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TO-leadless

600 V and 650 V CoolMOS™ C7 Gold superjunction MOSFET in TO-Leadless (G7) - the perfect balance of high-efficiency and ease of use

anchor

概述

The combination of improved 650 V CoolMOS™ C7 and 600 V CoolMOS™ C7 superjunction (SJ) MOSFET technology plus the low parasitic inductance from both the package and 4-pin Kelvin source option, and the improved thermal performance of the TOLL package all add together to enable for the first time the possibility of using a surface mount (or SMD) solution in mid to high power factor correction circuits and resonant topologies such as LLC.

关键特性

  • Thermal improvement over D2PAK
  • World‘s lowest RDS(on)/package
  • Space reduction vs D2PAK and TO-220
  • MSL1 compliant, wave, and reflow
  • Visual inspection with grooved pins
  • Kelvin source option

产品

关于

高功率 SMD 封装

热性能和电流性能优于D2PAK，与TO-220相似。该封装与快速开关CoolMOS™相结合，在转换器密度和降低组装成本方面具有明显优势。 开尔文源选项允许加速换向并减少振荡，从而减少 EMI 滤波器需求。

降低装配成本

TO-leadless允许在PCB上实现高吞吐量的自动贴装 - 以前这种功率类组件无法实现。虽然该封装采用无引线的，但是可最大限度地减少杂散电感，它还允许对焊点质量进行光学检查，从而提高生产线末端良率。

600 V CoolMOS™ G7 的优势
  • 降低开关损耗，提高系统效率
  • 提高性能和功率密度

TO无引线封装的优点：

  • 增加功率密度
  • 高品质、易用性
  • 改进制造工艺
  • 提高效率和易用性
  • 可用于更高电流的应用

高功率 SMD 封装

热性能和电流性能优于D2PAK，与TO-220相似。该封装与快速开关CoolMOS™相结合，在转换器密度和降低组装成本方面具有明显优势。 开尔文源选项允许加速换向并减少振荡，从而减少 EMI 滤波器需求。

降低装配成本

TO-leadless允许在PCB上实现高吞吐量的自动贴装 - 以前这种功率类组件无法实现。虽然该封装采用无引线的，但是可最大限度地减少杂散电感，它还允许对焊点质量进行光学检查，从而提高生产线末端良率。

600 V CoolMOS™ G7 的优势
  • 降低开关损耗，提高系统效率
  • 提高性能和功率密度

TO无引线封装的优点：

  • 增加功率密度
  • 高品质、易用性
  • 改进制造工艺
  • 提高效率和易用性
  • 可用于更高电流的应用

文档

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