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汽车IGBT及半导体分立器件

完全符合汽车标准的产品组合，支持各种汽车应用

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概述

英飞凌专为混合动力汽车和电动汽车而设计，提供种类繁多的汽车AEC-Q101认证的IGBT。 我们的产品组合包括 600 V 至 1200 V，额定电流高达 200 A，以及从低到超高的开关频率。

关键特性

  • 标杆级性能&效率
  • 高功率密度
  • 高可靠性
  • 易于组装
  • 经济实惠的器件
  • 可扩展性
  • 支持平台设计

产品

关于

英飞凌第二代电气传动系统芯片技术

英飞凌的第二代电气传动系统芯片技术是一项基准的750 V IGBT技术，可显著提高汽车传动系统应用的能效。该技术支持高达 470 V 的直流链路电压，并且具有非常低的开关和导通损耗。再加上英飞凌卓越的品质，EDT2技术具有极其紧密的参数分布和正的热系数。 这使得并联操作变得简单，为最终设计提供了系统灵活性和功率可扩展性。

与既定的 IGBT3 相比，采用 EDT2 的产品既具有更高的阻断电压，又可以降低20％的饱和电压。 单元结构的优化允许在高梯度下进行切换。 此外，坚固耐用的设计可避免闭锁并提供足够的短路保护。

英飞凌的TRENCHSTOP™ 5汽车技术

英飞凌的 TRENCHSTOP™ 5 Auto IGBT 技术重新定义了“同类最佳”IGBT，为硬开关应用提供无与伦比的效率。 这是IGBT领域的一场革命，以满足未来市场的效率需求，这意味着当需要最高效率、更低的系统成本和更高的可靠性时，TRENCHSTOP™ 5是唯一的选择。 它大大降低了开关和导通损耗。

英飞凌的 TRENCHSTOP™ 60TA 技术

IGBT 与软恢复发射极控制二极管的组合可进一步最大限度地减少开通损耗。 平衡了开关损耗和导通损耗的最佳方案，因此可以实现最高效率。

RC-Drives IGBT 技术

英飞凌开发的RC-Drives IGBT技术是一种成本优化的解决方案，由于采用单片集成二极管，因此可以有效节省空间。 此外，即使在最高结温为175°C的情况下，该技术也具有出色的性能，可实现平滑的开关和极低的EMI。

英飞凌第二代电气传动系统芯片技术

英飞凌的第二代电气传动系统芯片技术是一项基准的750 V IGBT技术，可显著提高汽车传动系统应用的能效。该技术支持高达 470 V 的直流链路电压，并且具有非常低的开关和导通损耗。再加上英飞凌卓越的品质，EDT2技术具有极其紧密的参数分布和正的热系数。 这使得并联操作变得简单，为最终设计提供了系统灵活性和功率可扩展性。

与既定的 IGBT3 相比，采用 EDT2 的产品既具有更高的阻断电压，又可以降低20％的饱和电压。 单元结构的优化允许在高梯度下进行切换。 此外，坚固耐用的设计可避免闭锁并提供足够的短路保护。

英飞凌的TRENCHSTOP™ 5汽车技术

英飞凌的 TRENCHSTOP™ 5 Auto IGBT 技术重新定义了“同类最佳”IGBT，为硬开关应用提供无与伦比的效率。 这是IGBT领域的一场革命，以满足未来市场的效率需求，这意味着当需要最高效率、更低的系统成本和更高的可靠性时，TRENCHSTOP™ 5是唯一的选择。 它大大降低了开关和导通损耗。

英飞凌的 TRENCHSTOP™ 60TA 技术

IGBT 与软恢复发射极控制二极管的组合可进一步最大限度地减少开通损耗。 平衡了开关损耗和导通损耗的最佳方案，因此可以实现最高效率。

RC-Drives IGBT 技术

英飞凌开发的RC-Drives IGBT技术是一种成本优化的解决方案，由于采用单片集成二极管，因此可以有效节省空间。 此外，即使在最高结温为175°C的情况下，该技术也具有出色的性能，可实现平滑的开关和极低的EMI。

文档

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设计资源

开发者社区

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