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TO-Leadless

采用 TO-Leadless（G7）600 V 和 650 V CoolMOS™ C7 Gold 超结MOSFET - 高效率和易用性的完美平衡

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概述

改进的 650 V CoolMOS™ C7 和 600 V CoolMOS™ C7 超结 （SJ） MOSFET 技术、封装和 4 引脚开尔文源极选项的低寄生电感以及 TLOLL 封装改进的热性能相结合，首次实现了在中高功率因数校正电路和谐振拓扑（如 LLC）中使用表面贴装（或 SMD）解决方案的可能性。

关键特性

  • 与 D²PAK 相比，散热有所改善
  • 全球最低的 RDS (on) /封装
  • 与 D²PAK 和 TO-220 相比，空间减少
  • 符合 MSL1 标准，波峰焊和回流焊
  • 用凹槽销进行目视检查
  • 开尔文源选项

产品

关于

高功率 SMD 封装

热性能和电流性能优于D2PAK，与TO-220相似。该封装与快速开关CoolMOS™相结合，在转换器密度和降低组装成本方面具有明显优势。 开尔文源选项允许加速换向并减少振荡，从而减少 EMI 滤波器需求。

降低装配成本

TO-leadless允许在PCB上实现高吞吐量的自动贴装 - 以前这种功率类组件无法实现。虽然该封装采用无引线的，但是可最大限度地减少杂散电感，它还允许对焊点质量进行光学检查，从而提高生产线末端良率。

600 V CoolMOS™ G7 的优势
  • 降低开关损耗，提高系统效率
  • 提高性能和功率密度

TO无引线封装的优点：

  • 增加功率密度
  • 高品质、易用性
  • 改进制造工艺
  • 提高效率和易用性
  • 可用于更高电流的应用

高功率 SMD 封装

热性能和电流性能优于D2PAK，与TO-220相似。该封装与快速开关CoolMOS™相结合，在转换器密度和降低组装成本方面具有明显优势。 开尔文源选项允许加速换向并减少振荡，从而减少 EMI 滤波器需求。

降低装配成本

TO-leadless允许在PCB上实现高吞吐量的自动贴装 - 以前这种功率类组件无法实现。虽然该封装采用无引线的，但是可最大限度地减少杂散电感，它还允许对焊点质量进行光学检查，从而提高生产线末端良率。

600 V CoolMOS™ G7 的优势
  • 降低开关损耗，提高系统效率
  • 提高性能和功率密度

TO无引线封装的优点：

  • 增加功率密度
  • 高品质、易用性
  • 改进制造工艺
  • 提高效率和易用性
  • 可用于更高电流的应用

文档

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