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同步 SRAM

高速静态RAM存储器技术架构与同步操作相结合，可提高数据吞吐量。

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关于

英飞凌的同步 SRAM 存储器系列
  • 标准同步 SRAM：专为缓存应用程序而设计，具有 2 位突发计数器，支持四个缓存行的大小。密度从 2 Mbit 到 72 Mbit 不等。

  • 无总线延迟 (noBL™) 同步 SRAM：也称为零总线周转 (ZBT) SRAM，它们消除了总线转换期间的空闲周期。有两种版本可供选择：涌流式和流水线式。密度从 2 Mbit 到 144 Mbit 不等。

  • DDR-II/II+/II+ Xtreme 同步 SRAM：具有双倍数据速率 (DDR) I/O，适用于网络/通信应用程序中的读取密集型功能。

  • QDR-II/II+/II+ Xtreme 同步 SRAM：与 DDR 类似，但具有四倍数据速率 (QDR) I/O，非常适合低延迟网络应用，具有独立的读写总线。密度从 18 Mbit 到 144 Mbit 不等。

  • QDR-IV 同步 SRAM：具有两个独立的双向数据端口的高性能存储器，可最大限度地提高每秒的随机事务量。有 72 Mbit 和 144 Mbit 密度可供选择，适用于高速网络应用。

  • 英飞凌的同步 SRAM 产品组合可满足各种性能、延迟和密度要求，为各种网络应用提供高效的存储器解决方案。
SRAM 存储器的主要特性
  • 最高的RTR-业界领先的随机事务速率为2132 MT/s。
  • QDR-IV™ SRAM 能够在两突发长度（burst-of-two）或成组两突发长度（banked burst-of-two）模式下运行，在所有 QDR™ SRAM 中提供最快的时钟速度和最高的 RTR，也高于竞争的 RLDRAM 和 DDR3 DRAM。
  • 高可靠性——片上纠错码 (ECC) 可提供< 0.1 fit/Mbit 的最低软错误率
  • 提高信号完整性- DDR-II+ 系列设备中的片上终端 (ODT) 功能可提高高频（大于 300 MHz）的信号质量
带有 ECC 功能的同步 SRAM 亮点

英飞凌带有 ECC 的同步 SRAM 是市场上唯一一款具有片内错误检测和校正可靠性的高密度标准同步和 NoBL™ SRAM。
英飞凌的同步 SRAM 具有 ECC 来检测和纠正单位错误，其 FIT 率为 <0.01 FIT/Mb，比不带 ECC 的标准 SRAM 低 1,000 倍，并且采用符合行业标准和 RoHS 标准的封装。

带有 ECC 的同步 SRAM
双倍数据速率 (DDR) 同步 SRAM

DDR SRAM 与传统的同步突发 SRAM 产品类似，但具有双倍的数据速率 I/O。与同步突发 SRAM 一样，它们用于读取密集型功能，例如网络/通信应用程序中的数据包查找和数据包分类。DDR SRAM 的最大时钟速度为 550 MHz，读取延迟为 1 个周期，并且有行业标准的 165 球 BGA 可供选择。

双倍数据速率 (DDR) 同步 SRAM
QDR™-IV 解决方案提供快速的随机存储器访问

QDR™ SRAM 与 NoBL SRAM 类似，但具有架构增强功能，例如双倍数据速率 I/O 和专用读/写端口。QDR™ SRAM 用于读写平衡的网络应用，例如数据包缓冲区、统计计数器、流状态和调度。QDR™ SRAM 的最大运行速度为 1066 MHz，读取延迟为 1 个周期，采用行业标准 165 引脚 BGA 封装。

四倍数据速率（QDR™）同步SRAM
随机事务速率 (RTR)

随机事务速率 （RTR） 是内存每秒可以执行的完全随机读取或写入事务数。它以 MT/s 或每秒多少兆事务量来衡量。RTR 是高性能计算、通用服务器和图像处理应用程序中的一项关键指标。在这种情况下，内存访问是不可预测的。

QDR联盟定义的四倍数据速率（QDR™）SRAM产品主要面向网络和通信市场。QDR™ SRAM 允许在每个时钟周期内访问任意两个存储器位置，并且性能从不取决于在前一个时钟周期中访问的存储器位置。因此，使用QDR™ SRAM，可以保证RTR。

QDR-IV™ SRAM 能够在两突发长度（burst-of-two）或成组两突发长度（banked burst-of-two）模式下运行，在所有 QDR™ SRAM 中提供最快的时钟速度和最高的 RTR，也高于竞争的 RLDRAM 和 DDR3 DRAM。

