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CoolMOS™ C7

600 V 与 650 V CoolMOS™ C7 与 C7 Gold（G7）超结（SJ）MOSFET - 英飞凌效率最高的超结 MOSFET 系列

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关于

英飞凌 600 V 与 650 V CoolMOS™ C7 超结 MOSFET

600 V 与 650 V CoolMOS™ C7 与 C7 Gold（G7）超结（SJ）MOSFET 系列旨在实现更高的效率性能——与之前的系列产品和竞品相比，它们所具备的显著效能优势体现在硬开关应用的整个负载范围。

这是通过利用超低的 Eoss（与 CoolMOS™ CP 相比降低约 50%）、降低 QG 并且对产品的其他关键参数谨慎平衡，最大限度地减少开关损耗来实现的。低 Eoss 和 QG 还可确保器件可在更高的开关频率下运行，并相应地减小电路磁性元件的尺寸。

了解 CoolMOS™ C7 & C7 Gold（G7）产品组合

CoolMOS™ C7 & C7 Gold（G7）产品组合是为更高功率的性能驱动型应用而设计。其 Rdson 的范围介于 19 mΩ 到 230 mΩ，连续性良好。封装包括高功率的 THT 和高级 SMD 两种形式。

具有基准效率性能的最新 CoolMOS™ 技术

与 CoolMOS™ CP 相比，英飞凌的 600 V CoolMOS™ C7 的关断损耗（Eoss）降低约 50%，在 PFC、TTF 和其他硬开关拓扑中的性能达到了类似 GaN 的水平。CoolMOS™ C7 实现更高的能效，使以效率和总体拥有成本 (TCO) 为导向的应用受益匪浅。在 PFC 拓扑中，效率可提高 0.3% 至 0.7%，在 LLC 拓扑中，效率可提高 0.1%，这意味着能源成本可降低约 10%。

以 BOM 成本为导向的应用可以利用 C7 和 TO-247 封装组合在满载时获得的效率。这是通过提高 MOSFET 的 RDS(on)来实现的，使其与以前的 3 引脚封装满载效率相匹配，从而降低成本（即40 mΩ vs 70 mΩ 器件）。开关频率加倍也节省了磁性元件材料。铜绕组的成本最多可节省 30%，铁芯的成本最多可节省 45%（因材料而异）。

选用 650 V 不仅可以给设计人员提供额外的安全裕量，还可以使其适用于SMPS 和太阳能逆变器。最后，全新的 CoolMOS™ C7 系列源自英飞凌 12 年的制造经验，继承了英飞凌卓越的制造品质。

英飞凌 600 V 与 650 V CoolMOS™ C7 超结 MOSFET

600 V 与 650 V CoolMOS™ C7 与 C7 Gold（G7）超结（SJ）MOSFET 系列旨在实现更高的效率性能——与之前的系列产品和竞品相比，它们所具备的显著效能优势体现在硬开关应用的整个负载范围。

这是通过利用超低的 Eoss（与 CoolMOS™ CP 相比降低约 50%）、降低 QG 并且对产品的其他关键参数谨慎平衡，最大限度地减少开关损耗来实现的。低 Eoss 和 QG 还可确保器件可在更高的开关频率下运行，并相应地减小电路磁性元件的尺寸。

了解 CoolMOS™ C7 & C7 Gold（G7）产品组合

CoolMOS™ C7 & C7 Gold（G7）产品组合是为更高功率的性能驱动型应用而设计。其 Rdson 的范围介于 19 mΩ 到 230 mΩ，连续性良好。封装包括高功率的 THT 和高级 SMD 两种形式。

具有基准效率性能的最新 CoolMOS™ 技术

与 CoolMOS™ CP 相比，英飞凌的 600 V CoolMOS™ C7 的关断损耗（Eoss）降低约 50%，在 PFC、TTF 和其他硬开关拓扑中的性能达到了类似 GaN 的水平。CoolMOS™ C7 实现更高的能效，使以效率和总体拥有成本 (TCO) 为导向的应用受益匪浅。在 PFC 拓扑中，效率可提高 0.3% 至 0.7%，在 LLC 拓扑中，效率可提高 0.1%，这意味着能源成本可降低约 10%。

以 BOM 成本为导向的应用可以利用 C7 和 TO-247 封装组合在满载时获得的效率。这是通过提高 MOSFET 的 RDS(on)来实现的，使其与以前的 3 引脚封装满载效率相匹配，从而降低成本（即40 mΩ vs 70 mΩ 器件）。开关频率加倍也节省了磁性元件材料。铜绕组的成本最多可节省 30%，铁芯的成本最多可节省 45%（因材料而异）。

选用 650 V 不仅可以给设计人员提供额外的安全裕量，还可以使其适用于SMPS 和太阳能逆变器。最后，全新的 CoolMOS™ C7 系列源自英飞凌 12 年的制造经验，继承了英飞凌卓越的制造品质。

文档

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