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功率模块

采用紧凑封装的半桥 MOSFET 解决方案

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概述

英飞凌 OptiMOS™ 5 功率模块是一款无引脚 5.0 mm x 6.0 mm SMD 小尺寸封装，集成了一个低边和一个高边 MOSFET。这种紧凑、节省空间的设计适用于高功率密度的应用，例如同步整流降压转换器。

关键特性

  • 高功率能力
  • 最佳散热性能
  • 紧凑而简化的布局
  • 回路电感最低的布局
  • 高功率密度

产品

关于

功率模块封装的优势

采用这种节省空间的5 x 6 封装取代两个独立的分立封装（如SO8或SuperSO8），OptiMOS™ 5 功率模块可以帮助客户缩小设计尺寸至少 50%。标准化的功率封装对客户也很有好处，因为市场上不同封装外形的数量被降到了最低，通用性更强。

基准效率和大电流处理

MOSFET半桥系列采用英飞凌久经考验的 OptiMOS™ 5技术，具有低导通电阻（RDS(on)）和品质因数（Qg、Qgd）。低边MOSFET的源极向下连接使得PGND焊盘较大，可明显改善与电路板之间的热阻，简化PCB布局并降低EMI。

该方案让工程师能够通过提高开关频率和功率密度来优化他们的设计，同时也能降低总体BOM成本。

功率模块的特点

功率块封装系列 MOSFET 的特点如下：

  • 最大平均负载电流能力为 50 A
  • 源极朝下的低侧 MOSFET 可实现更好的冷却
  • 内部连接的低侧和高侧 MOSFET 可实现最低环路电感
  • 高压侧开尔文连接可实现更高效的驱动

功率模块封装的优势

采用这种节省空间的5 x 6 封装取代两个独立的分立封装（如SO8或SuperSO8），OptiMOS™ 5 功率模块可以帮助客户缩小设计尺寸至少 50%。标准化的功率封装对客户也很有好处，因为市场上不同封装外形的数量被降到了最低，通用性更强。

基准效率和大电流处理

MOSFET半桥系列采用英飞凌久经考验的 OptiMOS™ 5技术，具有低导通电阻（RDS(on)）和品质因数（Qg、Qgd）。低边MOSFET的源极向下连接使得PGND焊盘较大，可明显改善与电路板之间的热阻，简化PCB布局并降低EMI。

该方案让工程师能够通过提高开关频率和功率密度来优化他们的设计，同时也能降低总体BOM成本。

功率模块的特点

功率块封装系列 MOSFET 的特点如下：

  • 最大平均负载电流能力为 50 A
  • 源极朝下的低侧 MOSFET 可实现更好的冷却
  • 内部连接的低侧和高侧 MOSFET 可实现最低环路电感
  • 高压侧开尔文连接可实现更高效的驱动

文档

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{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问 ", "labelEn" : "Ask the community " }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论 ", "labelEn" : "View all discussions " } ] }