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关于

CoolMOS™ 600 V-800 V N 沟道超结 （SJ） 功率 MOSFET

CoolMOS™ 汽车超结 MOSFET 可满足车载充电器、HV-LV DC-DC 转换器、辅助电源、绝缘监测、HV eFuse 和 HV eDisconnect 等电动汽车应用的需求。 我们秉承零缺陷的理念，设计的产品领先市场，并超过了 AEC-Q101 汽车质量标准，兼顾了高性能、低成本和量产可靠性。

通过产品阵容可以看出，我们将创新的概念变为现实，支持新的系统优化方式，并帮助世界各地的工程师在设计中取得成功。

符合汽车标准的 CoolMOS™ 600V-800V N 沟道 MOSFET 产品组合

600 V CoolMOS™ S7A/S7TA - 非常适合 HV eFuse、HV eDisconnect 和车载充电器等慢速开关应用

650 V CoolMOS™ CFD7A – 英飞凌最新产品系列，集成快速体二极管，完美适用于硬开关和谐振开关拓扑、车载充电器、高压-低压直流-直流转换器和辅助电源

650 V CoolMOS™ CFDA - 集成快速体二极管，非常适合谐振开关拓扑、LLC 或全桥相移 ZVS 的 DC-DC 转换器和 HID 灯

600 V CoolMOS™ CPA - 完美适用于车载充电器中的硬开关拓扑和 PFC 升压级

800 V CoolMOS™ C3A - 支持汽车辅助电源对更高系统电压日益增长的需求

秉承零缺陷理念，实现最高性能和可靠性

600 V CoolMOS™ S7A/S7TA：同类最佳 R DS(on) ：10 mΩ；SMD 封装中最小的 R DS(on) ；针对传导性能进行了优化，提高了热阻，具有高脉冲电流能力，在交流线路换向时具有体二极管稳健性；开尔文源概念

650 VCoolMOS™ CFD7A： 电池电压高达 475 V，且不影响可靠性标准；硬开关和软开关拓扑的效率提升高达 98.4%；开尔文源概念可进一步提高效率；与 CoolMOS™CFDA 相比，本征快速体二极管的 Q rr 降低了 30%。

650 V CoolMOS™ CFDA：集成快速体二极管；硬换向期间电压过冲受限 - 自限制 di/dt 和 dv/dt；体二极管重复换向时 Q rr较低，Q oss较低

600 V CoolMOS™ CPA：每封装最低的RDS(on) ；最低的栅极电荷值Qg

800 V CoolMOS™ C3A：在效率、热性能、易用性、高阻断电压方面表现出色

英飞凌超越了 AEC-Q101 汽车质量标准

除了通过 AEC-Q101 认证外，英飞凌十多年来一直在两大支柱的基础上实施零缺陷战略。 首先是高度自动化生产，英飞凌拥有世界上第一座功率半导体 300 毫米量产晶圆厂、高洁净环境中的晶圆，以及全自动运输系统，通过消除人工搬运来减少颗粒。 其次，英飞凌实施了严格的资格认证和产品监控流程，在 AEC-Q101 的基础上进行了资格认证测试，并制定了更严格的通过/未通过标准，定期进行专门的可靠性产品监测，并在生产中实施专门的测试计划和筛选措施。

CoolMOS™ 600 V-800 V N 沟道超结 （SJ） 功率 MOSFET

CoolMOS™ 汽车超结 MOSFET 可满足车载充电器、HV-LV DC-DC 转换器、辅助电源、绝缘监测、HV eFuse 和 HV eDisconnect 等电动汽车应用的需求。 我们秉承零缺陷的理念，设计的产品领先市场，并超过了 AEC-Q101 汽车质量标准，兼顾了高性能、低成本和量产可靠性。

通过产品阵容可以看出，我们将创新的概念变为现实，支持新的系统优化方式，并帮助世界各地的工程师在设计中取得成功。

符合汽车标准的 CoolMOS™ 600V-800V N 沟道 MOSFET 产品组合

600 V CoolMOS™ S7A/S7TA - 非常适合 HV eFuse、HV eDisconnect 和车载充电器等慢速开关应用

650 V CoolMOS™ CFD7A – 英飞凌最新产品系列，集成快速体二极管，完美适用于硬开关和谐振开关拓扑、车载充电器、高压-低压直流-直流转换器和辅助电源

650 V CoolMOS™ CFDA - 集成快速体二极管，非常适合谐振开关拓扑、LLC 或全桥相移 ZVS 的 DC-DC 转换器和 HID 灯

600 V CoolMOS™ CPA - 完美适用于车载充电器中的硬开关拓扑和 PFC 升压级

800 V CoolMOS™ C3A - 支持汽车辅助电源对更高系统电压日益增长的需求

秉承零缺陷理念，实现最高性能和可靠性

600 V CoolMOS™ S7A/S7TA：同类最佳 R DS(on) ：10 mΩ；SMD 封装中最小的 R DS(on) ；针对传导性能进行了优化，提高了热阻，具有高脉冲电流能力，在交流线路换向时具有体二极管稳健性；开尔文源概念

650 VCoolMOS™ CFD7A： 电池电压高达 475 V，且不影响可靠性标准；硬开关和软开关拓扑的效率提升高达 98.4%；开尔文源概念可进一步提高效率；与 CoolMOS™CFDA 相比，本征快速体二极管的 Q rr 降低了 30%。

650 V CoolMOS™ CFDA：集成快速体二极管；硬换向期间电压过冲受限 - 自限制 di/dt 和 dv/dt；体二极管重复换向时 Q rr较低，Q oss较低

600 V CoolMOS™ CPA：每封装最低的RDS(on) ；最低的栅极电荷值Qg

800 V CoolMOS™ C3A：在效率、热性能、易用性、高阻断电压方面表现出色

英飞凌超越了 AEC-Q101 汽车质量标准

除了通过 AEC-Q101 认证外，英飞凌十多年来一直在两大支柱的基础上实施零缺陷战略。 首先是高度自动化生产，英飞凌拥有世界上第一座功率半导体 300 毫米量产晶圆厂、高洁净环境中的晶圆，以及全自动运输系统，通过消除人工搬运来减少颗粒。 其次，英飞凌实施了严格的资格认证和产品监控流程，在 AEC-Q101 的基础上进行了资格认证测试，并制定了更严格的通过/未通过标准，定期进行专门的可靠性产品监测，并在生产中实施专门的测试计划和筛选措施。

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