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OptiMOS™ 5 150 V

RDS(on) 和反向恢复电荷 (Qrr) 有突破性降低

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概述

OptiMOS™ 5 150 V 功率 MOSFET 在不影响 FOMgd 和 FOMOSS 的情况下，突破性地降低了 RDS(on) 和 Qrr，从而有效地减少了设计工作，同时优化了系统效率。此外，超低的反向恢复电荷提高了换向的坚固性。 

关键特性

  • 在保持 FOM 的同时降低 RDS(on)
  • 低输出电荷
  • 超低反向恢复电荷
  • 换向可靠坚固
  • 高开关频率

产品

关于

多种封装可选，满足您的设计要求

英飞凌 OptiMOS™ 5 150 V 功率 MOSFET 封装包括 SuperSO8、TO-220、TOLL, TOLG, TOLT、D2PAK、D2PAK-7、PQFN 3.3 x 3.3 mm。毫米封装。该系列 MOSFET 不仅输出电荷更低，开关频率更高，而且反向恢复电荷 (Qrr) 也超低。因此，减少了并联的需要，使最终产品更加坚固耐用，从而降低了整体系统成本。

改进的体二极管，降低了 Qrr

通过大幅减少反向恢复电荷（Q rr ），体二极管的行为得到显著改善，并对 EMC 行为和效率产生了相应的积极影响。因此， OptiMOS™ 5 150 V MOSFET 系列可以减少开发时间和成本。 此外， OptiMOS™ 5 150 V 可以更轻松地进行热管理，从而减少组件的压力。

低 RDS(on) 在应用中的优势

低 R DS(on)可为应用带来以下好处：

  • 考虑相同的封装，与次优方案相比，ON 损耗可减少高达 25%
  • 根据应用情况，现在可以使用更小的封装（例如，SuperSO8 代替 D²PAK）
  • 在适当的情况下，可以消除通孔器件 (THD)，例如 TO-220；而可以使用 D²PAK 或 SuperSO8 等 SMD 封装
  • MOSFET 通常必须并联连接，以减少由此产生的漏极-源极导通电阻。OptiMOS™ 5 150 V 可以减少并联 MOSFET 的数量或完全避免并联。因此， OptiMOS™ 5 150 V 可以减少所需空间并提高成本优势
  • 与其前身OptiMOS™ 3 相比， OptiMOS™ 5 芯片尺寸更小，具有相应的成本优势，而 R DS(on)保持不变

多种封装可选，满足您的设计要求

英飞凌 OptiMOS™ 5 150 V 功率 MOSFET 封装包括 SuperSO8、TO-220、TOLL, TOLG, TOLT、D2PAK、D2PAK-7、PQFN 3.3 x 3.3 mm。毫米封装。该系列 MOSFET 不仅输出电荷更低，开关频率更高，而且反向恢复电荷 (Qrr) 也超低。因此，减少了并联的需要，使最终产品更加坚固耐用，从而降低了整体系统成本。

改进的体二极管，降低了 Qrr

通过大幅减少反向恢复电荷（Q rr ），体二极管的行为得到显著改善，并对 EMC 行为和效率产生了相应的积极影响。因此， OptiMOS™ 5 150 V MOSFET 系列可以减少开发时间和成本。 此外， OptiMOS™ 5 150 V 可以更轻松地进行热管理，从而减少组件的压力。

低 RDS(on) 在应用中的优势

低 R DS(on)可为应用带来以下好处：

  • 考虑相同的封装，与次优方案相比，ON 损耗可减少高达 25%
  • 根据应用情况，现在可以使用更小的封装（例如，SuperSO8 代替 D²PAK）
  • 在适当的情况下，可以消除通孔器件 (THD)，例如 TO-220；而可以使用 D²PAK 或 SuperSO8 等 SMD 封装
  • MOSFET 通常必须并联连接，以减少由此产生的漏极-源极导通电阻。OptiMOS™ 5 150 V 可以减少并联 MOSFET 的数量或完全避免并联。因此， OptiMOS™ 5 150 V 可以减少所需空间并提高成本优势
  • 与其前身OptiMOS™ 3 相比， OptiMOS™ 5 芯片尺寸更小，具有相应的成本优势，而 R DS(on)保持不变

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