英飞凌的 QDR™-IV SRAM 提供高达 2132 MT/s 的 RTR。

英飞凌的同步 SRAM 存储器系列
  • 标准同步 SRAM：专为缓存应用程序而设计，具有 2 位突发计数器，支持四个缓存行的大小。密度从 2 Mbit 到 72 Mbit 不等。

  • 无总线延迟 (noBL™) 同步 SRAM：也称为零总线周转 (ZBT) SRAM，它们消除了总线转换期间的空闲周期。有两种版本可供选择：涌流式和流水线式。密度从 2 Mbit 到 144 Mbit 不等。

  • DDR-II/II+/II+ Xtreme 同步 SRAM：具有双倍数据速率 (DDR) I/O，适用于网络/通信应用程序中的读取密集型功能。

  • QDR-II/II+/II+ Xtreme 同步 SRAM：与 DDR 类似，但具有四倍数据速率 (QDR) I/O，非常适合低延迟网络应用，具有独立的读写总线。密度从 18 Mbit 到 144 Mbit 不等。

  • QDR-IV 同步 SRAM：具有两个独立的双向数据端口的高性能存储器，可最大限度地提高每秒的随机事务量。有 72 Mbit 和 144 Mbit 密度可供选择，适用于高速网络应用。

  • 英飞凌的同步 SRAM 产品组合可满足各种性能、延迟和密度要求，为各种网络应用提供高效的存储器解决方案。

SRAM 存储器的主要特性
  • 最高的RTR-业界领先的随机事务速率为2132 MT/s。
  • QDR-IV™ SRAM 能够在两突发长度（burst-of-two）或成组两突发长度（banked burst-of-two）模式下运行，在所有 QDR™ SRAM 中提供最快的时钟速度和最高的 RTR，也高于竞争的 RLDRAM 和 DDR3 DRAM。
  • 高可靠性——片上纠错码 (ECC) 可提供< 0.1 fit/Mbit 的最低软错误率
  • 提高信号完整性- DDR-II+ 系列设备中的片上终端 (ODT) 功能可提高高频（大于 300 MHz）的信号质量

带有 ECC 功能的同步 SRAM 亮点

英飞凌带有 ECC 的同步 SRAM 是市场上唯一一款具有片内错误检测和校正可靠性的高密度标准同步和 NoBL™ SRAM。
英飞凌的同步 SRAM 具有 ECC 来检测和纠正单位错误，其 FIT 率为 <0.01 FIT/Mb，比不带 ECC 的标准 SRAM 低 1,000 倍，并且采用符合行业标准和 RoHS 标准的封装。

带有 ECC 的同步 SRAM

双倍数据速率 (DDR) 同步 SRAM

DDR SRAM 与传统的同步突发 SRAM 产品类似，但具有双倍的数据速率 I/O。与同步突发 SRAM 一样，它们用于读取密集型功能，例如网络/通信应用程序中的数据包查找和数据包分类。DDR SRAM 的最大时钟速度为 550 MHz，读取延迟为 1 个周期，并且有行业标准的 165 球 BGA 可供选择。

双倍数据速率 (DDR) 同步 SRAM

QDR™-IV 解决方案提供快速的随机存储器访问

QDR™ SRAM 与 NoBL SRAM 类似，但具有架构增强功能，例如双倍数据速率 I/O 和专用读/写端口。QDR™ SRAM 用于读写平衡的网络应用，例如数据包缓冲区、统计计数器、流状态和调度。QDR™ SRAM 的最大运行速度为 1066 MHz，读取延迟为 1 个周期，采用行业标准 165 引脚 BGA 封装。

四倍数据速率（QDR™）同步SRAM

随机事务速率 (RTR)

随机事务速率 （RTR） 是内存每秒可以执行的完全随机读取或写入事务数。它以 MT/s 或每秒多少兆事务量来衡量。RTR 是高性能计算、通用服务器和图像处理应用程序中的一项关键指标。在这种情况下，内存访问是不可预测的。

QDR联盟定义的四倍数据速率（QDR™）SRAM产品主要面向网络和通信市场。QDR™ SRAM 允许在每个时钟周期内访问任意两个存储器位置，并且性能从不取决于在前一个时钟周期中访问的存储器位置。因此，使用QDR™ SRAM，可以保证RTR。

QDR-IV™ SRAM 能够在两突发长度（burst-of-two）或成组两突发长度（banked burst-of-two）模式下运行，在所有 QDR™ SRAM 中提供最快的时钟速度和最高的 RTR，也高于竞争的 RLDRAM 和 DDR3 DRAM。

英飞凌的 QDR™-IV SRAM 提供高达 2132 MT/s 的 RTR。

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