PQFN 3.3 x 3.3

PQFN 3.3 x 3.3 封装 OptiMOS™ 和 StrongIRFET™ 低压功率 MOSFET

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概述

PQFN 3.3 x 3.3 mm 封装 MOSFET实现了高效率和紧凑尺寸。

关键特性

  • 低 RDS(on)
  • 小尺寸封装
  • 低栅极电荷
  • 超级逻辑电平 (2.5 V)
  • 逻辑电平 (4.5 V)

产品

关于

PQFN 3.3 x 3.3封装适用于各种应用的高效、省空间的解决方案

该系列小尺寸封装 MOSFET 非常适合需要更高效率和高功率密度的应用。PQFN 封装的 MOSFET产品采用StrongIRFET™ 或者 OptiMOS™ 技术，为客户提供通用以及高性能应用的优化解决方案。

采用 PQFN 3.3 x 3.3 mm 封装的低压功率 MOSFET 产品系列

该系列包括单管 N 沟道或 P 沟道 MOSFET 以及双管 MOSFET。该系列产品包括 -150 V 至 250 V 的多种耐压等级，以满足各种设计要求。

PQFN 3.3x3.3 封装包括标准漏极向下以及源极向下引脚结构封装产品以及两种尺寸选项：

  • 转角门极：轻松融入现有 PCB 设计
  • 中间门极：针对并联进行了优化

PQFN 3.3x3.3源极向下双面散热封装的特点是硅片源极侧有源沟槽产生热量，并通过导热垫直接散发到 PCB 上。这使得该产品系列的 RthJC 性能提高了 20% 以上，从 1.8 K/W 提高到 1.4 K/W。

此外，暴露的顶部提高了 RthJC的性能 ，顶部热阻从 20 K/W（对于过度成型）降至 0.7 K/W。器件顶部的散热片可以利用这种低 RthJC的优势，使功率耗散比超模压封装高出三倍。

从丰富的 MOSFET 产品组合中选择最适合您需求的封装。

PQFN 3.3 x 3.3封装的主要优点 MOSFET

PQFN 3.3x3.3 系列具有 4.5 V 和 2.5 V 栅极驱动能力，可提供栅极驱动的灵活性。低 R DS(on)可实现整体系统设计的高效率。小尺寸封装可减少电路板空间，而低栅极电荷则可降低开关和驱动损耗，从而提高设计效率。

PQFN 3.3 x 3.3封装适用于各种应用的高效、省空间的解决方案

该系列小尺寸封装 MOSFET 非常适合需要更高效率和高功率密度的应用。PQFN 封装的 MOSFET产品采用StrongIRFET™ 或者 OptiMOS™ 技术，为客户提供通用以及高性能应用的优化解决方案。

采用 PQFN 3.3 x 3.3 mm 封装的低压功率 MOSFET 产品系列

该系列包括单管 N 沟道或 P 沟道 MOSFET 以及双管 MOSFET。该系列产品包括 -150 V 至 250 V 的多种耐压等级，以满足各种设计要求。

PQFN 3.3x3.3 封装包括标准漏极向下以及源极向下引脚结构封装产品以及两种尺寸选项：

  • 转角门极：轻松融入现有 PCB 设计
  • 中间门极：针对并联进行了优化

PQFN 3.3x3.3源极向下双面散热封装的特点是硅片源极侧有源沟槽产生热量，并通过导热垫直接散发到 PCB 上。这使得该产品系列的 RthJC 性能提高了 20% 以上，从 1.8 K/W 提高到 1.4 K/W。

此外，暴露的顶部提高了 RthJC的性能 ，顶部热阻从 20 K/W（对于过度成型）降至 0.7 K/W。器件顶部的散热片可以利用这种低 RthJC的优势，使功率耗散比超模压封装高出三倍。

从丰富的 MOSFET 产品组合中选择最适合您需求的封装。

PQFN 3.3 x 3.3封装的主要优点 MOSFET

PQFN 3.3x3.3 系列具有 4.5 V 和 2.5 V 栅极驱动能力，可提供栅极驱动的灵活性。低 R DS(on)可实现整体系统设计的高效率。小尺寸封装可减少电路板空间，而低栅极电荷则可降低开关和驱动损耗，从而提高设计效率。

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