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CoolMOS™ 封装

革命性的 CoolMOS™ 超结 MOSFET 技术需要创新的封装来引领未来趋势

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关于

采用创新封装的 CoolMOS™ 超结（SJ）MOSFET

小功率应用通常销往价格敏感的消费领域，所面对的客户非常注重如何节约物料清单（BOM）成本。为节省成本，英飞凌提供特殊的封装特性，无需客户进行额外的装配，并通过我们出色的 CoolMOS™ 超结技术实现更小的封装。

小功率和大功率 MOSFET 封装中的 CoolMOS™ 技术

大功率应用非常注重性能。为进一步提高效率和散热性能，同时考虑到更小的封装尺寸，英飞凌推出了具有开尔文源功能的封装和首款顶部散热的 SMD 封装 DDPAK。将高压 600 V CoolMOS™ G7 超结（SJ）MOSFET 和 650 V CoolSiC™ G6 肖特基二极管的优势与 DDPAK 和 QDPAK 中的顶部散热创新概念相结合。

用最全面的封装方案为您打造最佳的设计

CoolMOS™ 器件采用多种封装，有通孔或表贴封装、顶部或底部散热版本，适合所有相关应用，具有合适的性能和成本。为了解决双重采购的问题，所有这些封装，包括最具创新性的顶部散热封装，都符合 JEDEC 标准。此外，英飞凌还对后端生产力进行了投资，打造安全的供应链。英飞凌在封装领域不断创新，为您提供品质卓越、性能可靠的产品。

采用创新封装的 CoolMOS™ 超结（SJ）MOSFET

小功率应用通常销往价格敏感的消费领域，所面对的客户非常注重如何节约物料清单（BOM）成本。为节省成本，英飞凌提供特殊的封装特性，无需客户进行额外的装配，并通过我们出色的 CoolMOS™ 超结技术实现更小的封装。

小功率和大功率 MOSFET 封装中的 CoolMOS™ 技术

大功率应用非常注重性能。为进一步提高效率和散热性能，同时考虑到更小的封装尺寸，英飞凌推出了具有开尔文源功能的封装和首款顶部散热的 SMD 封装 DDPAK。将高压 600 V CoolMOS™ G7 超结（SJ）MOSFET 和 650 V CoolSiC™ G6 肖特基二极管的优势与 DDPAK 和 QDPAK 中的顶部散热创新概念相结合。

用最全面的封装方案为您打造最佳的设计

CoolMOS™ 器件采用多种封装，有通孔或表贴封装、顶部或底部散热版本，适合所有相关应用，具有合适的性能和成本。为了解决双重采购的问题，所有这些封装，包括最具创新性的顶部散热封装，都符合 JEDEC 标准。此外，英飞凌还对后端生产力进行了投资，打造安全的供应链。英飞凌在封装领域不断创新，为您提供品质卓越、性能可靠的产品。

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