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高级反激式控制器

高功率密度和高效率设计,采用高级的反激式控制器

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概述

英飞凌的 OptiMOS™ MOSFET 技术采用了创新的改进型 PQFN 封装,并采用 Source-Down 技术。翻转硅片,源电位通过导热焊盘连接到 PCB。这些器件采用底部冷却(BSC)和双面冷却(DSC)两种冷却方案,尺寸分别为 PQFN 3.3 mm x 3.3 mm 和 PQFN 5 mm x 6 mm。 了解有关 OptiMOS™ MOSFET 的特性、优势和应用的更多信息。

关键特性

  • 零电压开关 (ZVS)
  • 多模式操作
  • 集成的高压启动单元
  • 通过 GUI 配置参数
  • 内置保护模式
  • 低边 ZVS MOSFET 栅极控制

关于

为了满足对更高效率和/或更小电源日益增长的需求,英飞凌提供了一系列高级的反激式控制器,可实现低成本转换器设计。

英飞凌高级的反激式控制器具有零电压开关(ZVS),可最大限度地减少开关损耗,同时允许提高开关频率并实现电源的小型化。通过感应负电流对主高压MOSFET放电,与传统的谷值开关相比,开关损耗可以进一步降低。

高级的反激式控制器集成了多模式操作,以优化不同线路和负载条件下的效率,同时保持反激式转换器的简单性。集成的 ASSP 数字引擎为多模式操作和保护功能提供高级算法。强制准谐振 ZVS 操作支持优化的高密度适配器系统尺寸。此外,还集成了一次性可编程(OTP)单元,以提供一组选择性的可配置参数,这些参数可以与专用系统设计相匹配。

为了满足对更高效率和/或更小电源日益增长的需求,英飞凌提供了一系列高级的反激式控制器,可实现低成本转换器设计。

英飞凌高级的反激式控制器具有零电压开关(ZVS),可最大限度地减少开关损耗,同时允许提高开关频率并实现电源的小型化。通过感应负电流对主高压MOSFET放电,与传统的谷值开关相比,开关损耗可以进一步降低。

高级的反激式控制器集成了多模式操作,以优化不同线路和负载条件下的效率,同时保持反激式转换器的简单性。集成的 ASSP 数字引擎为多模式操作和保护功能提供高级算法。强制准谐振 ZVS 操作支持优化的高密度适配器系统尺寸。此外,还集成了一次性可编程(OTP)单元,以提供一组选择性的可配置参数,这些参数可以与专用系统设计相匹配。

文档

设计资源

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