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符合 ESA 标准的抗辐射功率 MOSFET

未被列为出口管制产品

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概述

英飞凌的抗辐射 PowerMOS 功率管基于我们独特的 CoolMOS™ 超结技术而设计。PowerMOS 抗辐射 N 沟道 MOSFET 已通过 ESA 认证，电压范围 60 V 到 650 V 不等。屡获殊荣的 650 V PowerMOS 是当今市场上经 QPL 认证且耐压值最高的的抗辐射 MOSFET。这些抗辐射功率 MOSFET 在欧洲制造，不受出口管制的限制。所有的抗辐射 PowerMOS 产品也可作为合格的裸片提供。

关键特性

  • 可承受单粒子效应 (SEE)
  • 低 RDS(on)
  • EAS 空间产品认证
  • CoolMOS™ 超结技术

产品

关于

抗辐射 N 沟道 MOSFET 的应用

英飞凌的抗辐射 N 沟道 MOSFET 专为关键任务太空电源应用而设计，使用寿命超过 15 年，例如：

  • 用于 FPGA、ASIC 和 DSP 核心轨的负载点 (PoL) 转换器
  • 同步整流
  • 有源或电路
  • 配电装置
  • 负载开关
  • 隔离式 DC-DC 变换器
  • 电机驱动
  • 电力推进
  • 热管理
英飞凌抗辐射 FET 的欧空局（ESA）质量一致性测试

与标准商用产品不同，HiRel 产品必须经过不同级别的质量一致性测试，以确保产品能够在军事和空间应用所工作的恶劣环境中发挥所规定的性能。

欧空局（ESA）作为控制机构，已发布相关规范，用于监管分立半导体元件、气密密封和裸片（ESCC-5000）进行的质量一致性测试序列。

英飞凌 HiRel 密封产品可作为（1）商用密封产品，指定为（P），具有与飞行部件相同的贴合度、形状和功能，没有抗辐射性或屏蔽性，符合 ESCC 通用规范第 5000 号中的图 F3，或（2）ESCC-5000 空间认证，适合飞行使用。此类器件表示为（ES）。英飞凌可提供合格的裸片版抗辐射 MOSFET。

英飞凌抗辐射 MOSFET 的抗辐射性能保证

英飞凌抗辐射功率 MOSFET（经 ESA 认证）的抗辐射性能经测试、验证，达到 ESCC-5000 文件的规范和要求。根据 ESCC 22900 号基本规范，每个生产批次的硅片扩散都要进行总剂量稳态辐照测试。根据 ESCC 第 25100 号基本规范，这些非出口管制的抗辐射 MOSFET 还在重离子环境中进行了单粒子效应（SEE）测试。

抗辐射 N 沟道 MOSFET 的应用

英飞凌的抗辐射 N 沟道 MOSFET 专为关键任务太空电源应用而设计，使用寿命超过 15 年，例如：

  • 用于 FPGA、ASIC 和 DSP 核心轨的负载点 (PoL) 转换器
  • 同步整流
  • 有源或电路
  • 配电装置
  • 负载开关
  • 隔离式 DC-DC 变换器
  • 电机驱动
  • 电力推进
  • 热管理

英飞凌抗辐射 FET 的欧空局（ESA）质量一致性测试

与标准商用产品不同，HiRel 产品必须经过不同级别的质量一致性测试，以确保产品能够在军事和空间应用所工作的恶劣环境中发挥所规定的性能。

欧空局（ESA）作为控制机构，已发布相关规范，用于监管分立半导体元件、气密密封和裸片（ESCC-5000）进行的质量一致性测试序列。

英飞凌 HiRel 密封产品可作为（1）商用密封产品，指定为（P），具有与飞行部件相同的贴合度、形状和功能，没有抗辐射性或屏蔽性，符合 ESCC 通用规范第 5000 号中的图 F3，或（2）ESCC-5000 空间认证，适合飞行使用。此类器件表示为（ES）。英飞凌可提供合格的裸片版抗辐射 MOSFET。

英飞凌抗辐射 MOSFET 的抗辐射性能保证

英飞凌抗辐射功率 MOSFET（经 ESA 认证）的抗辐射性能经测试、验证，达到 ESCC-5000 文件的规范和要求。根据 ESCC 22900 号基本规范，每个生产批次的硅片扩散都要进行总剂量稳态辐照测试。根据 ESCC 第 25100 号基本规范，这些非出口管制的抗辐射 MOSFET 还在重离子环境中进行了单粒子效应（SEE）测试。

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