OptiMOS™ Linear FET

将低 RDS(on) 与宽范围安全工作区 (SOA) 相结合

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概述

英飞凌的 OptiMOS™ Linear FET 可同时实现低导通电阻（RDS(on)）和高线性模式能力（在增强型 MOSFET 的饱和区域工作）。OptiMOS™ Linear FET 革命性地实现了沟槽式 MOSFET 的最先进的 RDS(on) 以及经典平面 MOSFET 的宽范围安全工作区（SOA）。

关键特性

  • 宽范围安全工作区（SOA）
  • 可靠的线性工作模式
  • 低 RDS(on)
  • 低导通损耗
  • 高脉冲和连续电流
  • 有多种封装可选

产品

关于

OptiMOS™ Linear FET mosfet已有的电压等级和封装

OptiMOS™线性 FET 是第一代 SOA 优化设备，专注于消除 SOA 稳健性和 R DS(on)之间的权衡。

它有 60 V、80 V、100 V 和 150 V 四种电压版本，封装包括 D 2 PAK、D 2 PAK-7pin 和 TO-Leadless (TOLL)。

主要特性：

  • 宽范围安全工作区（SOA）
  • 低 RDS(on)
  • 最高脉冲电流和连续脉冲电流
  • 多种封装：D 2 PAK、D 2 PAK 7 针、TOLL

主要优势

  • 坚固的线性模式操作
  • 低导通损耗
  • 更高的浪涌电流可实现更快的启动和更短的停机时间
  • 兼容的占地面积，可直接替换

关键应用

  • 通信——热插拔控制
  • 服务器 - 热插拔控制
  • 电池管理（BMS）——电池保护
  • 以太网供电 (PoE) – 端口 MOSFET

OptiMOS™ Linear FET mosfet的SOA 图详细信息

OptiMOS™ 5 Linear FET 2 是英飞凌线性 FET 系列的最新成员。 与OptiMOS™线性 FET 一样，它具有同一设备中的宽 SOA 和最低的 R DS(on) 。 与上一代产品相比，它在 SOA 和漏电流方面均有所改进，传输特性得到优化以改善电流共享，并且在较高驱动电压下 R DS(on)降低了 13%。

此外，它还提供多种封装选择，具有 TO 引线顶部 (TOLT) 提供的顶部冷却功能。

这使得OptiMOS™ 5 Linear FET 2 成为热插拔系统的理想选择，因为高功率密度和高单个 MOSFET SOA 非常重要。 在广泛应用的电池保护中， OptiMOS™ 5 Linear FET 2 以其高电流承载能力、与OptiMOS™ 5 类技术相比改进的并联以及可承受高短路电流的宽 SOA 而脱颖而出。

该系列采用 100 V 电压，可用封装包括 TO-Leadless (TOLL)、TO-Leaded 顶部 (TOLT)、D 2 PAK、D 2 PAK-7pin、SuperSO8 (5x6)、PQFN 3.3x3.3、和 mTOLG (8x8)。

OptiMOS™ Linear FET mosfet用作保护开关

主要特性：

  • 宽范围安全工作区（SOA）
  • 低 RDS(on)
  • 与线性 FET 相比，IGSS 更低
  • 优化的传输特性

主要优势

  • 坚固的线性模式操作
  • 低条件损失
  • 改进的栅极驱动器兼容性
  • 更好的电流共享

关键应用

用于浪涌电流保护的 OptiMOS™ Linear FET MOSFET

为了满足 AI 服务器市场日益增长的功率和可靠性需求，热插拔控制器和热插拔 MOSFET 也在不断发展。新一代OptiMOS™ 5 Linear FET 2 在功率密度和 SOA 方面树立了新的标杆，同时数字热插拔控制器也在不断发展。 该控制器最显著的进步之一是能够对 FET 的整个 SOA 曲线进行编程，确保 FET 始终处于其安全工作区域内，从而提高整个系统的可靠性和寿命。

英飞凌的 XDP710-002 热插拔控制器能够驱动单个或多个并联 N 沟道 MOSFET，并且向后兼容 XDP710-001，具有改进和增强的功能。XDP710-002 的主要特性包括高精度 AFE、多种系统警告和保护、通过 PMBus 与主 CPU 进行高速通信、复位、关断、重试和数字 SOA 控制栅极驱动器和电荷泵，以实现受控开启和安全操作。

4 kW 热插拔解决方案示例

下面链接的文档中显示了一个 4 kW 热插拔解决方案的示例，该解决方案已用于电源传输板。该解决方案由四个OptiMOS™ 5 Linear FET 2 IPT017N10NM5LF2 FET 和一个 XDP ™ XDP710-002 热插拔控制器组成。 该板的工作电压范围为 40 V 至 60 V。

