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PQFN 3.3 x 3.3 封装 OptiMOS™ 和 StrongIRFET™ 功率 MOSFET

PQFN 3.3 x 3.3 封装 OptiMOS™ 和 StrongIRFET™ 低压功率 MOSFET

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概述

PQFN 3.3 x 3.3 mm 封装 MOSFET实现了高效率和紧凑尺寸。

关键特性

  • 低 RDS(on)
  • 小尺寸封装
  • 低栅极电荷
  • 超级逻辑电平 (2.5 V)
  • 逻辑电平 (4.5 V)

产品

关于

适用于各种应用的高效、省空间的解决方案

该系列小尺寸封装 MOSFET 非常适合需要更高效率和高功率密度的应用。PQFN 封装的 MOSFET产品采用StrongIRFET™ 或者 OptiMOS™ 技术，为客户提供通用以及高性能应用的优化解决方案。

采用 PQFN 3.3 x 3.3 mm 封装的低压功率 MOSFET 产品系列

该产品系列包括单管 N 沟道或 P 沟道 MOSFET 以及双管 MOSFET。该系列拥有多种耐压等级，从 -30 V 到 250 V 不等，可根据设计要求具体选择。PQFN 3.3 x 3.3 封装产品可选标准的漏极向下封装以及源极向下的封装。

PQFN 3.3 x 3.3 的主要优点 MOSFET

PQFN 3.3x3.3 系列具有 4.5 V 和 2.5 V 栅极驱动能力，可提供栅极驱动的灵活性。低 R DS(on)可实现整体系统设计的高效率。小尺寸封装可减少电路板空间，而低栅极电荷则可降低开关和驱动损耗，从而提高设计效率。

适用于各种应用的高效、省空间的解决方案

该系列小尺寸封装 MOSFET 非常适合需要更高效率和高功率密度的应用。PQFN 封装的 MOSFET产品采用StrongIRFET™ 或者 OptiMOS™ 技术，为客户提供通用以及高性能应用的优化解决方案。

采用 PQFN 3.3 x 3.3 mm 封装的低压功率 MOSFET 产品系列

该产品系列包括单管 N 沟道或 P 沟道 MOSFET 以及双管 MOSFET。该系列拥有多种耐压等级，从 -30 V 到 250 V 不等，可根据设计要求具体选择。PQFN 3.3 x 3.3 封装产品可选标准的漏极向下封装以及源极向下的封装。

PQFN 3.3 x 3.3 的主要优点 MOSFET

PQFN 3.3x3.3 系列具有 4.5 V 和 2.5 V 栅极驱动能力，可提供栅极驱动的灵活性。低 R DS(on)可实现整体系统设计的高效率。小尺寸封装可减少电路板空间，而低栅极电荷则可降低开关和驱动损耗，从而提高设计效率。

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