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概述

超快速开关 650 V 和 1200 V 功率晶体管（例如CoolSiC™ MOSFET）通常最好由具有集成电流隔离的栅极驱动器 IC 驱动。 这些栅极驱动器融合了通常推荐用于碳化硅 MOSFET 驱动的最重要的关键特性和参数，例如宽输出侧电源范围、扩展的 CMTI 能力、有源米勒钳位，以及最后但并非最不重要的输入到输出电流隔离。

主要特点
  • 紧密的传播延迟匹配
  • 精确的输入滤波器
  • 输出侧供电范围宽
  • 负栅极电压能力
  • 扩展的CMTI功能
  • 有源米勒钳位
  • DESAT 保护
  • 欠压锁定
  • 输入至输出电流隔离

产品

关于

2300 V功能隔离

EiceDRIVER™隔离栅极驱动器基于磁耦合无芯变压器 (CT) 技术，可提供跨电流隔离的信号传输。 得益于 CT 技术，我们提供功能、基本和强化隔离，并通过了 UL 1577（VISO = 5.7 kV）和 IEC 60747-17（VIORM = 1767 V）认证。功能隔离高达 2300 V，适用于 1500 V DC 应用中的CoolSiC™ 2 kV。 所有产品均根据 IEC 60747-17 认证，并经过 20 年安全系数测试。

防止寄生导通

EiceDRIVER™ SiC MOSFET 栅极驱动器 IC 提供 40 V 最大输出电源电压，从而为 SiC MOSFET 提供具有负栅极电压的双极电源。 它还提供有源米勒钳位和钳位驱动器，具有额外保护功能。1ED3491MC12M 和 1ED3890MC12M 具有钳位驱动器功能，强烈推荐用于高功率应用。

2300 V功能隔离

EiceDRIVER™隔离栅极驱动器基于磁耦合无芯变压器 (CT) 技术，可提供跨电流隔离的信号传输。 得益于 CT 技术，我们提供功能、基本和强化隔离，并通过了 UL 1577（VISO = 5.7 kV）和 IEC 60747-17（VIORM = 1767 V）认证。功能隔离高达 2300 V，适用于 1500 V DC 应用中的CoolSiC™ 2 kV。 所有产品均根据 IEC 60747-17 认证，并经过 20 年安全系数测试。

防止寄生导通

EiceDRIVER™ SiC MOSFET 栅极驱动器 IC 提供 40 V 最大输出电源电压，从而为 SiC MOSFET 提供具有负栅极电压的双极电源。 它还提供有源米勒钳位和钳位驱动器，具有额外保护功能。1ED3491MC12M 和 1ED3890MC12M 具有钳位驱动器功能，强烈推荐用于高功率应用。

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