因此，4000 W 的标称负载电流将为 4000/40 = 100 A，这就是为什么在热计算之后选择四个 FET 并联运行的原因。FET 在 95°C 时的 SOA 曲线被编程到控制器中。

了解有关此应用程序的更多信息

OptiMOS™ Linear FET mosfet已有的电压等级和封装

OptiMOS™线性 FET 是第一代 SOA 优化设备，专注于消除 SOA 稳健性和 R DS(on)之间的权衡。

它有 60 V、80 V、100 V 和 150 V 四种电压版本，封装包括 D 2 PAK、D 2 PAK-7pin 和 TO-Leadless (TOLL)。

主要特性：

  • 宽范围安全工作区（SOA）
  • 低 RDS(on)
  • 最高脉冲电流和连续脉冲电流
  • 多种封装：D 2 PAK、D 2 PAK 7 针、TOLL

主要优势

  • 坚固的线性模式操作
  • 低导通损耗
  • 更高的浪涌电流可实现更快的启动和更短的停机时间
  • 兼容的占地面积，可直接替换

关键应用

  • 通信——热插拔控制
  • 服务器 - 热插拔控制
  • 电池管理（BMS）——电池保护
  • 以太网供电 (PoE) – 端口 MOSFET

OptiMOS™ Linear FET mosfet的SOA 图详细信息

OptiMOS™ 5 Linear FET 2 是英飞凌线性 FET 系列的最新成员。 与OptiMOS™线性 FET 一样，它具有同一设备中的宽 SOA 和最低的 R DS(on) 。 与上一代产品相比，它在 SOA 和漏电流方面均有所改进，传输特性得到优化以改善电流共享，并且在较高驱动电压下 R DS(on)降低了 13%。

此外，它还提供多种封装选择，具有 TO 引线顶部 (TOLT) 提供的顶部冷却功能。

这使得OptiMOS™ 5 Linear FET 2 成为热插拔系统的理想选择，因为高功率密度和高单个 MOSFET SOA 非常重要。 在广泛应用的电池保护中， OptiMOS™ 5 Linear FET 2 以其高电流承载能力、与OptiMOS™ 5 类技术相比改进的并联以及可承受高短路电流的宽 SOA 而脱颖而出。

该系列采用 100 V 电压，可用封装包括 TO-Leadless (TOLL)、TO-Leaded 顶部 (TOLT)、D 2 PAK、D 2 PAK-7pin、SuperSO8 (5x6)、PQFN 3.3x3.3、和 mTOLG (8x8)。

OptiMOS™ Linear FET mosfet用作保护开关

主要特性：

  • 宽范围安全工作区（SOA）
  • 低 RDS(on)
  • 与线性 FET 相比，IGSS 更低
  • 优化的传输特性

主要优势

  • 坚固的线性模式操作
  • 低条件损失
  • 改进的栅极驱动器兼容性
  • 更好的电流共享

关键应用

用于浪涌电流保护的 OptiMOS™ Linear FET MOSFET

为了满足 AI 服务器市场日益增长的功率和可靠性需求，热插拔控制器和热插拔 MOSFET 也在不断发展。新一代OptiMOS™ 5 Linear FET 2 在功率密度和 SOA 方面树立了新的标杆，同时数字热插拔控制器也在不断发展。 该控制器最显著的进步之一是能够对 FET 的整个 SOA 曲线进行编程，确保 FET 始终处于其安全工作区域内，从而提高整个系统的可靠性和寿命。

英飞凌的 XDP710-002 热插拔控制器能够驱动单个或多个并联 N 沟道 MOSFET，并且向后兼容 XDP710-001，具有改进和增强的功能。XDP710-002 的主要特性包括高精度 AFE、多种系统警告和保护、通过 PMBus 与主 CPU 进行高速通信、复位、关断、重试和数字 SOA 控制栅极驱动器和电荷泵，以实现受控开启和安全操作。

4 kW 热插拔解决方案示例

下面链接的文档中显示了一个 4 kW 热插拔解决方案的示例，该解决方案已用于电源传输板。该解决方案由四个OptiMOS™ 5 Linear FET 2 IPT017N10NM5LF2 FET 和一个 XDP ™ XDP710-002 热插拔控制器组成。 该板的工作电压范围为 40 V 至 60 V。

因此，4000 W 的标称负载电流将为 4000/40 = 100 A，这就是为什么在热计算之后选择四个 FET 并联运行的原因。FET 在 95°C 时的 SOA 曲线被编程到控制器中。

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