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600 V CoolMOS™ P6

集高效率和易用性于一身

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概述

600 V CoolMOS™ P6 SJ MOSFET 是一种通用型器件,适用于大多数大功率应用,由于其体二极管优异的性能,既适用于软开关应用,也适用于硬开关应用。对 Qg、Vth、Eon 和 Eoff 等参数的优化使其具有更高的效率,而其易用性则归功于优化的 dV/dt (di/dt) 可控性、内部 Rg 和经过改进的振荡行为。

关键特性

  • 极低的栅极电荷 (Q g)
  • 针对软开关优化了 Vth
  • 体二极管耐久性良好
  • 经过优化的集成 Rg
  • 改善的 dV/dt

产品

关于

CoolMOS™ P6 SJ MOSFET 系列实现了极低的导通和开关损耗,尤其是在轻载条件下,使开关应用能够更高效地工作,并设计得更紧凑、更轻巧、更低温。

凭借其精细化的产品组合,CoolMOS™ P6 可满足服务器、PC 电源、电信整流器和消费类应用等应用的特定需求,同时提供了当今市场上最佳的性价比。CoolMOS™ P6 SJ MOSFET 系列针对易用性进行了优化,解决了大功率 SMPS 的典型设计难题,同时在接近 CoolMOS™ CP SJ MOSFET 系列的水平上达到了同类最佳的效率。

600 V CoolMOS™ P6 超结 (SJ) MOSFET 采用 SMD 封装(DPAK、D2PAK、ThinPAK 5x6、ThinPAK 8x8)和通孔封装(TO-220、隔离式 TO-220 FullPAK、TO-247 和开尔文源 TO-247-4)。

器件的参数范围从 41 mΩ /77.5 A 到 600 mΩ/4.9 A。

  • 轻载条件下的效率提高
  • 由于更早关闭,软开关应用的效率更高
  • 适用于硬开关和软开关拓扑
  • 卓越的易用性和良好的开关行为可控性
  • 高鲁棒性
  • 卓越的品质和可靠性

PFC 变换器中的这种即插即用测量比较显示了CoolMOS™ P6 与 CoolMOS™ C6 和CoolMOS™ CP 相比所具有的优势。与 C6 相比,在 10% 的轻载条件下,P6 的效率提高了 0.45% 以上,在满载时提高了1.25%。这种效率优势归因于 Qg 的降低和相对较高的 Vth。

在 LLC 的比较测量中,与 E6 相比,在轻载下,P6 的效率提高超过 0.8%。与 E6 相比,这种改进也是因为 Qg 减少了30%。在满载时,P6 和 E6 的效率测量结果相似,这是因为相同的 RDS(on),而 RDS(on) 是满载时的重要参数。

CoolMOS™ P6 SJ MOSFET 系列实现了极低的导通和开关损耗,尤其是在轻载条件下,使开关应用能够更高效地工作,并设计得更紧凑、更轻巧、更低温。

凭借其精细化的产品组合,CoolMOS™ P6 可满足服务器、PC 电源、电信整流器和消费类应用等应用的特定需求,同时提供了当今市场上最佳的性价比。CoolMOS™ P6 SJ MOSFET 系列针对易用性进行了优化,解决了大功率 SMPS 的典型设计难题,同时在接近 CoolMOS™ CP SJ MOSFET 系列的水平上达到了同类最佳的效率。

600 V CoolMOS™ P6 超结 (SJ) MOSFET 采用 SMD 封装(DPAK、D2PAK、ThinPAK 5x6、ThinPAK 8x8)和通孔封装(TO-220、隔离式 TO-220 FullPAK、TO-247 和开尔文源 TO-247-4)。

器件的参数范围从 41 mΩ /77.5 A 到 600 mΩ/4.9 A。

  • 轻载条件下的效率提高
  • 由于更早关闭,软开关应用的效率更高
  • 适用于硬开关和软开关拓扑
  • 卓越的易用性和良好的开关行为可控性
  • 高鲁棒性
  • 卓越的品质和可靠性

PFC 变换器中的这种即插即用测量比较显示了CoolMOS™ P6 与 CoolMOS™ C6 和CoolMOS™ CP 相比所具有的优势。与 C6 相比,在 10% 的轻载条件下,P6 的效率提高了 0.45% 以上,在满载时提高了1.25%。这种效率优势归因于 Qg 的降低和相对较高的 Vth。

在 LLC 的比较测量中,与 E6 相比,在轻载下,P6 的效率提高超过 0.8%。与 E6 相比,这种改进也是因为 Qg 减少了30%。在满载时,P6 和 E6 的效率测量结果相似,这是因为相同的 RDS(on),而 RDS(on) 是满载时的重要参数。

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