这是机器翻译的内容，点击这里了解更多

DirectFET™ 封装技术

采用 DirectFET™ 封装的 OptiMOS™ 和StrongIRFET™功率 MOSFET效率更高

anchor

概述

英飞凌的 DirectFET™ 技术有助于对贴片封装功率 MOSFET 器件进行双面冷却。这使功率和电流密度翻了一番，这反过来又减少了器件数量和系统成本。这些好处源于硅裸片表面存在可焊接触点，用于将栅极和源极连接到印刷电路板上 (PCB)。连接在芯片背面的铜夹提供了与漏极的连接。

关键特性

  • 卓越的功率密度
  • 效率高
  • 低寄生电感
  • 最小的电磁干扰
  • 双面冷却
  • 优化的热性能
  • 扁平化的封装设计
  • 减少电路板空间
  • 高电流能力
  • 减少器件的并联个数

产品

关于

DirectFET™简介


DirectFET™ 是一种贴片封装的半导体技术，主要设计用于板载电源应用。它消除了一些会增大寄生电感，热阻，导通电阻等参数的不必要的封装元素，因此其功率能力超过了其他同等尺寸的封装。

不断发展的 DirectFET™ 封装系列包括各种CAN尺寸和器件布线，您可以在产品列表中找到。

DirectFET™ 应用

与最新的 MOSFET 硅技术一起，DirectFET™ 产品成为注重热特性、能效和功率密度的广泛应用的正确选择，例如太阳能微型逆变器、同步整流、服务器用的 VRM 模块、DC-DC 转换器、OR-ing 开关和断路器、台式电脑、工作站和大型主机。

DirectFET™ 封装结构

DirectFET™ 具有独特的简洁结构，在裸片封装电阻、封装寄生电感和散热能力方面取得了突破。与标准分立封装相比，DirectFET™ 金属CAN可实现双面冷却，从而有效提高器件在既定封装中的效率和载流能力。DirectFET™ 与当今的大批量生产工艺兼容。

DirectFET™简介


DirectFET™ 是一种贴片封装的半导体技术，主要设计用于板载电源应用。它消除了一些会增大寄生电感，热阻，导通电阻等参数的不必要的封装元素，因此其功率能力超过了其他同等尺寸的封装。

不断发展的 DirectFET™ 封装系列包括各种CAN尺寸和器件布线，您可以在产品列表中找到。

DirectFET™ 应用

与最新的 MOSFET 硅技术一起，DirectFET™ 产品成为注重热特性、能效和功率密度的广泛应用的正确选择，例如太阳能微型逆变器、同步整流、服务器用的 VRM 模块、DC-DC 转换器、OR-ing 开关和断路器、台式电脑、工作站和大型主机。

DirectFET™ 封装结构

DirectFET™ 具有独特的简洁结构，在裸片封装电阻、封装寄生电感和散热能力方面取得了突破。与标准分立封装相比，DirectFET™ 金属CAN可实现双面冷却，从而有效提高器件在既定封装中的效率和载流能力。DirectFET™ 与当今的大批量生产工艺兼容。

文档

文档

设计资源

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问 ", "labelEn" : "Ask the community " }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论 ", "labelEn" : "View all discussions " } ] }