概述

车规级 600 V CoolMOS™ S7A 超结 MOSFET 适用于以低频和低导通损耗进行开关的 MOSFET xEV 应用，如高压电子保险丝、高压电子断开、和图腾柱 PFC 级慢速开关支路中的车载充电器、或任何前端有源整流器。600 V CoolMOS™ S7A 可以配备或不配备集成温度传感器。

主要特性
  • 最小 RDS (on) * 成本
  • SMD 封装中最小的 RDS (on)
  • 优化了导通性能
  • 提高了耐热性
  • 可配备温度传感器
  • 与 Q-DPAK 中的 CFD7A 和 SiC 结合

 

 

应用
车载充电（OBC）

产品

关于

针对低传导损耗进行了优化：600 V CoolMOS™ S7A MOSFET

全新 MOSFET 设计优化了成本、具有 10 moHm 极低的导通电阻 RDS (on)，可提高功率密度并最大限度地减少传导损耗，同时满足远远超过 AEC-Q101 标准的最高汽车质量。顶部冷却的 QDPAK 和底部冷却的 QDPAK 封装都具有固有的开尔文源、高散热能力和创新的冷却概念，因而提高了效率和可控性。

低频开关应用的最佳开关性能

CoolMOS™ S7A 系列建立在著名的 CoolMOS™ 7 的成功技术优化之上，消除了器件与开关性能相关的冗余功能，因为这些功能在低频开关应用中不需要。 因此，英飞凌的这项新技术在不忽视质量或性能的情况下进行了成本优化，旨在满足远远超过 AEC Q101 标准的最高汽车质量。

更大的芯片实现，拥有 SMD 封装中最低的 RDS (on)

QDPAK 顶部冷却创新技术使更大的芯片实现成为可能，达到市场上 SMD 中最低的 RDS(on)。它提供的冷却概念，可实现电路板和半导体的热解耦。 因此，更高的芯片温度（浪涌/过载能力）是可能的，设计人员可受益于 PCB 设计中增加的灵活性，产生低电阻换向环路。

探索 Q-DPAK 顶部冷却封装

针对低传导损耗进行了优化：600 V CoolMOS™ S7A MOSFET

全新 MOSFET 设计优化了成本、具有 10 moHm 极低的导通电阻 RDS (on)，可提高功率密度并最大限度地减少传导损耗，同时满足远远超过 AEC-Q101 标准的最高汽车质量。顶部冷却的 QDPAK 和底部冷却的 QDPAK 封装都具有固有的开尔文源、高散热能力和创新的冷却概念，因而提高了效率和可控性。

低频开关应用的最佳开关性能

CoolMOS™ S7A 系列建立在著名的 CoolMOS™ 7 的成功技术优化之上，消除了器件与开关性能相关的冗余功能，因为这些功能在低频开关应用中不需要。 因此，英飞凌的这项新技术在不忽视质量或性能的情况下进行了成本优化，旨在满足远远超过 AEC Q101 标准的最高汽车质量。

更大的芯片实现，拥有 SMD 封装中最低的 RDS (on)

QDPAK 顶部冷却创新技术使更大的芯片实现成为可能，达到市场上 SMD 中最低的 RDS(on)。它提供的冷却概念，可实现电路板和半导体的热解耦。 因此，更高的芯片温度（浪涌/过载能力）是可能的，设计人员可受益于 PCB 设计中增加的灵活性，产生低电阻换向环路。

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