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OptiMOS™ Linear FET

结合低 RDS(on) 和宽安全工作区 (SOA)

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概述

英飞凌的 OptiMOS™ Linear FET 可同时实现低导通电阻（RDS(on)）和高线性模式能力（在增强型 MOSFET 的饱和区域工作）。OptiMOS™ Linear FET 革命性地实现了沟槽式 MOSFET 的最先进的 RDS(on) 以及经典平面 MOSFET 的宽范围安全工作区（SOA）。

关键特性

  • 宽范围安全工作区（SOA）
  • 可靠的线性工作模式
  • 低 RDS(on)
  • 低导通损耗
  • 高脉冲和连续电流
  • 有多种封装可选

产品

关于

已有的电压等级和封装

OptiMOS™ Linear FET系列 MOSFET 拥有 60 V、80 V、100 V、150 V 和 200 V 的电压等级。

该产品组合提供表面贴装电源封装：

  • PQFN 3.3x3.3
  • SuperSO8 (PQFN 5x6)
  • 聚酰胺酸二钾
  • D2PAK-7pin
  • TO-无引线 (TOLL)

OptiMOS™ Linear FET 实现了低导通损耗，并且加快了启动速度，缩短了中断时间。

SOA 图详细信息

SOA 是 MOSFET 在发生故障前在给定时间段内可承受的功率量（其中功率 = VDS x ID）。

典型数据表中定义 SOA 图的五条限制线是：

  • R DS(on)限制线
  • 限流线路（套餐有限）
  • 最大功率限制线
  • 热不稳定极限线
  • 击穿电压限制线

在这些限制线内，MOSFET 可以在脉冲宽度为 10 毫秒的情况下安全运行。当FET导通时，电流（ID）流过它；场效应管两端的压降（VDS(on)）可以表示为 ID 与 RDS(on) 的乘积。
在这种情况下，MOSFET 落在 SOA 的 RDS (on) 限制中。RDS(on) 有助于限制电路中流过的最大短路电流。
在开关瞬变期间，会看到 MOSFET 两端都有大电流和高电压。这与 SOA 的 “最大功率限制” 和 “热稳定性限制” 部分相对应。这也被称为 “线性模式工作”。

SOA 很重要。超过 SOA 额定值可能会导致 MOSFET 出现故障，进而发生系统故障。

OptiMOS™ Linear FET 用作保护开关

电池供电的电机驱动应用中对保护开关 MOSFET 的要求与普通开关 MOSFET 的要求有很大不同。这些应用要求保护开关 MOSFET 主要以线性模式工作（同时施加高压和大电流）。因此，这些应用需要具有以下特性的 MOSFET：

  • 低 RDS(on)
  • 高载流能力（连续和脉冲 I D额定值）
  • 雪崩耐用性
  • 线性模式能力（更宽 SOA）
  • 更好的热性能（Z th /R th ）

通常，由于 MOSFET 的跨导增加，因此需要在低导通电阻和更宽的 SOA 能力之间进行权衡。OptiMOS™ Linear FET 是一种革命性的设计，通过提供平面 MOSFET 的更宽 SOA 和沟槽式 MOSFET 更低的 RDS(on)，避免了线性模式与 RDS(on) 的权衡。

有关更多详细信息，请参阅“OptiMOS™ Linear FET 作为保护开关在电池供电电机驱动中的应用”应用笔记。

线性场效应晶体管（FET）作为电机保护开关
用于浪涌电流保护的 OptiMOS™ Linear FET MOSFET

OptiMOS™ Linear FET MOSFET 通过限制高浪涌电流来防止负载损坏。该产品非常适合电信、服务器和电池管理系统 (BMS) 中常见的热插拔、电子保险丝（电子保险丝）和电池保护功能。PQFN 3.3x3.3 封装的全新 100 V Linear FET 也适用于以太网供电 (PoE) 应用中的软启动。

已有的电压等级和封装

OptiMOS™ Linear FET系列 MOSFET 拥有 60 V、80 V、100 V、150 V 和 200 V 的电压等级。

该产品组合提供表面贴装电源封装：

  • PQFN 3.3x3.3
  • SuperSO8 (PQFN 5x6)
  • 聚酰胺酸二钾
  • D2PAK-7pin
  • TO-无引线 (TOLL)

OptiMOS™ Linear FET 实现了低导通损耗，并且加快了启动速度，缩短了中断时间。

SOA 图详细信息

SOA 是 MOSFET 在发生故障前在给定时间段内可承受的功率量（其中功率 = VDS x ID）。

典型数据表中定义 SOA 图的五条限制线是：

  • R DS(on)限制线
  • 限流线路（套餐有限）
  • 最大功率限制线
  • 热不稳定极限线
  • 击穿电压限制线

在这些限制线内，MOSFET 可以在脉冲宽度为 10 毫秒的情况下安全运行。当FET导通时，电流（ID）流过它；场效应管两端的压降（VDS(on)）可以表示为 ID 与 RDS(on) 的乘积。
在这种情况下，MOSFET 落在 SOA 的 RDS (on) 限制中。RDS(on) 有助于限制电路中流过的最大短路电流。
在开关瞬变期间，会看到 MOSFET 两端都有大电流和高电压。这与 SOA 的 “最大功率限制” 和 “热稳定性限制” 部分相对应。这也被称为 “线性模式工作”。

SOA 很重要。超过 SOA 额定值可能会导致 MOSFET 出现故障，进而发生系统故障。

OptiMOS™ Linear FET 用作保护开关

电池供电的电机驱动应用中对保护开关 MOSFET 的要求与普通开关 MOSFET 的要求有很大不同。这些应用要求保护开关 MOSFET 主要以线性模式工作（同时施加高压和大电流）。因此，这些应用需要具有以下特性的 MOSFET：

  • 低 RDS(on)
  • 高载流能力（连续和脉冲 I D额定值）
  • 雪崩耐用性
  • 线性模式能力（更宽 SOA）
  • 更好的热性能（Z th /R th ）

通常，由于 MOSFET 的跨导增加，因此需要在低导通电阻和更宽的 SOA 能力之间进行权衡。OptiMOS™ Linear FET 是一种革命性的设计，通过提供平面 MOSFET 的更宽 SOA 和沟槽式 MOSFET 更低的 RDS(on)，避免了线性模式与 RDS(on) 的权衡。

有关更多详细信息，请参阅“OptiMOS™ Linear FET 作为保护开关在电池供电电机驱动中的应用”应用笔记。

线性场效应晶体管（FET）作为电机保护开关

用于浪涌电流保护的 OptiMOS™ Linear FET MOSFET

OptiMOS™ Linear FET MOSFET 通过限制高浪涌电流来防止负载损坏。该产品非常适合电信、服务器和电池管理系统 (BMS) 中常见的热插拔、电子保险丝（电子保险丝）和电池保护功能。PQFN 3.3x3.3 封装的全新 100 V Linear FET 也适用于以太网供电 (PoE) 应用中的软启动。

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