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碳化硅 MOSFET 单管

650 V - 2000 V CoolSiC™ MOSFET 单管，非常适合硬开关和谐振开关拓扑

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概述

英飞凌 CoolSiC™ MOSFET 采用最先进的沟槽半导体工艺，该工艺经过优化，应用中可实现最低的功耗和最高的运行可靠性。CoolSiC™ MOSFET 单管系列电压等级包括 650 V、1200 V、1700 V 以及 2000 V，额定导通电阻范围 7 mΩ - 1000 mΩ。

关键特性

  • 650 V、1200 V、1700 V以及2000V
  • 额定导通电阻 7 mΩ -1000 mΩ
  • 灵活的参数设置
  • 寄生电容低

产品

关于

CoolSiC™ MOSFET 单管简介

CoolSiC™ 沟槽技术可实现灵活的参数设置，用于在各个产品组合中实现特定应用功能，例如：栅源电压、雪崩规格、短路能力或额定硬换向的内部体二极管。

400 V CoolSiC™ MOSFET 专为 AI 服务器 PSU 的 AC/DC 级而开发，也非常适合太阳能和储能系统等应用。 我们的 650 V CoolSiC™ MOSFET 系列在大电流和低电容条件下具有优化的开关性能，专为各种工业应用而设计，包括服务器、电信、电机驱动等。

1200 V MOSFET 系列适用于工业和汽车认证应用，如板载充电器/PFC、辅助逆变器和不间断电源 (UPS)。1700 V CoolSiC™ MOSFET 适合反激式电路，可用于储能系统、电动汽车快速充电、电源管理（SMPS）和太阳能系统解决方案。最后，2000 V CoolSiC™ MOSFET 提供更高的功率密度和电压裕量，适用于电动汽车快速充电和太阳能系统等高压应用。

关于碳化硅 MOSFET 单管的更多信息

CoolSiC™ MOSFET 单管非常适合硬开关和谐振开关拓扑，如功率因数校正（PFC）电路、双向拓扑以及 DC-DC 转换器或 DC-AC 逆变器。即使在桥式电路的零电压关断时，对不必要的寄生导通效应也具有出色的抗扰性，从而成为低动态损耗的标杆。我们的 TO 和 SMD 封装产品还带有 Kelvin-Source 引脚，可优化开关性能。

我们通过一系列精选的驱动 IC 产品完善了 SiC 单管产品，满足了超高速 SiC MOSFET 开关功能的需求。CoolSiC™MOSFET 和 EiceDRIVER™ 栅极驱动 IC 充分发挥了 SiC 技术的优势：提高效率、节省空间和重量，减少器件数量，提高系统可靠性。

关于栅极驱动 IC 的更多信息
关于碳化硅 MOSFET 单管的更多信息

CoolSiC™ MOSFET 单管带有一个快速内部续流二极管，因此无需额外的二极管芯片即可实现硬开关。由于其单极特性，这些 MOSFET 具有非常低的、与温度无关的开关损耗以及极低的导通损耗，尤其是在轻载条件下。

我们独特的碳化硅（SiC）CoolSiC™ MOSFET 单管产品电压范围为 650 V - 2000 V，非常适合硬开关和谐振拓扑开关，如 LLC 和 ZVS，并可像 IGBT 或 CoolMOS™ 一样使用标准驱动器进行驱动。这些坚固耐用的器件采用最先进的沟槽设计，具有出色的栅极氧化物可靠性、同类最佳的开关和导通损耗、最高的跨导电平（增益）、Vth = 4 V 的阈值电压和短路稳健性。

相关特性、优势

碳化硅 MOSFET 单管具有重要的关键特性，例如低器件电容、与温度无关的开关损耗、具有低反向恢复电荷的本征二极管以及无阈值的导通状态特性。

其主要优点是效率最高，从而减少了散热工作量，使用寿命更长，可靠性更高，工作频率更高，降低了系统成本，提高了功率密度，降低了系统复杂性，以及易于设计和实施。

碳化硅 MOSFET 单管还有一系列优势，例如，出色的栅极氧化物可靠性、同类最佳的开关和导通损耗、兼容 IGBT 的驱动 (+18 V)、阈值电压 (Vth > 4 V) 以及短路和雪崩的鲁棒性。

