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CoolSiC™ 肖特基二极管 600 V G3

在效率提高的同时更经济实惠

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概述

任何给定额定电流下的业界最低器件电容。

关键特性

  • 基准开关行为
  • 不含反向恢复电荷
  • 与温度无关的开关
  • 高工作温度 Tjmax = 175°C

产品系列对比

产品

关于

在效率提高的同时更经济实惠

英飞凌第三代 CoolSiC™ 碳化硅肖特基二极管，在任何给定额定电流下都具有业界最低的器件电容，这进一步提高了整体系统效率，尤其是在更高的开关频率和低负载条件下。 G3 基于与 G2 相同的技术平台，在封装层面引入了所谓的扩散焊接。 第三代产品将 DPAK 作为新封装添加到产品系列中。 与硅二极管相比，小尺寸的 DPAK 受益于基准开关行为和效率的提升，特别适合高功率密度表面贴装设计，满足客户需求。

支持更高的频率并提高系统效率

与硅二极管相比，系统效率有所提高；可实现更高的频率和更高的功率密度；降低EMI；高度稳定的开关性能；降低冷却要求，从而降低系统成本并提高系统可靠性

高工作温度和基准开关行为

以最小的电容实现基准开关行为；作为肖特基二极管，该产品没有反向恢复电荷，可实现快速干净的开关行为。 所有这些都允许更平坦的效率曲线，部分负荷下的损耗会降低。 该器件表现出与温度无关的开关行为，并且在 Tjmax = 175°C 下运行，这是以前使用 Si 器件无法实现的。

在效率提高的同时更经济实惠

英飞凌第三代 CoolSiC™ 碳化硅肖特基二极管，在任何给定额定电流下都具有业界最低的器件电容，这进一步提高了整体系统效率，尤其是在更高的开关频率和低负载条件下。 G3 基于与 G2 相同的技术平台，在封装层面引入了所谓的扩散焊接。 第三代产品将 DPAK 作为新封装添加到产品系列中。 与硅二极管相比，小尺寸的 DPAK 受益于基准开关行为和效率的提升，特别适合高功率密度表面贴装设计，满足客户需求。

支持更高的频率并提高系统效率

与硅二极管相比，系统效率有所提高；可实现更高的频率和更高的功率密度；降低EMI；高度稳定的开关性能；降低冷却要求，从而降低系统成本并提高系统可靠性

高工作温度和基准开关行为

以最小的电容实现基准开关行为；作为肖特基二极管，该产品没有反向恢复电荷，可实现快速干净的开关行为。 所有这些都允许更平坦的效率曲线，部分负荷下的损耗会降低。 该器件表现出与温度无关的开关行为，并且在 Tjmax = 175°C 下运行，这是以前使用 Si 器件无法实现的。

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