mTOLG（8x8）

坚固耐用的功率封装，尺寸为 8x8，适合各种应用。

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概述

mTOLG 封装系列将宽 SOA 和领先的 RDS(on) 性能与英飞凌领先的 OptiMOS™ 5 线性 FET 2 技术完美结合。这是 JEDEC 列出的封装，与其他 8x8 mm2 鸥翼封装 MOSFET 兼容，即LFPAK88型。

关键特性

  • 宽范围安全工作区 (SOA)
  • 超低等级导通电阻
  • 低漏电流
  • 优化传输特性
  • 8 mm x 8 mm 封装

产品

关于

OptiMOS™ 5 线性 FET 2 的优势

使用英飞凌的OptiMOS™线性 FET 和OptiMOS™ 5 线性 FET 2，在增强模式 MOSFET 的饱和区中，导通电阻 (RDS(on)) 和线性模式能力操作之间不存在权衡。 这种革命性的方法提供了沟槽 MOSFET 的最先进的 RDS(on) 以及经典平面 MOSFET 的宽安全工作区 (SOA)。该系列具有低传导损耗，并限制高浪涌电流，防止负载损坏，从而实现更快的启动和更短的停机时间。

了解有关OptiMOS™ 5 Linear FET 2 的更多信息
mTOLG 套件的优势

mTOLG 软件包可为您的应用带来以下好处：

- 增强温度循环结果

- 推荐用于金属基板 PCB

- 最小化传导损耗

- 出色的开关性能

- 高功率密度

- 兼容 8x8mm2 封装

mTOLG 目标应用

OptiMOS™ 5 Linear FET 2 是用于保护功能的理想设备，例如服务器和 AI 服务器中的热插拔、电信中的电子保险丝或电池管理系统 (BMS) 的电池保护组件，这些组件通常用于电动工具、电动自行车、电动滑板车、叉车、电池后备装置和电池供电车辆等广泛的应用中。

OptiMOS™ 5 线性 FET 2 的优势

使用英飞凌的OptiMOS™线性 FET 和OptiMOS™ 5 线性 FET 2，在增强模式 MOSFET 的饱和区中，导通电阻 (RDS(on)) 和线性模式能力操作之间不存在权衡。 这种革命性的方法提供了沟槽 MOSFET 的最先进的 RDS(on) 以及经典平面 MOSFET 的宽安全工作区 (SOA)。该系列具有低传导损耗，并限制高浪涌电流，防止负载损坏，从而实现更快的启动和更短的停机时间。

了解有关OptiMOS™ 5 Linear FET 2 的更多信息
mTOLG 套件的优势

mTOLG 软件包可为您的应用带来以下好处：

- 增强温度循环结果

- 推荐用于金属基板 PCB

- 最小化传导损耗

- 出色的开关性能

- 高功率密度

- 兼容 8x8mm2 封装

mTOLG 目标应用

OptiMOS™ 5 Linear FET 2 是用于保护功能的理想设备，例如服务器和 AI 服务器中的热插拔、电信中的电子保险丝或电池管理系统 (BMS) 的电池保护组件，这些组件通常用于电动工具、电动自行车、电动滑板车、叉车、电池后备装置和电池供电车辆等广泛的应用中。

设计资源

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