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耐辐射MOSFET

60 V 至 150 V 塑料封装

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概述

英飞凌 HiRel NewSpace 功率 MOSFET 采用耐辐射设计，非常适合短时间、低辐射环境任务，例如低地球轨道 (LEO)。耐辐射功率场效应晶体管 (FET) 基于英飞凌增强型商用 CoolMOS ™技术和成熟的大批量生产工艺。

关键特性

  • 塑料封装
  • 符合 AEC-Q101 标准
  • 总剂量 30kRads(Si)
  • 电压等级：60 V 和 150 V VDS(max)
  • RDS(on)@ 10 V 最大值，从 15 mΩ 到 60 mΩ
  • 表面贴装和通孔封装

产品

关于

耐辐射N沟道功率MOSFET

英飞凌屡获殊荣的耐辐射 N 沟道功率 MOSFET 专为 2 至 5 年的 LEO 任务和星座而设计。这些设备具有单粒子效应 (SEE) 耐受性，其 LET 为 46 MeV∙cm²/mg。

它们可承受 30 krad（Si）的总电离剂量，并利用CoolMOS™超结技术提供快速切换功能。

主要特性：

  • 60 V 和 150 V 选项支持 28 V 和 54 V 总线电压
  • RDS(on)值从 15 mΩ 到 60 mΩ
  • 采用 TO-263 和 TO-247 封装，配有雾锡引线
  • 符合 AEC-Q101 标准，工作温度为 -40°C 至 +125°C
  • 非常适合低地球轨道卫星应用

英飞凌的耐辐射 N 沟道功率 MOSFET 非常适合低地球轨道卫星中的快速开关应用，可提供可靠、高效的功率转换。

耐辐射P沟道功率MOSFET

适用于低地球轨道任务的耐辐射P沟道功率MOSFET

英飞凌的耐辐射 P 沟道功率 MOSFET BUP06CP038F-01 专为 2-5 年的 LEO 任务和星座而设计。

该耐 SEE 设备可承受 30 krad（Si）的总电离剂量，并提供快速切换功能。

关键特性

  • -60 V 电压等级和 38 mΩ R DS(on)值
  • 采用 TO-252-3 封装，配有雾锡引线
  • 符合 AEC-Q101 测试的空间应用要求
  • 结温范围：-55°C 至 +175°C
  • 非常适合快速切换应用

英飞凌的耐辐射 P 沟道功率 MOSFET 非常适合低地球轨道卫星中的快速开关应用，可提供可靠、高效的功率转换。

耐辐射电源解决方案的关键应用

英飞凌的 NewSpace 电源解决方案非常适合一系列关键应用，包括：

  • 电源调节单元 (PCU)：
    我们的耐辐射功率 MOSFET 可实现高效可靠的电源调节，确保航天器系统获得有效运行所需的清洁电力。

  • 电源分配单元 (PDU)：
    我们的功率 MOSFET 具有高可靠性和耐辐射性，非常适合配电装置，需要为多个航天器系统提供高效、容错的电力分配。

  • DC-DC转换器：
    我们的电源解决方案也非常适合 DC-DC 转换器，这种转换器在将电力从一个电压水平转换为另一个电压水平方面发挥着关键作用，同时最大限度地减少能量损失并确保可靠运行。

通过利用英飞凌的耐辐射功率 MOSFET，航天器设计师和工程师可以为其 LEO 任务和星座创建更高效、更可靠、更持久的电力系统。

耐辐射N沟道功率MOSFET

英飞凌屡获殊荣的耐辐射 N 沟道功率 MOSFET 专为 2 至 5 年的 LEO 任务和星座而设计。这些设备具有单粒子效应 (SEE) 耐受性，其 LET 为 46 MeV∙cm²/mg。

它们可承受 30 krad（Si）的总电离剂量，并利用CoolMOS™超结技术提供快速切换功能。

主要特性：

  • 60 V 和 150 V 选项支持 28 V 和 54 V 总线电压
  • RDS(on)值从 15 mΩ 到 60 mΩ
  • 采用 TO-263 和 TO-247 封装，配有雾锡引线
  • 符合 AEC-Q101 标准，工作温度为 -40°C 至 +125°C
  • 非常适合低地球轨道卫星应用

英飞凌的耐辐射 N 沟道功率 MOSFET 非常适合低地球轨道卫星中的快速开关应用，可提供可靠、高效的功率转换。

耐辐射P沟道功率MOSFET

适用于低地球轨道任务的耐辐射P沟道功率MOSFET

英飞凌的耐辐射 P 沟道功率 MOSFET BUP06CP038F-01 专为 2-5 年的 LEO 任务和星座而设计。

该耐 SEE 设备可承受 30 krad（Si）的总电离剂量，并提供快速切换功能。

关键特性

  • -60 V 电压等级和 38 mΩ R DS(on)值
  • 采用 TO-252-3 封装，配有雾锡引线
  • 符合 AEC-Q101 测试的空间应用要求
  • 结温范围：-55°C 至 +175°C
  • 非常适合快速切换应用

英飞凌的耐辐射 P 沟道功率 MOSFET 非常适合低地球轨道卫星中的快速开关应用，可提供可靠、高效的功率转换。

耐辐射电源解决方案的关键应用

英飞凌的 NewSpace 电源解决方案非常适合一系列关键应用，包括：

  • 电源调节单元 (PCU)：
    我们的耐辐射功率 MOSFET 可实现高效可靠的电源调节，确保航天器系统获得有效运行所需的清洁电力。

  • 电源分配单元 (PDU)：
    我们的功率 MOSFET 具有高可靠性和耐辐射性，非常适合配电装置，需要为多个航天器系统提供高效、容错的电力分配。

  • DC-DC转换器：
    我们的电源解决方案也非常适合 DC-DC 转换器，这种转换器在将电力从一个电压水平转换为另一个电压水平方面发挥着关键作用，同时最大限度地减少能量损失并确保可靠运行。

通过利用英飞凌的耐辐射功率 MOSFET，航天器设计师和工程师可以为其 LEO 任务和星座创建更高效、更可靠、更持久的电力系统。