ MOSFET 得益于EiceDRIVER™隔离式栅极驱动器，具有高 CMTI、有源米勒钳位功能、宽输出侧电源范围和电气隔离。 这些特性有助于最大限度地提高效率，同时确保在高压应用中稳定运行。
    了解更多 →用于 SiC MOSFET 的栅极驱动 IC
  • 用于GaN HEMT的栅极驱动器IC
     CoolGaN ™器件和EiceDRIVER™栅极驱动器 IC 旨在协同工作，以实现高效率和高功率密度。 优化的解决方案同时支持 GaN GIT 和肖特基栅 HEMT，同时最大限度地减少设计工作量并加快开发速度。
    了解更多 → GaN HEMT 栅极驱动器 IC

无芯变压器、SOI、JI 和非隔离技术

  • 无芯变压器技术 -无芯变压器技术可实现电气隔离，具有优异的共模瞬态抗扰度 (CMTI)、快速信号传输以及在高压环境下的稳健运行。该技术特别适用于对抗噪声性和开关性能要求极高的先进 SiC MOSFET 和 GaN HEMT 应用。
    相关产品系列：隔离式栅极驱动器IC 、变压器驱动器IC
  • 绝缘体上硅 (SOI) 技术——英飞凌的 SOI 技术在严苛的工业和汽车应用中提供出色的抗噪声能力、高压鲁棒性和可靠运行。SOI 技术可实现先进的高侧和半桥栅极驱动器架构，并支持集成电平转换功能，从而实现高效的高压开关控制。
  • 结隔离 (JI) 技术-英飞凌成熟的结隔离 (JI) 技术可在广泛的栅极驱动器解决方案组合中提供可靠的高压性能和经济高效的集成。JI 技术支持稳健的电平转换实现，同时为工业和消费应用提供卓越的长期可靠性。
  • 非隔离栅极驱动器技术——非隔离栅极驱动器技术为许多不需要电气隔离的功率转换应用提供了一种紧凑、经济高效的解决方案。这些解决方案提供快速的切换性能、低传播延迟和简化的系统实现，同时支持各种拓扑结构。
    相关产品系列：低侧栅极驱动器集成电路

 

为汽车、工业和消费电子应用找到合适的栅极驱动器 IC

EiceDRIVER™栅极驱动器 IC支持汽车、工业和消费市场的各种电源转换和电机控制应用，为 IGBT、Si MOSFET、 CoolSiC™ MOSFET 和 CoolGaN ™ HEMT 提供针对多种电压等级、隔离级别和栅极驱动架构的优化解决方案。
 

EiceDRIVER™ 闸流驱动器特点：保护、控制和可靠性

英飞凌的 EiceDRIVER™ 栅极驱动器 IC 产品组合集成了先进的保护、控制和监控功能，旨在提高系统可靠性、简化设计并优化开关性能。这些特性适用于隔离式和非隔离式架构，支持从家用电器、电机驱动、工业自动化、电动汽车充电、可再生能源系统、人工智能数据中心、开关电源和固态变压器等各种应用。

关键栅极驱动IC选择参数

选择合适的栅极驱动器 IC 取决于功率器件、电压等级、开关速度和隔离要求。EiceDRIVER™ 产品组合支持 0.1 A 至 18 A 的输出电流，以及适用于 IGBT、Si MOSFET、CoolSiC™ MOSFET 和 CoolGaN™ HEMT 的各种拓扑结构、隔离级别和电压等级。

  • 功率器件：被驱动的功率开关通常是栅极驱动器选择的起点。不同的器件技术需要不同的栅极电压、时序特性和保护功能。典型选项包括 IGBT、Si MOSFET、CoolSiC™ MOSFET、CoolGaN™ HEMT。
  • 输出电流：决定栅极电容充电和放电的速度。更高的驱动电流通常能够实现更快的开关速度和更低的开关损耗。
    EiceDRIVER™产品组合： 0.1 A至18 A。
  • 隔离类型：隔离将低压控制器与高压功率级分开。它会影响安全要求、抗噪性和认证需求。常见的选项有：非隔离式、功能隔离式、基本隔离式和加强隔离式。
  • 栅极驱动器电压等级：电压等级定义了栅极驱动器架构支持的最大工作电压。选择合适的电压等级有助于确保与目标功率级的兼容性，从低压电机驱动器到高压工业、可再生能源和电动汽车系统。
  • 传播延迟：传播延迟是指控制器输入信号与相应的门驱动器输出转换之间的时间。更低且更匹配的延迟有助于提高半桥和三相逆变器系统的开关性能。
  • 需要考虑的其他参数：根据应用的不同，设计人员可能还会评估通道数、栅极电源电压范围、封装类型和爬电距离、汽车认证（AEC-Q100）、功能安全要求、保护功能（如 DESAT、有源米勒钳位、软关断和两级翻转 (2LTO)）。

通过比较功率器件类型、电压等级、隔离类型、输出电流、通道数、栅极电源电压、栅极电阻、开关频率、保护功能、封装类型、汽车认证等，找到合适的EiceDRIVER™解决方案。

使用栅极驱动器查找器比较器件

评估板、参考设计、选型指南和设计工具

英飞凌提供全面的设计资源生态系统，帮助工程师评估、选择、模拟和实施 EiceDRIVER™ 栅极驱动器解决方案。从产品选择工具和评估板到仿真平台和参考设计，这些资源有助于加快开发速度并降低设计风险。

  • 栅极驱动器查找器：按拓扑结构、隔离级别、输出电流、额定电压、封装类型和保护功能筛选和比较EiceDRIVER™栅极驱动器 IC。
  • EiceDRIVER™产品选择指南：比较EiceDRIVER™产品组合在电压等级、通道数、拓扑结构、保护功能和应用重点领域的差异。
  • 交叉参考工具：识别英飞凌现有栅极驱动器设计的替代方案和第二来源选项。
  • IPOSIM ：利用英飞凌功率半导体和栅极驱动器解决方案模拟开关损耗、热行为和系统效率。

特色评估委员会

特色栅极驱动器评估板和人工智能服务器及数据中心的参考设计。

  • 基于80 V OptiMOS™ MOSFET和120 V栅极驱动器2EDL900G3（内置电流检测放大器）的降压转换器拓扑评估板。
  • EVAL-2ED3146MC12L ：2ED314xMC12L 评估板 - 6.5 A，5.7 kV (rms) 双通道隔离栅极驱动器，带死区时间控制。
  • 2EDF7268G 评估板 —— 紧凑型 1500 Vrms 双通道隔离栅极驱动器，采用带散热焊盘的 4×4 14 引脚 VSON 封装
  • EVAL-1ED3330MC12M-SiC ：1ED3142MC12H 评估板 - 6.5 A，5.7 kV (rms) 单通道隔离栅极驱动器，具有独立输出，12.5 V UVLO。
  • EVAL-2ED130R-PR ：2EP1xxR 评估板 - 5V，20W 全功率 用于隔离式栅极驱动器电源的桥式变压器集成电路 - 具有双输出峰值 纠正。
  • EVAL_2EDB_HB_GAN ：CoolGaN ™晶体管半桥评估 带有EiceDRIVER™ 2EDB8259Y电路板。
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