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950 V CoolMOS™ PFD7

采用新一代超高功率密度设计打造节能的大功率照明、消费类和工业用 SMPS

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概述

PFD7，专为实现超高功率密度和最高效率设计。这些产品主要用于 PFC 和 LLC/LCC 拓扑结构的消费类和工业用开关电源应用。与 CoolMOS™ C3 相比，950 V CoolMOS™ PFD7 的 Qg 降低了 60%（从而降低了驱动损耗、提高了轻载和满载效率），还配备一个快速且坚固的体二极管。

关键特性

  • 超快体二极管，最小的 Qrr
  • 最佳 RDS (on) x Eoss；低 Qg & Coss
  • V(GS)th为3V，并严格控制在 ±0.5 V 之间
  • 静电防护等级最高可达 2 级（HBM）

产品

关于

设计紧凑，性能强大：超高功率密度设计

对于 60 mΩ 到 450 mΩ 的 RDS(on)，无论拓扑采用硬开关还是软开关，950 V CoolMOS™ PFD7 都能提供开关优势、缩小目标应用的尺寸、并通过提供高压 SMD 封装来满足薄型化设计的需求。

适用于照明、消费类和工业开关电源的 950 V PFD7 技术

同类最佳的硬换向坚固性，可在各种拓扑结构中使用与 CoolMOS™ C3 相比，效率提高了 0.5%，MOSFET 温度降低了 4°C。实现了更高的功率密度设计、节省 BOM 、降低装配成本。易于驱动与设计。通过减少与 ESD 相关的故障，提高了转换器的产量——减少了生产问题，降低了现场退货率。

以稳健可靠的解决方案提升性能

PFD7 系列在设计时特别针对快速且稳健的体二极管进行了优化。该栅极还经过精心设计，坚固耐用，分别符合人体模型（HBM）和元件带电模型 （CDM）ESD 等级 C2 和 C3。门极阈值电压提高至 3 V，容差低于 ±0.5 V，也有助于实现稳健运行。

设计紧凑，性能强大：超高功率密度设计

对于 60 mΩ 到 450 mΩ 的 RDS(on)，无论拓扑采用硬开关还是软开关，950 V CoolMOS™ PFD7 都能提供开关优势、缩小目标应用的尺寸、并通过提供高压 SMD 封装来满足薄型化设计的需求。

适用于照明、消费类和工业开关电源的 950 V PFD7 技术

同类最佳的硬换向坚固性，可在各种拓扑结构中使用与 CoolMOS™ C3 相比，效率提高了 0.5%，MOSFET 温度降低了 4°C。实现了更高的功率密度设计、节省 BOM 、降低装配成本。易于驱动与设计。通过减少与 ESD 相关的故障，提高了转换器的产量——减少了生产问题，降低了现场退货率。

以稳健可靠的解决方案提升性能

PFD7 系列在设计时特别针对快速且稳健的体二极管进行了优化。该栅极还经过精心设计，坚固耐用，分别符合人体模型（HBM）和元件带电模型 （CDM）ESD 等级 C2 和 C3。门极阈值电压提高至 3 V，容差低于 ±0.5 V，也有助于实现稳健运行。

文档

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设计资源

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