TOLT顶部散热封装

顶部散热封装，实现卓越的散热性能

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概述

英飞凌 OptiMOS™ 功率 MOSFET 系列可采用高性能 TO-leaded（TOLT）顶部散热封装。TOLT 封装除了具有与 TOLL 封装相同的大电流、小尺寸的优势，还具有顶部散热

关键特性

  • 低 RDS(on)
  • 高电流额定值 > 300 A
  • 高功率密度
  • 无锡散热焊盘
  • 对散热器的热阻低

产品

关于

高功率密度设计，高电流额定值 > 300 A

创新的 TOLT 封装，加上 OptiMOS™ 功率 MOSFET 技术的关键特性，造就一流的产品。该系列采用最新的 OptiMOS™ 5 或 OptiMOS™ 6 功率 MOSFET 技术。产品组合包括 60 V、80 V、100 V 和 150 V 的 MOSFET，最高电流额定值 > 300 A，适用于高功率密度的设计。

TOLT 封装的优势

通过采取顶部散热的方式，漏极暴露在封装表面，95% 的热量可直接散发到散热片上。与 TOLL 封装相比，RthJA 提高了 20%，RthJC 提高了 50%。采用 TOLL 或 D2PAK 等底部散热封装时，热量通过 PCB 传导到散热片上，因此功率损耗更高。

TOLx 系列产品 - TOLL、TOLT 和 TOLG

英飞凌的 TOLx 系列大电流、高功率密度封装 – 无引脚 TO（TOLL）封装、顶部散热带引脚TO（TOLT）封装和鸥翼式带引脚TO（TOLG）封装——可满足不同的要求。TOLL 封装具有高功率密度，TOLG 具有卓越的板载热循环（TCoB），而 TOLT 具有卓越的散热性能，对散热器的热阻最小。

TOLx 系列封装
顶部散热，实现卓越散热性能、减少功率损耗

TOLT 封装的引线框架可翻转，用于将裸露的金属置于顶面。封装的每一侧都有多条鸥翼引线，用于漏极和源极连接、承载大电流。此外，散热焊盘不含锡。

若采用翻转式引线框架，热量会通过绝缘材料从裸露的金属顶部直接传递到散热器。若采用 TOLL 这样的底部散热封装，热量会通过 PCB 散发到散热器，而 PCB 热阻抗会造成功率损耗。新型 TOLT 封装将 RthJA 降低了 20％、RthJC 降低了50％。

高功率密度设计，高电流额定值 > 300 A

创新的 TOLT 封装，加上 OptiMOS™ 功率 MOSFET 技术的关键特性，造就一流的产品。该系列采用最新的 OptiMOS™ 5 或 OptiMOS™ 6 功率 MOSFET 技术。产品组合包括 60 V、80 V、100 V 和 150 V 的 MOSFET，最高电流额定值 > 300 A，适用于高功率密度的设计。

TOLT 封装的优势

通过采取顶部散热的方式，漏极暴露在封装表面，95% 的热量可直接散发到散热片上。与 TOLL 封装相比，RthJA 提高了 20%，RthJC 提高了 50%。采用 TOLL 或 D2PAK 等底部散热封装时，热量通过 PCB 传导到散热片上，因此功率损耗更高。

TOLx 系列产品 - TOLL、TOLT 和 TOLG

英飞凌的 TOLx 系列大电流、高功率密度封装 – 无引脚 TO（TOLL）封装、顶部散热带引脚TO（TOLT）封装和鸥翼式带引脚TO（TOLG）封装——可满足不同的要求。TOLL 封装具有高功率密度，TOLG 具有卓越的板载热循环（TCoB），而 TOLT 具有卓越的散热性能，对散热器的热阻最小。

TOLx 系列封装

顶部散热，实现卓越散热性能、减少功率损耗

TOLT 封装的引线框架可翻转，用于将裸露的金属置于顶面。封装的每一侧都有多条鸥翼引线，用于漏极和源极连接、承载大电流。此外，散热焊盘不含锡。

若采用翻转式引线框架，热量会通过绝缘材料从裸露的金属顶部直接传递到散热器。若采用 TOLL 这样的底部散热封装，热量会通过 PCB 散发到散热器，而 PCB 热阻抗会造成功率损耗。新型 TOLT 封装将 RthJA 降低了 20％、RthJC 降低了50％。

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