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P 沟道功率 MOSFET

P 沟道功率 MOSFET 降低了中低功率应用中的设计复杂性

概述

英飞凌的 P 沟道 MOSFET 是一种极具吸引力的解决方案，通常用于负载开关的设计。P 沟道解决方案在高压侧的简单性有利于低压驱动和空间受限系统中的非隔离负载点等应用。作为高压侧开关，P 沟道 MOSFET 简化了驱动电路，是一种性价比很高的解决方案。

关键特性

  • 降低了设计复杂性
  • 易于与微控制器连接
  • 快速开关
  • 雪崩耐用性
  • 标准与逻辑驱动可选
  • 行业标准封装

关于

P 沟道功率 MOSFET 电压等级

英飞凌拥有电压等级从 -12 V 到 -250 V 的 P 沟道功率 MOSFET。P 沟道增强模式功率 MOSFET 提供了一种新的选择，可以在优化性能的同时简化电路，有 -60 V 和 -100 V 产品系列以及 -200 V 和 -250 V 等产品可供选择。 P 沟道器件的主要优点是降低了中低功率应用中的设计复杂性。 英飞凌的 -12 V 和 -20 V P 沟道 MOSFET 系列提供行业标准的表贴功率封装，而 -30 V 和 -40 V P 沟道 MOSFET 则为分销合作伙伴提供最广泛的供货而进行了优化。

包括 -12 V 系列产品的 P 通道功率 MOSFET 非常适合电池保护、反极性保护、线性电池充电器、负载开关、DC-DC 变换器和低压电机驱动等应用。 P 沟道 MOSFET，如 -30 V 的产品，通常用于笔记本电脑和手机等消费类电子产品。

P 沟道功率 MOSFET 产品封装

可选封装包括 D²PAK、DPAK、DirectFET、IPAK、I2PAK、PQFN、SOT-223、TO-220、TO-247、SOT-23、TSOP-6 和 superSO8 等。 浏览我们的产品列表，查找完整的 P 沟道 MOSFET 产品，包括我们的 OptiMOS™ 产品系列，电压等级从 -12 V 到 -250 V 不等。

P 沟道功率 MOSFET 的应用

英飞凌为广泛的工业和汽车应用提供丰富的 P 沟道功率 MOSFET 产品组合。

工业应用：英飞凌丰富的 P 沟道功率 MOSFET 产品组合非常适合各种工业应用，包括电池保护、反极性保护、线性电池充电器、负载开关、DC-DC 转换器、板载充电器、电机控制和低压电机驱动器。

汽车应用：英飞凌拥有各种型号的 P 沟道功率 MOSFET 产品，这些产品专为汽车应用而设计且符合 AEC 标准。

符合汽车标准的 P 沟道 MOSFET
应用中 P 沟道和 N 沟道 MOSFET 的比较

当用作高边开关时，N 沟道 MOSFET 的源极电压比地线电压更高。 因此，要驱动 N 沟道 MOSFET，必须使用隔离式栅极驱动器或脉冲变压器。 驱动器需要额外的电源，而变压器有时会有出错的状况。 但是，P 沟道并非如此。 用一个非常简单的电平转换器电路来驱动一个P沟道高压侧开关是很容易的。 这样做可以简化电路，通常会降低总体成本。

但是，这里需要注意的一点是，相同芯片尺寸的 P 沟道 MOSFET 不可能实现与 N 沟道具有相同的 RDS(on) 性能。 由于 N 沟道中载波的迁移率大约比 P 沟道高的 2 到 3 倍，因此对于相同的 RDS(on) 值，P 沟道芯片的大小必须是 N 沟道的 2 到 3 倍。 由于芯片尺寸较大，P 沟道器件具有较低的热阻和更高的额定电流，但其动态性能将成比例地受到芯片尺寸的影响。

P 沟道功率 MOSFET 电压等级

英飞凌拥有电压等级从 -12 V 到 -250 V 的 P 沟道功率 MOSFET。P 沟道增强模式功率 MOSFET 提供了一种新的选择，可以在优化性能的同时简化电路，有 -60 V 和 -100 V 产品系列以及 -200 V 和 -250 V 等产品可供选择。 P 沟道器件的主要优点是降低了中低功率应用中的设计复杂性。 英飞凌的 -12 V 和 -20 V P 沟道 MOSFET 系列提供行业标准的表贴功率封装，而 -30 V 和 -40 V P 沟道 MOSFET 则为分销合作伙伴提供最广泛的供货而进行了优化。

包括 -12 V 系列产品的 P 通道功率 MOSFET 非常适合电池保护、反极性保护、线性电池充电器、负载开关、DC-DC 变换器和低压电机驱动等应用。 P 沟道 MOSFET，如 -30 V 的产品，通常用于笔记本电脑和手机等消费类电子产品。

P 沟道功率 MOSFET 产品封装

可选封装包括 D²PAK、DPAK、DirectFET、IPAK、I2PAK、PQFN、SOT-223、TO-220、TO-247、SOT-23、TSOP-6 和 superSO8 等。 浏览我们的产品列表，查找完整的 P 沟道 MOSFET 产品，包括我们的 OptiMOS™ 产品系列，电压等级从 -12 V 到 -250 V 不等。

P 沟道功率 MOSFET 的应用

英飞凌为广泛的工业和汽车应用提供丰富的 P 沟道功率 MOSFET 产品组合。

工业应用：英飞凌丰富的 P 沟道功率 MOSFET 产品组合非常适合各种工业应用，包括电池保护、反极性保护、线性电池充电器、负载开关、DC-DC 转换器、板载充电器、电机控制和低压电机驱动器。

汽车应用：英飞凌拥有各种型号的 P 沟道功率 MOSFET 产品，这些产品专为汽车应用而设计且符合 AEC 标准。

符合汽车标准的 P 沟道 MOSFET

应用中 P 沟道和 N 沟道 MOSFET 的比较

当用作高边开关时，N 沟道 MOSFET 的源极电压比地线电压更高。 因此，要驱动 N 沟道 MOSFET，必须使用隔离式栅极驱动器或脉冲变压器。 驱动器需要额外的电源，而变压器有时会有出错的状况。 但是，P 沟道并非如此。 用一个非常简单的电平转换器电路来驱动一个P沟道高压侧开关是很容易的。 这样做可以简化电路，通常会降低总体成本。

但是，这里需要注意的一点是，相同芯片尺寸的 P 沟道 MOSFET 不可能实现与 N 沟道具有相同的 RDS(on) 性能。 由于 N 沟道中载波的迁移率大约比 P 沟道高的 2 到 3 倍，因此对于相同的 RDS(on) 值，P 沟道芯片的大小必须是 N 沟道的 2 到 3 倍。 由于芯片尺寸较大，P 沟道器件具有较低的热阻和更高的额定电流，但其动态性能将成比例地受到芯片尺寸的影响。

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