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DDPAK 和 QDPAK

CoolMOS™ SJ MOSETs 和 CoolSiC™ 肖特基二极管 Gen6 采用双和四 DPAK （DDPAK/QDPAK）

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概述

凭借DDPAK封装，英飞凌推出了首款顶部冷却表面贴装器件（SMD）封装，适用于PC电源、太阳能、服务器和电信等高功率SMPS应用。借助最新的QDPAK封装，英飞凌进一步扩展了顶部冷却产品。QDPAK封装尺寸是DDPAK的两倍，并将用途扩展到更高功率的应用。

关键特性

  • >20% 更高的功耗
  • >12°C 更低的电路板温度
  • 开尔文源极引脚
  • TCOB 能力>2000 个周期
  • 符合 MSL1 标准
  • 无铅

产品

关于

采用 DDPAK/QDPAK 封装的 CoolMOS™ SJ MOSFET 和 CoolSiC™ 肖特基二极管

顶部冷却封装继续获得市场份额，特别是在将高功率处理要求与转换器尺寸限制相结合的应用中。这些顶部冷却的封装通过将换向回路（底部/PCB 侧）中的电流分布与将热量从芯片结（顶部）传输出去的路径分开来满足此类要求。结果是开关单元具有极低寄生效应 (<5 nH) 和最佳/最低的热阻。

最新一代的双和四 DPAK MOSFET 封装

顶部冷却封装深受电力电子界的欢迎 - 这些封装提供其他封装（无论是 SMD 还是 TH）无法达到的性能（电和热），并通过自动放置降低制造成本。QDPAK现在是JEDEC标准的一部分，促进了双重采购。

更高的功率密度和系统寿命，更大的功耗

DPAK 和 QDPAK 通过元件的顶部进行散热，因此只有寄生热通量穿过PCB。因此，当PCB运行温度较低时，可以产生更高的功耗。由于散热不再干扰电流分配，寄生开关单元现在可以优化布线至>5 nH，从而实现更大的电流的更快换向。

采用 DDPAK/QDPAK 封装的 CoolMOS™ SJ MOSFET 和 CoolSiC™ 肖特基二极管

顶部冷却封装继续获得市场份额，特别是在将高功率处理要求与转换器尺寸限制相结合的应用中。这些顶部冷却的封装通过将换向回路（底部/PCB 侧）中的电流分布与将热量从芯片结（顶部）传输出去的路径分开来满足此类要求。结果是开关单元具有极低寄生效应 (<5 nH) 和最佳/最低的热阻。

最新一代的双和四 DPAK MOSFET 封装

顶部冷却封装深受电力电子界的欢迎 - 这些封装提供其他封装（无论是 SMD 还是 TH）无法达到的性能（电和热），并通过自动放置降低制造成本。QDPAK现在是JEDEC标准的一部分，促进了双重采购。

更高的功率密度和系统寿命，更大的功耗

DPAK 和 QDPAK 通过元件的顶部进行散热，因此只有寄生热通量穿过PCB。因此，当PCB运行温度较低时，可以产生更高的功耗。由于散热不再干扰电流分配，寄生开关单元现在可以优化布线至>5 nH，从而实现更大的电流的更快换向。

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