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概述
英飞凌的下一代铁电存储器 EXCELON™ F-RAM 将超低功耗操作与高速串行接口、即时非易失性和读/写无限耐久性相结合。这使得 EXCELON™ F-RAM 成为关键任务系统的理想数据记录存储器,包括便携式医疗、可穿戴设备、物联网传感器、工业和汽车应用。 密度:1 Mb、2 Mb、4 Mb、8 Mb、16 Mb 接口:SPI、QSPI
关键特性
- 高达 16 Mb 的非易失性存储
- 读/写吞吐量高达 54 MB/s
- 电源电压分别为 1.8 伏和 3.0 伏
- 超低能耗运行
- 在+85ºC 时可保留十年的数据
- 无限的读/写耐久性
- 以总线速度写入时零延迟
- 符合AEC-Q100 标准的存储器
- 符合 ISO 26262 功能安全标准
应用
产品
关于
EXCELON™ F-RAM使用与其他存储器(如SRAM,EEPROM和串行闪存)相同的主机处理器接口和时序运行,但利用其快速写入速度来消除由于”浸泡时间“(soak time)或其他技术所需的页/扇区缓冲而导致的写入延迟。即时写入可消除因意外断电而导致的 “数据面临风险”。EXCELON™ F-RAM 存储器将可靠的非易失性数据存储与快速 RAM 结合在一起。
EXCELON™ F-RAM 与传统的非易失性存储器相比具有三个明显优势:
- 写入速度快,瞬间非易失,可实现可靠的数据采集
- 几乎不受限制的 100 万亿次读写周期,可进行连续和实时的数据记录
- 高能效非易失性 RAM 具有超低的 0.1 µA 休眠电流和 2.3 µA 待机电流
工业系统需要存储器来持续记录并在断电时即时捕获系统状态信息和传感器数据。下一代工厂自动化和控制系统将增加计算和存储需求,尤其是在网络方面。恶劣的操作环境以及对读写耐久性和数据保留的高要求需要尽可能稳健的性能,同时支持高效的低引脚数高速接口。EXCELON™ Ultra F-RAM 任务关键型存储器支持 108 MHz 低引脚数 QSPI 接口,具有 100 万亿周期的写入耐久性、快速写入和即时非易失性。
EXCELON™ Ultra F-RAM的主要特性:
- 低引脚数 108 MHz QSPI 接口,速度与并行接口一样快,突发访问时间为 35 ns。
- 读/写耐久性达 100 万亿次,可在 85°C 温度下连续记录数据 15-20 年。
- 单芯片取代多组件解决方案(SRAM + 电池 + 电源管理控制器)。
目标应用:可编程逻辑控制器 (PLC)、工业机器人、RAID 存储、智能电表、销售终端设备
高能效非易失性存储器对于最新一代便携式医疗、可穿戴设备和物联网设备至关重要,因为这些设备能持续记录越来越多的用户和传感器数据,并以最低的功耗最大限度地延长电池寿命。
英飞凌的 EXCELON™ LP F-RAM 通过即时写入功能、无限的耐用性和超低功耗模式实现了这一点。 这些设备还需要业界最小的 UFLGA 封装所提供的最小封装面积的存储器。
EXCELON™ LP F-RAM 的主要功能:
- 多种省电模式 - 休眠、深度关机和待机
- 超低功耗 – 能耗仅为EEPROM的200分之一,NOR闪存的3000分之一
- 浪涌电流控制,最大限度地降低开机时的浪涌电流
- 读/写耐久性达 1,000 万亿次(若每毫秒更新数据,需要3000 年)
- 占用空间小(约 10 mm2),采用 8 引脚 UFLGA 封装,适用于小型外形尺寸
目标应用:神经调节器、心脏起搏器、除颤器、助听器、活动追踪器和可穿戴设备
汽车系统需要存储器来持续记录并在断电时即时捕获系统状态信息和传感器数据。汽车行业广泛要求系统和外围设备符合 ISO 26262 功能安全标准。 由于对电子元件和驾驶员安全的依赖性越来越高,汽车应用需要功能安全。 英飞凌的 EXCELON™ Auto F-RAM 是一款通过 AEC-Q100 认证的存储器,可支持高达 108 MHz 的 QSPI 接口,具有超过 10 万亿次写入周期的耐用性、快速写入、即时非易失性以及高达 +125 ºC 的工作温度支持,因此非常适合用于关键任务汽车系统中的数据记录。
