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英飞凌推出最新功率 MOSFET 技术 OptiMOS™ 7 40 V，采用创新的无引线稳健型功率封装。

OptiMOS™ 7 40 V 以业界最低的导通电阻提供极高的功率密度和能效。 同时，它还降低了开关损耗，提高了 SOA 鲁棒性和雪崩电流能力，从而促进未来汽车应用的高效系统设计。 英飞凌再次为未来的汽车应用设定了标准：

OptiMOS™ 7 40 V MOSFET 适用于未来的汽车应用

主要特性
  • RDS(on) 非常低
  • 高雪崩能力
  • 高 SOA 鲁棒性
  • 快速开关时间（打开/关闭）
  • 带铜夹的无引线封装
  • 领先的薄晶片铜技术
  • 领先的 300 毫米自有产线生产
  • 超越 AEC-Q101 的扩展资格
  • 英飞凌汽车设计和质量
  • 顶部冷却封装产品
  • PPAP 兼容设备
主要优势
  • 高功率密度和效率
  • 增强的电流能力
  • 提高的设计鲁棒性
  • 卓越的开关性能
  • 高质量的车规级产品
  • 小封装& 高效冷却
  • 车规级产品
  • 减少传导损耗
主要优势
  • RDS(on)降低
    • 相比OptiMOS™ 6 40V 降低 25%
    • 相比OptiMOS™ 5 80V/100V 降低 40%
  • I D电流比上一代有所增加。

OptiMOS™ 7 40 V 可逐步用于以下创新型& 鲁棒的汽车封装：

OptiMOS-7-40-V
OptiMOS-7-40-V
OptiMOS-7-40-V

OptiMOS™ 7 40 V 产品将推动未来的汽车系统实现最高的功率密度和系统效率、最小的外形尺寸和显著的空间节省、改善的冷却、降低的系统成本以及易于设计的最佳质量的产品和应用。 点击此处了解更多信息

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