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适用于工业和消费应用的功率 MOSFET 裸片产品

OptiMOS™ 和 StrongIRFET™FET™ 低、中压功率 MOSFET 裸片

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概述

英飞凌的 OptiMOS™ 和 StrongIRFET™ 25 V 至 250 V 功率 MOSFET 裸片系列可满足开关频率从低频到高频应用的广泛需求。潜在应用包括电机控制、AC-DC 开关电源的同步整流、隔离式 DC-DC 变换器以及 48 V 系统中的 OR-ing 开关和断路器。

关键特性

  • 极低的导通电阻 RDS(on)
  • 快速开关能力
  • 卓越的性能
  • 广泛的产品选择

关于

裸片产品解决方案

OptiMOS™ 裸片集极低的导通电阻 (RDS (on)) 和快速的开关特性于一身，其出色的性能非常适合各种工业和消费类应用。StrongIRFET™ 裸片针对低 RDS (on) 和高电流能力进行了优化，非常适合要求高性能和耐用性的低频应用。

裸片特性和优点：

  • 适用于芯片焊接：焊接或粘接
  • 背面金属化：NiAg系统
  • 正面金属化：AICu系统
  • 饨化: 酰亚胺 (只在边缘结构上)
附加信息

如果您正在查找裸片封装过程的指南，请查看我们的应用笔记 " AN-1061 裸片：芯片连接和导线键合"。

有关 StrongIRFET™ 和 OptiMOS™ 功率 MOSFET 裸片产品的更多信息，请联系英飞凌服务中心或当地销售人员。

英飞凌服务中心或当地销售人员

裸片产品解决方案

OptiMOS™ 裸片集极低的导通电阻 (RDS (on)) 和快速的开关特性于一身，其出色的性能非常适合各种工业和消费类应用。StrongIRFET™ 裸片针对低 RDS (on) 和高电流能力进行了优化，非常适合要求高性能和耐用性的低频应用。

裸片特性和优点：

  • 适用于芯片焊接：焊接或粘接
  • 背面金属化：NiAg系统
  • 正面金属化：AICu系统
  • 饨化: 酰亚胺 (只在边缘结构上)

附加信息

如果您正在查找裸片封装过程的指南，请查看我们的应用笔记 " AN-1061 裸片：芯片连接和导线键合"。

有关 StrongIRFET™ 和 OptiMOS™ 功率 MOSFET 裸片产品的更多信息，请联系英飞凌服务中心或当地销售人员。

英飞凌服务中心或当地销售人员

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