关于用于 SiC MOSFET 的EiceDRIVER™栅极驱动器 IC

CoolSiC™ MOSFET 等超高速开关功率管可以通过隔离栅极输出部分更容易地驱动。因此，推荐使用基于英飞凌无芯变压器技术的电气隔离 EiceDRIVER™ IC。

关于栅极驱动 IC 的更多信息

CoolSiC™ MOSFET 单管简介

CoolSiC™ 沟槽技术可实现灵活的参数设置，用于在各个产品组合中实现特定应用功能，例如：栅源电压、雪崩规格、短路能力或额定硬换向的内部体二极管。

400 V CoolSiC™ MOSFET 专为 AI 服务器 PSU 的 AC/DC 级而开发，也非常适合太阳能和储能系统等应用。 我们的 650 V CoolSiC™ MOSFET 系列在大电流和低电容条件下具有优化的开关性能，专为各种工业应用而设计，包括服务器、电信、电机驱动等。

1200 V MOSFET 系列适用于工业和汽车认证应用，如板载充电器/PFC、辅助逆变器和不间断电源 (UPS)。1700 V CoolSiC™ MOSFET 适合反激式电路，可用于储能系统、电动汽车快速充电、电源管理（SMPS）和太阳能系统解决方案。最后，2000 V CoolSiC™ MOSFET 提供更高的功率密度和电压裕量，适用于电动汽车快速充电和太阳能系统等高压应用。

关于碳化硅 MOSFET 单管的更多信息

CoolSiC™ MOSFET 单管非常适合硬开关和谐振开关拓扑，如功率因数校正（PFC）电路、双向拓扑以及 DC-DC 转换器或 DC-AC 逆变器。即使在桥式电路的零电压关断时，对不必要的寄生导通效应也具有出色的抗扰性，从而成为低动态损耗的标杆。我们的 TO 和 SMD 封装产品还带有 Kelvin-Source 引脚，可优化开关性能。

我们通过一系列精选的驱动 IC 产品完善了 SiC 单管产品，满足了超高速 SiC MOSFET 开关功能的需求。CoolSiC™MOSFET 和 EiceDRIVER™ 栅极驱动 IC 充分发挥了 SiC 技术的优势：提高效率、节省空间和重量，减少器件数量，提高系统可靠性。

关于栅极驱动 IC 的更多信息

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CoolSiC™ MOSFET 单管带有一个快速内部续流二极管，因此无需额外的二极管芯片即可实现硬开关。由于其单极特性，这些 MOSFET 具有非常低的、与温度无关的开关损耗以及极低的导通损耗，尤其是在轻载条件下。

我们独特的碳化硅（SiC）CoolSiC™ MOSFET 单管产品电压范围为 650 V - 2000 V，非常适合硬开关和谐振拓扑开关，如 LLC 和 ZVS，并可像 IGBT 或 CoolMOS™ 一样使用标准驱动器进行驱动。这些坚固耐用的器件采用最先进的沟槽设计，具有出色的栅极氧化物可靠性、同类最佳的开关和导通损耗、最高的跨导电平（增益）、Vth = 4 V 的阈值电压和短路稳健性。

相关特性、优势

碳化硅 MOSFET 单管具有重要的关键特性，例如低器件电容、与温度无关的开关损耗、具有低反向恢复电荷的本征二极管以及无阈值的导通状态特性。

其主要优点是效率最高，从而减少了散热工作量，使用寿命更长，可靠性更高，工作频率更高，降低了系统成本，提高了功率密度，降低了系统复杂性，以及易于设计和实施。

碳化硅 MOSFET 单管还有一系列优势，例如，出色的栅极氧化物可靠性、同类最佳的开关和导通损耗、兼容 IGBT 的驱动 (+18 V)、阈值电压 (Vth > 4 V) 以及短路和雪崩的鲁棒性。

关于用于 SiC MOSFET 的EiceDRIVER™栅极驱动器 IC

CoolSiC™ MOSFET 等超高速开关功率管可以通过隔离栅极输出部分更容易地驱动。因此，推荐使用基于英飞凌无芯变压器技术的电气隔离 EiceDRIVER™ IC。

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