EXCELON™ Auto F-RAM的主要特性:
- 符合 AEC-Q100 标准和功能安全 (ISO 26262) 标准的存储器
- 读/写耐久性达 10 万亿次(若每10微秒更新数据,需要20 年)
- 在 -40°C 至 +125°C 的较高汽车工作温度下性能稳定
目标应用:安全气囊事件数据记录器、ADAS 系统中的摄像头、电池管理系统、xEV 逆变器和发动机管理控制
EXCELON™ F-RAM使用与其他存储器(如SRAM,EEPROM和串行闪存)相同的主机处理器接口和时序运行,但利用其快速写入速度来消除由于”浸泡时间“(soak time)或其他技术所需的页/扇区缓冲而导致的写入延迟。即时写入可消除因意外断电而导致的 “数据面临风险”。EXCELON™ F-RAM 存储器将可靠的非易失性数据存储与快速 RAM 结合在一起。
EXCELON™ F-RAM 与传统的非易失性存储器相比具有三个明显优势:
- 写入速度快,瞬间非易失,可实现可靠的数据采集
- 几乎不受限制的 100 万亿次读写周期,可进行连续和实时的数据记录
- 高能效非易失性 RAM 具有超低的 0.1 µA 休眠电流和 2.3 µA 待机电流
工业系统需要存储器来持续记录并在断电时即时捕获系统状态信息和传感器数据。下一代工厂自动化和控制系统将增加计算和存储需求,尤其是在网络方面。恶劣的操作环境以及对读写耐久性和数据保留的高要求需要尽可能稳健的性能,同时支持高效的低引脚数高速接口。EXCELON™ Ultra F-RAM 任务关键型存储器支持 108 MHz 低引脚数 QSPI 接口,具有 100 万亿周期的写入耐久性、快速写入和即时非易失性。
EXCELON™ Ultra F-RAM的主要特性:
- 低引脚数 108 MHz QSPI 接口,速度与并行接口一样快,突发访问时间为 35 ns。
- 读/写耐久性达 100 万亿次,可在 85°C 温度下连续记录数据 15-20 年。
- 单芯片取代多组件解决方案(SRAM + 电池 + 电源管理控制器)。
目标应用:可编程逻辑控制器 (PLC)、工业机器人、RAID 存储、智能电表、销售终端设备
高能效非易失性存储器对于最新一代便携式医疗、可穿戴设备和物联网设备至关重要,因为这些设备能持续记录越来越多的用户和传感器数据,并以最低的功耗最大限度地延长电池寿命。
英飞凌的 EXCELON™ LP F-RAM 通过即时写入功能、无限的耐用性和超低功耗模式实现了这一点。 这些设备还需要业界最小的 UFLGA 封装所提供的最小封装面积的存储器。
EXCELON™ LP F-RAM 的主要功能:
- 多种省电模式 - 休眠、深度关机和待机
- 超低功耗 – 能耗仅为EEPROM的200分之一,NOR闪存的3000分之一
- 浪涌电流控制,最大限度地降低开机时的浪涌电流
- 读/写耐久性达 1,000 万亿次(若每毫秒更新数据,需要3000 年)
- 占用空间小(约 10 mm2),采用 8 引脚 UFLGA 封装,适用于小型外形尺寸
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汽车系统需要存储器来持续记录并在断电时即时捕获系统状态信息和传感器数据。汽车行业广泛要求系统和外围设备符合 ISO 26262 功能安全标准。 由于对电子元件和驾驶员安全的依赖性越来越高,汽车应用需要功能安全。 英飞凌的 EXCELON™ Auto F-RAM 是一款通过 AEC-Q100 认证的存储器,可支持高达 108 MHz 的 QSPI 接口,具有超过 10 万亿次写入周期的耐用性、快速写入、即时非易失性以及高达 +125 ºC 的工作温度支持,因此非常适合用于关键任务汽车系统中的数据记录。
EXCELON™ Auto F-RAM的主要特性:
- 符合 AEC-Q100 标准和功能安全 (ISO 26262) 标准的存储器
- 读/写耐久性达 10 万亿次(若每10微秒更新数据,需要20 年)
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目标应用:安全气囊事件数据记录器、ADAS 系统中的摄像头、电池管理系统、xEV 逆变器和发动机管理控制