Gate Driver ICs for SiC MOSFETs

栅极驱动器 IC 与 CoolSiC™ MOSFET 完美契合

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概述

650 V 和 1200 V 超高速开关功率晶体管(如 CoolSiC™ MOSFET)通常最好由集成电隔离功能的栅极驱动器 IC 驱动。 这些栅极驱动器集成了最重要的关键特性和参数，通常推荐用于碳化硅 MOSFET 驱动，例如宽输出侧电源范围、扩展的 CMTI 能力、有源米勒箝位以及输入输出电隔离。

关键特性

  • 严格的传输延迟匹配
  • 精确的输入滤波器
  • 输出侧电源范围广
  • 负栅极电压能力
  • 扩展的 CMTI 功能
  • 有源米勒钳位
  • DESAT 保护
  • UVLO
  • 输入到输出电气隔离

产品

关于

2300V 功能绝缘

EiceDRIVER™ 隔离栅极驱动器基于磁耦合无芯变压器(CT)技术，可跨越电气隔离进行信号传输。得益于 CT 技术，我们可提供功能绝缘、基本绝缘和强化绝缘，并通过 UL 1577(VISO = 5.7 kV)和 VDE 0884-11(VIORM = 1767 V)认证。功能绝缘电压高达 2300 V，适合 2 kV CoolSiC™ 在 1500 V DC电压下的应用。所有产品均按照 IEC 60747-17 标准认证，均已按照安全系数完成 20 年使用寿命测试。

防止寄生开启

EiceDRIVER™ SiC MOSFET 栅极驱动器 IC 最大输出电源电压可达 40 V，可实现采用负栅极电压的双极性电源供电，适配 SiC MOSFET。它还提供有源 Miller 钳位和钳位驱动器，并具有额外的保护功能。钳位驱动器功能在 1ED3491MC12M 和 1ED3890MC12M 中均有提供，强烈推荐用于高功率应用。

2300V 功能绝缘

EiceDRIVER™ 隔离栅极驱动器基于磁耦合无芯变压器(CT)技术，可跨越电气隔离进行信号传输。得益于 CT 技术，我们可提供功能绝缘、基本绝缘和强化绝缘，并通过 UL 1577(VISO = 5.7 kV)和 VDE 0884-11(VIORM = 1767 V)认证。功能绝缘电压高达 2300 V，适合 2 kV CoolSiC™ 在 1500 V DC电压下的应用。所有产品均按照 IEC 60747-17 标准认证，均已按照安全系数完成 20 年使用寿命测试。

防止寄生开启

EiceDRIVER™ SiC MOSFET 栅极驱动器 IC 最大输出电源电压可达 40 V，可实现采用负栅极电压的双极性电源供电，适配 SiC MOSFET。它还提供有源 Miller 钳位和钳位驱动器，并具有额外的保护功能。钳位驱动器功能在 1ED3491MC12M 和 1ED3890MC12M 中均有提供，强烈推荐用于高功率应用。

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