采用SOT-223封装的CoolMOS™ 超级结MOSFET

SOT-223 封装的CoolMOS™ 超结 MOSFET

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概述

经济实惠的 DPAK 替代品，适用于消费类应用。 Infineon 拥有全球首个采用 SOT-223 封装的完整高压 MOSFET 产品系列，在保持与 DPAK footprint 完全兼容的同时，降低了总体物料清单 (BOM)。SOT-223封装使用了为消费类应用量身定制的最新 CoolMOS™ 超结技术。

关键特性

  • 与DPAK 封装兼容
  • 最低的封装成本
  • 减小了尺寸与厚度
  • Rthjc 17-21 K/W

产品

关于

采用 SOT-223 封装的CoolMOS™ 超结 MOSFET

Infineon 通过 CoolMOS™ 超结技术给 MOSFET 带来了革命性的创新，该技术现在采用了 SOT-223 封装。

作为 DPAK 封装的替代品，这种经济实惠的封装非常适合消费类应用，可显著减少您的物料清单 (BOM)。

这种封装的高压MOSFET产品系列与DPAK封装的完全兼容性，同时具有卓越的性能。

世界上第一个采用 SOT-223 封装的高压 MOSFET 产品系列

Infineon 推出了首个采用SOT-223封装的完整高压MOSFET产品系列，使减少消费类应用的整体BOM比以往任何时候都更容易、更具成本效益。带着CoolMOS™ 超结技术和可直接应用于 DPAK footprint的封装，在高效电源变换和提高功率密度方面达到了新的水平。

高性价比的 SOT-223 CoolMOS™ MOSFET 拥有卓越的性能

使用 Infineon 具有成本效益的SOT-223封装，与DPAK解决方案相比，CoolMOS™ 系列产品在高压和高密度高阻抗用中具有卓越的性能。这是因为每个RDS(on)（漏源导通电阻）的几何形状最小，并且降低了总的 BOM 成本。由于这种转变，用户受益于更小的封装尺寸、更小的占板面积和更高的效率。此外，SOT-223 封装安装在兼容的 DPAK footprint 时没有散热限制，使其成为这些应用中最有效的解决方案。

采用 SOT-223 封装的CoolMOS™ 超结 MOSFET

Infineon 通过 CoolMOS™ 超结技术给 MOSFET 带来了革命性的创新，该技术现在采用了 SOT-223 封装。

作为 DPAK 封装的替代品，这种经济实惠的封装非常适合消费类应用，可显著减少您的物料清单 (BOM)。

这种封装的高压MOSFET产品系列与DPAK封装的完全兼容性，同时具有卓越的性能。

世界上第一个采用 SOT-223 封装的高压 MOSFET 产品系列

Infineon 推出了首个采用SOT-223封装的完整高压MOSFET产品系列，使减少消费类应用的整体BOM比以往任何时候都更容易、更具成本效益。带着CoolMOS™ 超结技术和可直接应用于 DPAK footprint的封装，在高效电源变换和提高功率密度方面达到了新的水平。

高性价比的 SOT-223 CoolMOS™ MOSFET 拥有卓越的性能

使用 Infineon 具有成本效益的SOT-223封装，与DPAK解决方案相比，CoolMOS™ 系列产品在高压和高密度高阻抗用中具有卓越的性能。这是因为每个RDS(on)（漏源导通电阻）的几何形状最小，并且降低了总的 BOM 成本。由于这种转变，用户受益于更小的封装尺寸、更小的占板面积和更高的效率。此外，SOT-223 封装安装在兼容的 DPAK footprint 时没有散热限制，使其成为这些应用中最有效的解决方案。

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