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Source-down PQFN 封装

OptiMOS™源极向下 MOSFET 系列具有业界领先的 RDS(on) 和卓越的热性能，并采用改进的 PQFN 封装

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概述

英飞凌的 OptiMOS™ MOSFET 技术采用了创新的改进型 PQFN 封装，并采用 Source-Down 技术。翻转硅片，源电位通过导热焊盘连接到 PCB。这些器件采用底部冷却（BSC）和双面冷却（DSC）两种冷却方案，尺寸分别为 PQFN 3.3 mm x 3.3 mm 和 PQFN 5 mm x 6 mm。 了解有关 OptiMOS™ MOSFET 的特性、优势和应用的更多信息。

关键特性

  • 低 RDS(on) 小封装
  • 低栅极电荷
  • 降低开关损耗
  • 标准和逻辑电平驱动

产品

关于

提供 Standard-Gate 和 Center-Gate 两种引脚选项

英飞凌提供两种 Source-Down 封装版本：

  • 英飞凌提供两种 Source-Down 封装类型：
    • Source-Down Standard-Gate：基于当前的 PQFN 3.3 mm x 3.3 mm/PQFN 5 mm x 6 mm 引脚布局配置，简化了用新型 Source-Down 封装替换 Drain-Down 封装的过程。
  • • Source-Down Center-Gate：栅极引脚移至中心位置，便于并联配置多个 MOSFET。其漏极到源极的爬电距离更大，可达到 0.75 mm，因此可以在单层 PCB 上连接多个器件的栅极。将栅极连接移动到中心会获得更宽的源极区域，从而改善设备的电气连接。

探索 Source-down PQFN 封装的双面冷却技术。

双面冷却封装优化了热管理能力

在源极朝下的封装中，硅片源极侧的活动沟槽会产生热量，并通过导热垫直接散发到 PCB 中。这使该产品系列的 RthJC 提高了 20% 以上，从 1.8 K/W 提高到 1.4 K/W。此外，暴露的顶部可将 RthJC,top 从 20 K/W（针对过度成型）改善至 0.7 K/W。设备顶部的散热器可以利用这种低 RthJC,top，与过度成型的封装相比，可实现高达三倍的功率耗散。

从最广泛的 MOSFET 产品组合中选择最适合您需求的封装。

创新的 Source-Down 产品组合

英飞凌的OptiMOS™ Source-Down 产品组合提供 PQFN 3.3 mm x 3.3 mm 和 PQFN 5 mm x 6 mm 封装选项，电压范围为 25 V 至 150 V。提供两种尺寸版本：

  • 角门：轻松融入现有 PCB 设计
  • 中心门：针对并行进行了优化。

为了获得卓越的热管理和高功率密度，请从底部冷却 (BSC) 和双面冷却 (DSC) 选项中进行选择。

探索英飞凌的 MOSFET 技术，该技术可为广泛的应用提供卓越的性能、可靠性和热管理。

提供 Standard-Gate 和 Center-Gate 两种引脚选项

英飞凌提供两种 Source-Down 封装版本：

  • 英飞凌提供两种 Source-Down 封装类型：
    • Source-Down Standard-Gate：基于当前的 PQFN 3.3 mm x 3.3 mm/PQFN 5 mm x 6 mm 引脚布局配置，简化了用新型 Source-Down 封装替换 Drain-Down 封装的过程。
  • • Source-Down Center-Gate：栅极引脚移至中心位置，便于并联配置多个 MOSFET。其漏极到源极的爬电距离更大，可达到 0.75 mm，因此可以在单层 PCB 上连接多个器件的栅极。将栅极连接移动到中心会获得更宽的源极区域，从而改善设备的电气连接。

探索 Source-down PQFN 封装的双面冷却技术。

双面冷却封装优化了热管理能力

在源极朝下的封装中，硅片源极侧的活动沟槽会产生热量，并通过导热垫直接散发到 PCB 中。这使该产品系列的 RthJC 提高了 20% 以上，从 1.8 K/W 提高到 1.4 K/W。此外，暴露的顶部可将 RthJC,top 从 20 K/W（针对过度成型）改善至 0.7 K/W。设备顶部的散热器可以利用这种低 RthJC,top，与过度成型的封装相比，可实现高达三倍的功率耗散。

从最广泛的 MOSFET 产品组合中选择最适合您需求的封装。

创新的 Source-Down 产品组合

英飞凌的OptiMOS™ Source-Down 产品组合提供 PQFN 3.3 mm x 3.3 mm 和 PQFN 5 mm x 6 mm 封装选项，电压范围为 25 V 至 150 V。提供两种尺寸版本：

  • 角门：轻松融入现有 PCB 设计
  • 中心门：针对并行进行了优化。

为了获得卓越的热管理和高功率密度，请从底部冷却 (BSC) 和双面冷却 (DSC) 选项中进行选择。

探索英飞凌的 MOSFET 技术，该技术可为广泛的应用提供卓越的性能、可靠性和热管理。

文档

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