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600 V CoolMOS™ P7

效率和散热性能的基准

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概述

凭借 800 V CoolMOS™ P7 系列，英飞凌在 800 V 超结技术方面树立了基准，并将一流的性能与最先进的易用性相结合。坚固的栅极模块、体二极管以及快速简洁的开关特性使该产品系列成为基于反激式的消费类开关电源应用的理想之选。它还适用于消费类PFC平台、太阳能、适配器、音频、照明应用。

关键特性

  • 高压 800 V
  • 齐纳二极管保护栅极
  • 干净快捷的换向
  • 坚固的体二极管

产品

关于

800 V CoolMOS™ 卓越的 EMI 性能

EMI 是系统级的话题，需要在系统层面进行优化。然而，在英飞凌 45 W 适配器的纯即插即用测量表明，800 V CoolMOS™ P7 的EMI性能与英飞凌以前的技术相似，与竞争对手的技术相比也是如此。

与竞争产品相比，800 V CoolMOS™ P7 技术允许将低得多的 RDS (on) 值集成到小型封装中，例如 DPAK。这使得高功率密度设计能够以极具竞争力的价格水平实现。

800 V CoolMOS™ P7 的好处

该技术提供了完全优化的关键参数，以提供一流的效率和散热性能。正如在市场上购买的80W LED驱动器所证明的那样，与竞争对手的技术相比，Eoss和Coss降低了 > 45％，Ciss和Qg也有了显著改进，使轻负载下的效率提高了0.5％，这有助于降低终端应用的待机功耗。在满载时，观察到的改善是效率提高了多达0.3％，设备温度降低了6°C。

800 V CoolMOS™ P7 的好处

该产品系列继续提供广受认可的同类最佳的 CoolMOS™ 品质。此外，CoolMOS™ P7 还提供了全新的同类最佳的 RDS(on)：在 DPAK 中，可提供280 mΩ 的 RDS(on)，比最接近的 800 V MOSFET 竞争对手低50％以上。这一新的基准可以实现更高的功率密度设计、节省BOM以及更低的装配成本。

800 V CoolMOS™ 卓越的 EMI 性能

EMI 是系统级的话题，需要在系统层面进行优化。然而，在英飞凌 45 W 适配器的纯即插即用测量表明，800 V CoolMOS™ P7 的EMI性能与英飞凌以前的技术相似，与竞争对手的技术相比也是如此。

与竞争产品相比，800 V CoolMOS™ P7 技术允许将低得多的 RDS (on) 值集成到小型封装中，例如 DPAK。这使得高功率密度设计能够以极具竞争力的价格水平实现。

800 V CoolMOS™ P7 的好处

该技术提供了完全优化的关键参数，以提供一流的效率和散热性能。正如在市场上购买的80W LED驱动器所证明的那样，与竞争对手的技术相比，Eoss和Coss降低了 > 45％，Ciss和Qg也有了显著改进，使轻负载下的效率提高了0.5％，这有助于降低终端应用的待机功耗。在满载时，观察到的改善是效率提高了多达0.3％，设备温度降低了6°C。

800 V CoolMOS™ P7 的好处

该产品系列继续提供广受认可的同类最佳的 CoolMOS™ 品质。此外，CoolMOS™ P7 还提供了全新的同类最佳的 RDS(on)：在 DPAK 中，可提供280 mΩ 的 RDS(on)，比最接近的 800 V MOSFET 竞争对手低50％以上。这一新的基准可以实现更高的功率密度设计、节省BOM以及更低的装配成本。

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