硅超薄晶圆将有助于大幅提高人工智能数据中心、消费、电机控制和计算应用中电源转换解决方案的能效、功率密度和可靠性。与基于厚度为 40-60 微米的传统硅晶圆的解决方案相比，将晶圆厚度减半可将晶圆的基底电阻降低 50%，从而将电源系统中的功率损耗降低 15%以上。

基于垂直沟槽 MOSFET 技术的超薄晶圆技术促进了垂直功率传输设计，从而降低了功率损耗，提高了电源系统的整体效率。阅读本新闻稿的更多内容。

英飞凌在加工直径为 300 毫米的最薄硅功率晶圆方面取得了突破性进展，晶圆厚度仅为 20 微米。这种晶圆比头发丝还细，厚度仅为目前最先进晶圆的一半，这使得英飞凌能够突破半导体技术的技术极限，为客户提供卓越的价值。

超薄晶圆技术标志着高能效电源解决方案向前迈出了重要一步，有助于充分发挥全球去碳化和数字化趋势的潜力。凭借这一技术杰作，英飞凌掌握了 Si、SiC 和 GaN 三种相关半导体材料，从而巩固了我们作为行业创新领导者的地位。

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OptiMOS™ ——面向中低压电源解决方案的创新与性能

视频

技术突破：英飞凌推出世界上最薄的硅功率晶圆

英飞凌是世界上首家掌握处理和加工 20 微米超薄功率半导体晶圆的半导体制造商，这种晶圆的厚度只有普通 40-60 微米晶圆的一半。

超薄晶圆可将衬底电阻降低一半，并将功率损耗减少 15% 以上。这项业内首创的技术可满足各种应用需求，并强化了英飞凌的 "Powering AI "战略蓝图。

英飞凌推出厚度仅为 20 微米的硅功率晶圆

为攻克将晶圆厚度减小到 20 微米左右的技术难题，英飞凌工程师必须开创一套创新独特的晶圆研磨方法，因为将芯片固定在晶圆上的金属堆叠层厚度超过 20 微米。这极大地影响了薄晶圆背面的处理和加工。

此外，技术和生产方面的挑战，如晶圆弯曲和晶圆分离，也对后端装配工艺产生了重大影响，从而确保了晶圆的稳定性和一流的坚固性。

附加信息

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