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Q-DPAK

CoolMOS™ SJ MOSETs and CoolSiC™ Silicon Carbide MOSFETs in quadruple DPAK (Q-DPAK)

anchor

概述

The latest Q-DPAK package, Infineon extended the top-side cooling offering even further. The Q-DPAK package is twice as big as the D-DPAK and extends the usage into higher power applications. 

关键特性

  • >20% higher power dissipation
  • >12°C lower board temperature
  • Kelvin source pin
  • TCOB capability of >2000 cycles
  • MSL1-compliant
  • Pb-free

产品

关于

采用 DDPAK/QDPAK 封装的 CoolMOS™ SJ MOSFET 和 CoolSiC™ 肖特基二极管

顶部冷却封装继续获得市场份额，特别是在将高功率处理要求与转换器尺寸限制相结合的应用中。这些顶部冷却的封装通过将换向回路（底部/PCB 侧）中的电流分布与将热量从芯片结（顶部）传输出去的路径分开来满足此类要求。结果是开关单元具有极低寄生效应 (<5 nH) 和最佳/最低的热阻。

最新一代的双和四 DPAK MOSFET 封装

顶部冷却封装深受电力电子界的欢迎 - 这些封装提供其他封装（无论是 SMD 还是 TH）无法达到的性能（电和热），并通过自动放置降低制造成本。QDPAK现在是JEDEC标准的一部分，促进了双重采购。

更高的功率密度和系统寿命，更大的功耗

DPAK 和 QDPAK 通过元件的顶部进行散热，因此只有寄生热通量穿过PCB。因此，当PCB运行温度较低时，可以产生更高的功耗。由于散热不再干扰电流分配，寄生开关单元现在可以优化布线至>5 nH，从而实现更大的电流的更快换向。

采用 DDPAK/QDPAK 封装的 CoolMOS™ SJ MOSFET 和 CoolSiC™ 肖特基二极管

顶部冷却封装继续获得市场份额，特别是在将高功率处理要求与转换器尺寸限制相结合的应用中。这些顶部冷却的封装通过将换向回路（底部/PCB 侧）中的电流分布与将热量从芯片结（顶部）传输出去的路径分开来满足此类要求。结果是开关单元具有极低寄生效应 (<5 nH) 和最佳/最低的热阻。

最新一代的双和四 DPAK MOSFET 封装

顶部冷却封装深受电力电子界的欢迎 - 这些封装提供其他封装（无论是 SMD 还是 TH）无法达到的性能（电和热），并通过自动放置降低制造成本。QDPAK现在是JEDEC标准的一部分，促进了双重采购。

更高的功率密度和系统寿命，更大的功耗

DPAK 和 QDPAK 通过元件的顶部进行散热，因此只有寄生热通量穿过PCB。因此，当PCB运行温度较低时，可以产生更高的功耗。由于散热不再干扰电流分配，寄生开关单元现在可以优化布线至>5 nH，从而实现更大的电流的更快换向。

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